Invention Publication
- Patent Title: 硫属化物膜及其制造方法
- Patent Title (English): Chalcogenide film and method for producing the same
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Application No.: CN200880115651.8Application Date: 2008-11-13
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Publication No.: CN101855724APublication Date: 2010-10-06
- Inventor: 菊地真 , 西冈浩 , 木村勋 , 神保武人 , 邹弘纲
- Applicant: 株式会社爱发科
- Applicant Address: 日本神奈川县
- Assignee: 株式会社爱发科
- Current Assignee: 株式会社爱发科
- Current Assignee Address: 日本神奈川县
- Agency: 北京德琦知识产权代理有限公司
- Agent 王琦; 王珍仙
- Priority: 2007-297702 2007.11.16 JP
- International Application: PCT/JP2008/070706 2008.11.13
- International Announcement: WO2009/063950 JA 2009.05.22
- Date entered country: 2010-05-12
- Main IPC: H01L27/105
- IPC: H01L27/105 ; C23C14/06 ; H01L45/00
Abstract:
本发明的硫属化物膜，通过溅射在形成在基板上的绝缘层的接触孔内成膜，由含有使融点下降的融点下降材料的硫属化合物组成。
Public/Granted literature
- CN101855724B 硫属化物膜及其制造方法 Public/Granted day:2013-07-24
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IPC分类:
