-
公开(公告)号：CN118804603A
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202410281000.7
申请日：2024-03-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B61/00
Abstract: 本发明提供了一种磁性存储器装置及制造该磁性存储器装置的方法。磁性存储器装置包括：衬底；下绝缘层，其位于衬底上；存储器单元，其包括顺序地堆叠在下绝缘层上的第一磁性图案、隧道势垒图案和第二磁性图案；以及再沉积插入层，其从存储器单元的侧面沿下绝缘层的上表面延伸，其中，再沉积插入层包括顺序地堆叠在下绝缘层上的再沉积绝缘层、混合层和再沉积副产物层，并且混合层包括在再沉积绝缘层中包括的材料和在再沉积副产物层中包括的材料二者。
-
公开(公告)号：CN101034573A
公开(公告)日：2007-09-12
申请号：CN200710085499.0
申请日：2007-03-07
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G01R3/00 , Y10T29/49151
Abstract: 可以通过以下步骤制造探针阵列：形成布置在牺牲衬底上的探针、在这些探针上形成探针衬底以及去除牺牲衬底。在一个实施例中，可以在牺牲衬底上在行和列的方向上二维地形成第一探针。可以在以行方向布置的第一探针之间形成第二探针，使得该第一和第二探针间的距离小于光刻工艺中的分辨率极限。可以在具有第一探针和第二探针的牺牲衬底上形成探针衬底，并且可以去除该牺牲衬底。
-
公开(公告)号：CN101034573B
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN200710085499.0
申请日：2007-03-07
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G01R3/00 , Y10T29/49151
Abstract: 可以通过以下步骤制造探针阵列：形成布置在牺牲衬底上的探针、在这些探针上形成探针衬底以及去除牺牲衬底。在一个实施例中，可以在牺牲衬底上在行和列的方向上二维地形成第一探针。可以在以行方向布置的第一探针之间形成第二探针，使得该第一和第二探针间的距离小于光刻工艺中的分辨率极限。可以在具有第一探针和第二探针的牺牲衬底上形成探针衬底，并且可以去除该牺牲衬底。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104051613B
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201410095518.8
申请日：2014-03-14
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L43/12 , G11C11/161 , H01L27/228
Abstract: 本发明涉及磁阻型随机存取存储器器件及其制造方法。一种制造磁阻型随机存取存储器(MRAM)器件的方法包括：在衬底上以交替且重复的布置形成第一图案和第二图案；在第一图案和第二图案的顶表面上形成第一帽层；以及去除第一帽层的第一部分和在第二图案下方的部分，以形成暴露衬底的第一开口。该方法还包括形成分别填充第一开口的下部的源极线；形成分别填充第一开口的上部的第二帽层图案；以及去除第一帽层的第二部分和在第二图案下方的部分，以形成暴露衬底的第二开口。从而，在衬底上一体地形成且顺序地叠堆接触塞和焊盘层，以填充第二开口。
-
公开(公告)号：CN104051613A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201410095518.8
申请日：2014-03-14
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L43/12 , G11C11/161 , H01L27/228
Abstract: 本发明涉及磁阻型随机存取存储器器件及其制造方法。一种制造磁阻型随机存取存储器(MRAM)器件的方法包括：在衬底上以交替且重复的布置形成第一图案和第二图案；在第一图案和第二图案的顶表面上形成第一帽层；以及去除第一帽层的第一部分和在第二图案下方的部分，以形成暴露衬底的第一开口。该方法还包括形成分别填充第一开口的下部的源极线；形成分别填充第一开口的上部的第二帽层图案；以及去除第一帽层的第二部分和在第二图案下方的部分，以形成暴露衬底的第二开口。从而，在衬底上一体地形成且顺序地叠堆接触塞和焊盘层，以填充第二开口。
-
公开(公告)号：CN119031721A
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202410054394.2
申请日：2024-01-15
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体装置，包括：数据存储图案，其设置在衬底上，并且在与衬底的顶表面平行的第一方向和第二方向上彼此间隔开；第一单元导电线，其设置在数据存储图案上，在第一方向上延伸，并且在第二方向上彼此间隔开，第一单元导电线中的每一条连接到数据存储图案中的在第一方向上彼此间隔开的相应的数据存储图案；以及单元过孔接触件，其在第一单元导电线之间在第一方向上彼此间隔开。第一单元导电线之间的单元过孔接触件中的每一个可以在第二方向上延伸，并且可以连接到数据存储图案中的在第二方向上彼此间隔开的虚设数据存储图案。
-
公开(公告)号：CN105322089B
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201510459661.5
申请日：2015-07-30
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供了一种制造磁存储器器件的方法和磁存储器器件。所述方法可包括：在衬底上按次序形成第一磁性层、隧道势垒层和第二磁性层；在第二磁性层上形成掩模图案，以暴露出第二磁性层的一部分；在掩模图案的侧壁和第二磁性层的所述部分上形成封盖绝缘层；通过封盖绝缘层将氧离子注入到第二磁性层的所述部分中，以形成氧化物层；各向异性地蚀刻封盖绝缘层，以形成封盖间隔件；以及利用掩模图案和封盖间隔件将氧化物层、隧道势垒层和第一磁性层图案化。
-
公开(公告)号：CN105322089A
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201510459661.5
申请日：2015-07-30
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L43/08 , G11C11/161 , H01L27/222 , H01L27/224 , H01L27/228 , H01L43/02 , H01L43/12
Abstract: 本发明提供了一种制造磁存储器器件的方法和磁存储器器件。所述方法可包括：在衬底上按次序形成第一磁性层、隧道势垒层和第二磁性层；在第二磁性层上形成掩模图案，以暴露出第二磁性层的一部分；在掩模图案的侧壁和第二磁性层的所述部分上形成封盖绝缘层；通过封盖绝缘层将氧离子注入到第二磁性层的所述部分中，以形成氧化物层；各向异性地蚀刻封盖绝缘层，以形成封盖间隔件；以及利用掩模图案和封盖间隔件将氧化物层、隧道势垒层和第一磁性层图案化。
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
8
records
(took 0.016 seconds)
