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公开(公告)号：CN101651115A
公开(公告)日：2010-02-17
申请号：CN200910163305.3
申请日：2009-08-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/70 , H01L21/02 , H01L21/027 , H01L27/115
CPC classification number: G11C16/0483 , G11C5/06 , H01L21/0337 , H01L21/3086 , H01L21/32139 , H01L27/0207 , H01L27/11524 , H01L27/11526 , H01L27/11531 , H01L27/11548 , H01L27/1157 , H01L27/11573 , H01L27/11575
Abstract: 本发明提供了形成半导体器件中精细图案的方法。形成半导体器件的方法可以通过采用自对准反转构图来同时形成多个掩模图案而提供，该多个掩模图案包括具有不同宽度的各自的掩模图案元件。
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公开(公告)号：CN100435274C
公开(公告)日：2008-11-19
申请号：CN200510113532.7
申请日：2002-07-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/00 , C23C16/455 , B05B1/02 , B05B3/00 , B05D1/02
CPC classification number: C23C16/45565 , C23C16/45589 , H01L21/67017
Abstract: 用于调节在半导体器件制造反应室的处理区域中的反应气体分布的喷头，其中顶板具有气体口，用于向反应室引入反应气体；面板，它具有多个通孔，与处理区域相对地设置，所述面板具有多个通孔；第一挡板，具有多个通孔，在顶板和面板之间设置，能够上下移动，其中第一挡板具有顶表面，它限定形成反应气体的第一横向流动通道的第一间隙；第二挡板，具有多个通孔，在第一挡板和面板之间设置，它能够上下移动，其中第二挡板具有顶表面，所述顶表面限定形成第二横向流动通道的第二间隙；和间隙控制器，用于确定第一间隙的宽度和第二间隙的宽度。
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公开(公告)号：CN1397991A
公开(公告)日：2003-02-19
申请号：CN02126876.2
申请日：2002-07-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/205 , B05B1/00 , B05B3/00
CPC classification number: C23C16/45565 , C23C16/45589 , H01L21/67017
Abstract: 用于调节在半导体器件制造反应室的处理区域中的反应气体分布的喷头，其中顶板具有气体口，用于向反应室引入反应气体；面板，它具有多个通孔，与处理区域相对地设置，所述面板具有多个通孔；第一挡板，具有多个通孔，在顶板和面板之间设置，能够上下移动，其中第一挡板具有顶表面，它限定形成反应气体的第一横向流动通道的第一间隙；第二挡板，具有多个通孔，在第一挡板和面板之间设置，它能够上下移动，其中第二挡板具有顶表面，所述顶表面限定形成第二横向流动通道的第二间隙；和间隙控制器，用于确定第一间隙的宽度和第二间隙的宽度。
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公开(公告)号：CN109841728B
公开(公告)日：2023-05-19
申请号：CN201811432213.6
申请日：2018-11-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10N50/10
Abstract: 一种磁存储器件包括在衬底上的下部层间绝缘层、以及多个磁隧道结图案，所述多个磁隧道结图案在下部层间绝缘层上并在平行于衬底的顶表面延伸的方向上彼此隔离。下部层间绝缘层包括上表面，该上表面包括凹入表面和顶表面，凹入表面至少部分地限定相邻磁隧道结图案之间的凹陷区域的内侧壁和底表面，使得凹入表面至少部分地限定该凹陷区域。所述内侧壁相对于衬底的顶表面以锐角倾斜，并且所述底表面具有在垂直于衬底的顶表面延伸的方向上朝向衬底的顶表面凸起的形状。
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公开(公告)号：CN109935683B
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN201811432190.9
申请日：2018-11-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10N50/10
Abstract: 一种半导体器件包括：顺序地堆叠在衬底上的第一下绝缘夹层、保护绝缘层和第一上绝缘夹层，以及穿透第一上绝缘夹层、保护绝缘层和第一下绝缘夹层的导电图案。导电图案包括线部分和接触部分，线部分沿与衬底的上表面平行的方向延伸，接触部分从线部分朝衬底延伸。接触部分彼此分开且其间具有绝缘图案。绝缘图案包括第一上绝缘夹层、保护绝缘层和第一下绝缘夹层的每个的一部分。绝缘图案的至少一部分具有台阶状的轮廓。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1241024A
公开(公告)日：2000-01-12
申请号：CN99109413.1
申请日：1999-06-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/70 , H01L21/8242
CPC classification number: H01L28/60 , H01L21/32137 , H01L27/10814 , H01L27/10852
Abstract: 本发明提供了制造具有改善的垂直和底部形貌的极柱型电容器的方法。在抗反射涂层上淀积存储节点的导电层。在腐蚀导电层和后续的过腐蚀存储节点图形的步骤中,抗反射涂层使得在存储节点的侧壁上更易形成聚合物集结。所得到的聚合物集结作为腐蚀阻挡层。
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公开(公告)号：CN109841728A
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201811432213.6
申请日：2018-11-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L43/08
Abstract: 一种磁存储器件包括在衬底上的下部层间绝缘层、以及多个磁隧道结图案，所述多个磁隧道结图案在下部层间绝缘层上并在平行于衬底的顶表面延伸的方向上彼此隔离。下部层间绝缘层包括上表面，该上表面包括凹入表面和顶表面，凹入表面至少部分地限定相邻磁隧道结图案之间的凹陷区域的内侧壁和底表面，使得凹入表面至少部分地限定该凹陷区域。所述内侧壁相对于衬底的顶表面以锐角倾斜，并且所述底表面具有在垂直于衬底的顶表面延伸的方向上朝向衬底的顶表面凸起的形状。
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公开(公告)号：CN1299352C
公开(公告)日：2007-02-07
申请号：CN99109413.1
申请日：1999-06-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/8242 , H01L27/108
CPC classification number: H01L28/60 , H01L21/32137 , H01L27/10814 , H01L27/10852
Abstract: 本发明提供了制造具有改善的垂直和底部形貌的极柱型电容器的方法。在抗反射涂层上淀积存储节点的导电层。在腐蚀导电层和后续的过腐蚀存储节点图形的步骤中，抗反射涂层使得在存储节点的侧壁上更易形成聚合物集结。所得到的聚合物集结作为腐蚀阻挡层。
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公开(公告)号：CN1265441C
公开(公告)日：2006-07-19
申请号：CN02126876.2
申请日：2002-07-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/205 , B05B1/00 , B05B3/00
CPC classification number: C23C16/45565 , C23C16/45589 , H01L21/67017
Abstract: 用于调节在半导体器件制造反应室的处理区域中的反应气体分布的喷头，其中顶板具有气体口，用于向反应室引入反应气体；面板，它具有多个通孔，与处理区域相对地设置，所述面板具有多个通孔；第一挡板，具有多个通孔，在顶板和面板之间设置，能够上下移动，其中第一挡板具有顶表面，它限定形成反应气体的第一横向流动通道的第一间隙；第二挡板，具有多个通孔，在第一挡板和面板之间设置，它能够上下移动，其中第二挡板具有顶表面，所述顶表面限定形成第二横向流动通道的第二间隙；和间隙控制器，用于确定第一间隙的宽度和第二间隙的宽度。
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公开(公告)号：CN1781608A
公开(公告)日：2006-06-07
申请号：CN200510113532.7
申请日：2002-07-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: B05B1/02 , B05B3/00 , B05B1/14 , B05D7/00 , H01L21/00 , H01L21/205 , H01L21/3065
CPC classification number: C23C16/45565 , C23C16/45589 , H01L21/67017
Abstract: 用于调节在半导体器件制造反应室的处理区域中的反应气体分布的喷头，其中顶板具有气体口，用于向反应室引入反应气体；面板，它具有多个通孔，与处理区域相对地设置，所述面板具有多个通孔；第一挡板，具有多个通孔，在顶板和面板之间设置，能够上下移动，其中第一挡板具有顶表面，它限定形成反应气体的第一横向流动通道的第一间隙；第二挡板，具有多个通孔，在第一挡板和面板之间设置，它能够上下移动，其中第二挡板具有顶表面，所述顶表面限定形成第二横向流动通道的第二间隙；和间隙控制器，用于确定第一间隙的宽度和第二间隙的宽度。
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