公开(公告)号：CN101568998B

公开(公告)日：2012-08-01

申请号：CN200880001266.0

申请日：2008-10-29

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 植田昌久 ,  栗本孝志 ,  中村久三 ,  邹弘纲 ,  余吾锐哉 ,  小松一茂 ,  橘信介

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/02068 ,  G03F7/427 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32467 ,  H01J37/32477 ,  H01L21/31138

Abstract: 一种防止处理效率随时间下降的灰化装置。所述灰化装置对基底(W)上的有机材料进行灰化，所述基底包括在处理室(11)中曝露的金属。所述灰化装置包括形成在所述处理室(11)中的路径，活性物种通过所述路径供给至所述腔室(11)。通过所述活性物种而从所述基底(W)散射之金属可聚集于其上的表面(11a；31a；33a；33b)界定出所述路径，所述表面形成为所曝露的金属与从所述基底曝露之金属种类相同。

公开(公告)号：CN101568998A

公开(公告)日：2009-10-28

申请号：CN200880001266.0

申请日：2008-10-29

Applicant: 株式会社爱发科

Inventor： 植田昌久 ,  栗本孝志 ,  中村久三 ,  邹弘纲 ,  余吾锐哉 ,  小松一茂 ,  橘信介

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/02068 ,  G03F7/427 ,  H01J37/32192 ,  H01J37/32467 ,  H01J37/32477 ,  H01L21/31138

Abstract: 一种防止处理效率随时间下降的灰化装置。所述灰化装置对基底(W)上的有机材料进行灰化，所述基底包括在处理室(11)中曝露的金属。所述灰化装置包括形成在所述处理室(11)中的路径，活性物种通过所述路径供给至所述腔室(11)。通过所述活性物种而从所述基底(W)散射之金属可聚集于其上的表面(11a；31a；33a；33b)界定出所述路径，所述表面形成为所曝露的金属与从所述基底曝露之金属种类相同。