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公开(公告)号：CN107275357A
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201710196690.6
申请日：2017-03-29
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L45/1233 , H01L27/2409 , H01L27/2427 , H01L27/2463 , H01L27/2481 , H01L45/06 , H01L45/124 , H01L45/126 , H01L45/144 , H01L45/1616 , H01L45/1675 , H01L45/1253 , H01L45/1286 , H01L45/16
Abstract: 本公开涉及可变电阻存储器件和存储结构。一种可变电阻存储器件包括一条或更多条第一导电线的图案、一条或更多条第二导电线的图案和第一与第二导电线之间的存储结构。第一导电线的图案在衬底上在第一方向上展开，第一导电线在交叉第一方向的第二方向上延伸。第二导电线的图案在第一导电线上在第二方向上展开，第二导电线在第一方向上延伸。存储结构垂直地重叠第一导电线和第二导电线。存储结构包括电极结构、在电极结构的中心上表面上的绝缘图案和在电极结构的边缘上表面上的可变电阻图案。可变电阻图案至少部分地覆盖绝缘图案的侧壁。
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公开(公告)号：CN108666417B
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN201810257802.9
申请日：2018-03-27
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种存储器件。该存储器件包括可变电阻层。选择器件层电连接到可变电阻层。选择器件层包括具有根据下面的化学式1的组成的硫族化合物开关材料，[GeASeBTeC](1‑U)[X]U···(1)其中，0.20≤A≤0.40，0.40≤B≤0.70，0.05≤C≤0.25，A+B+C＝1，0.0≤U≤0.20，并且X是从硼(B)、碳(C)、氮(N)、氧(O)、磷(P)或硫(S)中选择的至少一种。
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公开(公告)号：CN105374933B
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201510500987.8
申请日：2015-08-14
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明构思提供磁存储器件及其形成方法。该方法包括：在基板上顺序地形成第一磁性导电层和盖层；图案化盖层和第一磁性导电层以形成第一磁性导电图案和盖图案；在基板上形成暴露盖图案的层间绝缘层；去除盖图案以暴露第一磁性导电图案；在第一磁性导电图案和层间绝缘层上形成隧穿势垒层和第二磁性导电层；以及图案化第二磁性导电层和隧穿势垒层以形成第二磁性导电图案和隧穿势垒图案。
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公开(公告)号：CN109216543A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201810730781.8
申请日：2018-07-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L45/00
CPC classification number: H01L27/2463 , G11C7/18 , G11C8/14 , G11C13/0004 , G11C13/003 , G11C2213/76 , H01L27/2427 , H01L27/2481 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/142 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/148 , H01L45/1675 , H01L45/00
Abstract: 一种半导体器件包括第一存储单元、第二存储单元、第一盖膜和第二盖膜。第一存储单元包括在第一相变存储器上的第一双向阈值开关(OTS)。第二存储单元包括在第二相变存储器上的第二OTS。第一盖膜在第一存储单元和第二存储单元的侧表面上。第二盖膜在第一盖膜上并填充第一存储单元与第二存储单元之间的空间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103579496B
公开(公告)日：2018-04-27
申请号：CN201310308784.X
申请日：2013-07-22
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L43/02 , G11C11/1659 , H01L43/08 , H01L43/12
Abstract: 本发明提供了磁性器件及其制造方法。所述器件包括磁隧道结，磁隧道结含有：下部磁性结构、上部磁性结构、以及插入它们之间的隧道势垒。所述隧道势垒的宽度大于所述下部磁性结构的宽度。
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公开(公告)号：CN107644934B
公开(公告)日：2021-08-10
申请号：CN201710497491.9
申请日：2017-06-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L45/00
Abstract: 一种存储器件包括可变电阻层和电连接到可变电阻层的选择器件层。存储器件还包括减少漏电流并且具有例如根据以下化学式1的成分的硫族化物开关材料，[GeXSiY(AsaTe1‑a)Z](1‑U)[N]U‑‑‑‑‑‑‑‑‑‑‑‑‑‑‑‑‑‑‑‑‑‑‑‑‑‑‑‑‑‑‑(1)其中，0.05≤X≤0.1，0.15≤Y≤0.25，0.7≤Z≤0.8，X+Y+Z＝1，0.45≤a≤0.6并且0.08≤U≤0.2。
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公开(公告)号：CN104700882B
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：CN201410746475.5
申请日：2014-12-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/15
CPC classification number: H01L43/10 , G11C11/161 , H01L43/08
Abstract: 本发明提供了存储器器件及其制造方法。磁存储器器件可以包括基板和在基板上的磁隧道结存储器元件。磁隧道结存储器元件可以包括参考磁层、隧道阻挡层和自由磁层。参考磁层可以包括第一被钉扎层、交换耦合层和第二被钉扎层。交换耦合层可以在第一被钉扎层和第二被钉扎层之间，第二被钉扎层可以包括铁磁层和非磁性层。第二被钉扎层可以在第一被钉扎层和隧道阻挡层之间，隧道阻挡层可以在参考磁层和自由磁层之间。
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公开(公告)号：CN107204351A
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201710167017.X
申请日：2017-03-20
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L45/06 , H01L27/224 , H01L27/2409 , H01L27/2427 , H01L27/2481 , H01L43/02 , H01L43/08 , H01L43/12 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/146 , H01L45/1675 , H01L45/1683 , H01L21/82
Abstract: 本发明公开一种半导体存储器件及制造该半导体存储器件的方法，其中该半导体存储器件包括：第一导电线，其在衬底上在第一方向上延伸；第二导电线，其在第一导电线之上在第二方向上延伸，第一导电线和第二导电线在交叉点处彼此交叉；单元结构，其位于交叉点的每个处，单元结构的每个具有数据存储元件、选择元件和电极元件，选择元件用于将单元选择信号施加于数据存储元件并改变数据存储元件的数据状态，电极元件至少具有一电极，该电极具有一表面，该表面与比选择元件的一表面接触且小于选择元件的该表面；以及绝缘图案，其使第一导电线和第二导电线和单元结构彼此绝缘。
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公开(公告)号：CN107123734A
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：CN201710089322.1
申请日：2017-02-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L45/00
CPC classification number: H01L45/144 , H01L27/2409 , H01L27/2427 , H01L27/2463 , H01L27/2481 , H01L45/04 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/1675 , H01L45/1683 , H01L45/00 , H01L45/122 , H01L45/16
Abstract: 一种可变电阻存储器件包括：选择图案；中间电极，接触选择图案的第一表面；可变电阻图案，相对于选择图案在中间电极的相反侧；以及第一电极，接触选择图案的第二表面并包括n型半导体材料，选择图案的第二表面与其第一表面相反。
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