公开(公告)号：CN1299352C

公开(公告)日：2007-02-07

申请号：CN99109413.1

申请日：1999-06-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 权五益 ,  李世亨

IPC: H01L21/8242 ,  H01L27/108

CPC classification number: H01L28/60 ,  H01L21/32137 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10852

Abstract: 本发明提供了制造具有改善的垂直和底部形貌的极柱型电容器的方法。在抗反射涂层上淀积存储节点的导电层。在腐蚀导电层和后续的过腐蚀存储节点图形的步骤中，抗反射涂层使得在存储节点的侧壁上更易形成聚合物集结。所得到的聚合物集结作为腐蚀阻挡层。

公开(公告)号：CN1241024A

公开(公告)日：2000-01-12

申请号：CN99109413.1

申请日：1999-06-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 权五益 ,  李世亨

IPC: H01L21/70 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L28/60 ,  H01L21/32137 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10852

Abstract: 本发明提供了制造具有改善的垂直和底部形貌的极柱型电容器的方法。在抗反射涂层上淀积存储节点的导电层。在腐蚀导电层和后续的过腐蚀存储节点图形的步骤中,抗反射涂层使得在存储节点的侧壁上更易形成聚合物集结。所得到的聚合物集结作为腐蚀阻挡层。