公开(公告)号：CN106972098B

公开(公告)日：2022-01-18

申请号：CN201610900409.8

申请日：2016-10-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 徐载训 ,  金钟圭 ,  吴廷翼 ,  金仁皓 ,  朴钟撤 ,  白光铉 ,  梁贤宇

IPC: H01L43/12

Abstract: 此处提供一种制造磁存储器件的方法，所述方法包括：在衬底上形成磁性隧道结图案；在衬底上形成层间绝缘层以覆盖磁性隧道结图案；在层间绝缘层上形成导电层；图案化导电层以形成电连接到磁性隧道结图案的互连图案；以及在互连图案上执行清洁工艺。清洁工艺使用第一气体和第二气体的气体混合物执行。第一气体包含氢元素(H)，以及第二气体包含不同于第一气体的源气体。

公开(公告)号：CN113130740A

公开(公告)日：2021-07-16

申请号：CN202010993806.0

申请日：2020-09-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金相局 ,  姜润昇 ,  权五益 ,  吴廷翼 ,  全秀珍

IPC: H01L45/00 ,  H01L43/08 ,  H01L27/24 ,  H01L27/22

Abstract: 提供了一种存储器器件，所述存储器器件包括：多条第一导电线，布置在基底上并且在平行于基底的顶表面的第一方向上彼此间隔开；多个盖衬，位于多条第一导电线中的每条的侧壁上，多个盖衬具有在与多条第一导电线的顶表面的竖直水平相等的竖直水平处的顶表面以及在比多条第一导电线的底表面高的竖直水平处的底表面；以及绝缘层，位于基底上，绝缘层填充多条第一导电线之间的空间并且覆盖多个盖衬的侧壁。

公开(公告)号：CN108231822A

公开(公告)日：2018-06-29

申请号：CN201711040240.4

申请日：2017-10-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔惠珍 ,  吴廷翼 ,  元福渊 ,  白光铉

IPC: H01L27/24 ,  H01L45/00

CPC classification number: H01L27/2463 ,  G11C13/0002 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/003 ,  G11C13/0069 ,  G11C2213/15 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/35 ,  G11C2213/51 ,  G11C2213/52 ,  G11C2213/72 ,  G11C2213/73 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2418 ,  H01L27/2427 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/04 ,  H01L45/06 ,  H01L45/08 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1246 ,  H01L45/126 ,  H01L45/142 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/146 ,  H01L45/148 ,  H01L45/12

Abstract: 一种可变电阻存储装置包括：第一电极线；单元结构，包括位于所述第一电极线上的可变电阻层以及保护所述可变电阻层的第一阻挡层；以及第二电极线，位于所述单元结构上，其中所述第一阻挡层位于以下中的至少一个上：所述可变电阻层的上表面、所述可变电阻层的下表面及所述可变电阻层的所述上表面与所述下表面二者，且所述第一阻挡层包括金属层或含碳导电层。

公开(公告)号：CN106972098A

公开(公告)日：2017-07-21

申请号：CN201610900409.8

申请日：2016-10-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 徐载训 ,  金钟圭 ,  吴廷翼 ,  金仁皓 ,  朴钟撤 ,  白光铉 ,  梁贤宇

IPC: H01L43/12

CPC classification number: H01L43/12

Abstract: 此处提供一种制造磁存储器件的方法，所述方法包括：在衬底上形成磁性隧道结图案；在衬底上形成层间绝缘层以覆盖磁性隧道结图案；在层间绝缘层上形成导电层；图案化导电层以形成电连接到磁性隧道结图案的互连图案；以及在互连图案上执行清洁工艺。清洁工艺使用第一气体和第二气体的气体混合物执行。第一气体包含氢元素(H)，以及第二气体包含不同于第一气体的源气体。