Invention Grant
- Patent Title: 可变电阻元件及其制造方法
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Application No.: CN201280028327.9Application Date: 2012-06-07
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Publication No.: CN103597597BPublication Date: 2016-09-14
- Inventor: 西冈浩 , 堀田和正 , 福田夏树 , 菊地真 , 邹弘纲
- Applicant: 株式会社爱发科
- Applicant Address: 日本神奈川县
- Assignee: 株式会社爱发科
- Current Assignee: 株式会社爱发科
- Current Assignee Address: 日本神奈川县
- Agency: 北京华夏正合知识产权代理事务所
- Agent 韩登营; 栗涛
- Priority: 2011-130011 2011.06.10 JP
- International Application: PCT/JP2012/003728 2012.06.07
- International Announcement: WO2012/169195 JA 2012.12.13
- Date entered country: 2013-12-09
- Main IPC: H01L27/105
- IPC: H01L27/105 ; H01L45/00 ; H01L49/00

Abstract:
本发明提供一种不需进行成型处理,就能够降低元件的电力消耗及实现精细化的可变电阻元件及其制造方法。本发明的一个实施方式中,可变电阻元件(1)具有下部电极层(3)、上部电极层(5)及氧化物半导体层(4)。氧化物半导体层(4)形成在下部电极层(3)和上部电极层(5)之间。氧化物半导体层(4)具有第1金属氧化物层(41)和第2金属氧化物层(42)。第1金属氧化层(41)与下部电极层(3)欧姆接合。第2金属氧化物层(42)形成在第1金属氧化层(41)和上部电极层(5)之间,并与上部电极层(5)欧姆接合。
Public/Granted literature
- CN103597597A 可变电阻元件及其制造方法 Public/Granted day:2014-02-19
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IPC分类: