-
公开(公告)号：CN107204351B
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN201710167017.X
申请日：2017-03-20
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明公开一种半导体存储器件及制造该半导体存储器件的方法，其中该半导体存储器件包括：第一导电线，其在衬底上在第一方向上延伸；第二导电线，其在第一导电线之上在第二方向上延伸，第一导电线和第二导电线在交叉点处彼此交叉；单元结构，其位于交叉点的每个处，单元结构的每个具有数据存储元件、选择元件和电极元件，选择元件用于将单元选择信号施加于数据存储元件并改变数据存储元件的数据状态，电极元件至少具有一电极，该电极具有一表面，该表面与比选择元件的一表面接触且小于选择元件的该表面；以及绝缘图案，其使第一导电线和第二导电线和单元结构彼此绝缘。
-
公开(公告)号：CN107204351A
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201710167017.X
申请日：2017-03-20
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L45/06 , H01L27/224 , H01L27/2409 , H01L27/2427 , H01L27/2481 , H01L43/02 , H01L43/08 , H01L43/12 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/146 , H01L45/1675 , H01L45/1683 , H01L21/82
Abstract: 本发明公开一种半导体存储器件及制造该半导体存储器件的方法，其中该半导体存储器件包括：第一导电线，其在衬底上在第一方向上延伸；第二导电线，其在第一导电线之上在第二方向上延伸，第一导电线和第二导电线在交叉点处彼此交叉；单元结构，其位于交叉点的每个处，单元结构的每个具有数据存储元件、选择元件和电极元件，选择元件用于将单元选择信号施加于数据存储元件并改变数据存储元件的数据状态，电极元件至少具有一电极，该电极具有一表面，该表面与比选择元件的一表面接触且小于选择元件的该表面；以及绝缘图案，其使第一导电线和第二导电线和单元结构彼此绝缘。
-
公开(公告)号：CN109256406B
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN201810768492.7
申请日：2018-07-13
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了各种可变电阻存储器装置和制造可变电阻存储器装置的方法。可变电阻存储器装置可以包括：衬底，其包括单元区域和外围区域；第一导电线，其位于衬底上；第二导电线，其穿过第一导电线；可变电阻结构，其位于第一导电线和第二导电线的交叉点处；以及底电极，其位于第一导电线和可变电阻结构之间。单元区域可以包括与外围区域接触的边界区域，并且第一导电线之一与可变电阻结构中的位于边界区域且与所述第一导电线之一重叠的一个可变电阻结构电绝缘。
-
公开(公告)号：CN109256406A
公开(公告)日：2019-01-22
申请号：CN201810768492.7
申请日：2018-07-13
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L45/1675 , G11C13/0004 , G11C13/0026 , G11C13/0028 , G11C2213/31 , G11C2213/76 , H01L27/2427 , H01L27/2463 , H01L45/04 , H01L45/06 , H01L45/122 , H01L45/1233 , H01L45/1273 , H01L45/141 , H01L45/144 , H01L45/146 , H01L45/147 , H01L45/1683 , H01L45/1691 , H01L45/1253
Abstract: 提供了各种可变电阻存储器装置和制造可变电阻存储器装置的方法。可变电阻存储器装置可以包括：衬底，其包括单元区域和外围区域；第一导电线，其位于衬底上；第二导电线，其穿过第一导电线；可变电阻结构，其位于第一导电线和第二导电线的交叉点处；以及底电极，其位于第一导电线和可变电阻结构之间。单元区域可以包括与外围区域接触的边界区域，并且第一导电线之一与可变电阻结构中的位于边界区域且与所述第一导电线之一重叠的一个可变电阻结构电绝缘。
-
公开(公告)号：CN109768159B
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN201811329735.3
申请日：2018-11-09
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种存储器件包括：第一导电线，沿着第一方向在衬底上延伸；第二导电线，沿着与第一方向交叉的第二方向在第一导电线上延伸；以及存储单元结构，在第一导电线和第二导电线之间的交叉点处并且连接到第一导电线和第二导电线，每个存储单元结构包括第一电极层、第二电极层以及在第一电极层和第二电极层之间的电阻存储层。每个电阻存储层的第一侧壁是倾斜的并具有在远离衬底的方向上减小的水平宽度，并且每个电阻存储层的与第一侧壁相邻的第二侧壁是倾斜的并具有在远离衬底的方向上增大的水平宽度。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110729302A
公开(公告)日：2020-01-24
申请号：CN201910567771.1
申请日：2019-06-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11568 , H01L27/11582
Abstract: 提供了一种可变电阻非易失性存储器装置，其包括：半导体基底；第一导线，均在半导体基底上沿与半导体基体垂直的第一方向延伸，并在第二方向上间隔开。第二导线在第一导线的第一侧上沿与半导体基底平行的第二方向延伸，第三导线在第一导线的与第一侧相对的第二侧上沿第二方向延伸。第一非易失性存储器单元位于第一导线的第一侧上，并结合到第二导线和第一导线，第一非易失性存储器单元包括以第一序列布置的开关元件、可变电阻元件和电极。第二非易失性存储器单元位于第一导线的第二侧上，并结合到第三导线和第一导线，第二非易失性存储器单元包括以第二序列布置的开关元件、可变电阻元件和电极，第一序列和第二序列关于第一导线对称。
-
公开(公告)号：CN109768159A
公开(公告)日：2019-05-17
申请号：CN201811329735.3
申请日：2018-11-09
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/2463 , H01L27/2427 , H01L27/2481 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/144 , H01L45/1683
Abstract: 一种存储器件包括：第一导电线，沿着第一方向在衬底上延伸；第二导电线，沿着与第一方向交叉的第二方向在第一导电线上延伸；以及存储单元结构，在第一导电线和第二导电线之间的交叉点处并且连接到第一导电线和第二导电线，每个存储单元结构包括第一电极层、第二电极层以及在第一电极层和第二电极层之间的电阻存储层。每个电阻存储层的第一侧壁是倾斜的并具有在远离衬底的方向上减小的水平宽度，并且每个电阻存储层的与第一侧壁相邻的第二侧壁是倾斜的并具有在远离衬底的方向上增大的水平宽度。
-
公开(公告)号：CN106252507B
公开(公告)日：2019-07-26
申请号：CN201610388401.8
申请日：2016-06-02
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 殷圣豪
IPC: H01L45/00
CPC classification number: H01L27/2463 , H01L23/528 , H01L27/224 , H01L27/2409 , H01L27/2481 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/1683
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件，其包括：衬底上的第一导线以及第一绝缘图案和第二绝缘图案；在第一导线上彼此间隔开的第一结构；第一结构上的可变电阻图案以及可变电阻图案上的第二电极。第一导线在第一方向上延伸。第一结构包括按次序堆叠的开关图案和第一电极。第一绝缘图案在第二方向上填充第一结构之间的空间，并且第一绝缘图案的第一顶表面高于第一结构的顶表面。第二绝缘图案在第一方向上填充第一结构之间的空间，并且第二绝缘图案的第二顶表面高于第一结构的顶表面。可变电阻图案填充由第一绝缘图案和第二绝缘图案限定的开口。
-
公开(公告)号：CN106252507A
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201610388401.8
申请日：2016-06-02
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 殷圣豪
IPC: H01L45/00
CPC classification number: H01L27/2463 , H01L23/528 , H01L27/224 , H01L27/2409 , H01L27/2481 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/1683 , H01L45/04 , H01L45/1253
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件，其包括：衬底上的第一导线以及第一绝缘图案和第二绝缘图案；在第一导线上彼此间隔开的第一结构；第一结构上的可变电阻图案以及可变电阻图案上的第二电极。第一导线在第一方向上延伸。第一结构包括按次序堆叠的开关图案和第一电极。第一绝缘图案在第二方向上填充第一结构之间的空间，并且第一绝缘图案的第一顶表面高于第一结构的顶表面。第二绝缘图案在第一方向上填充第一结构之间的空间，并且第二绝缘图案的第二顶表面高于第一结构的顶表面。可变电阻图案填充由第一绝缘图案和第二绝缘图案限定的开口。
-
公开(公告)号：CN101826544B
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN201010002115.6
申请日：2010-01-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/24
CPC classification number: H01L45/124 , H01L27/2409 , H01L45/06 , H01L45/141 , H01L45/1691
Abstract: 本发明提供了一种半导体相变存储器件。半导体相变存储器件包括：数据线，设置在半导体基板上；以及数据存储结构，设置在数据线之下并具有在沿数据线的方向上延伸的凹部。数据接触结构构造为接触数据存储结构，并具有填充数据存储结构的凹部的下部以及至少围绕数据线的下部的上部。数据存储结构的每个侧壁设置在与数据接触结构的上部的相应一个侧壁基本相同的平面。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
11
records
(took 0.018 seconds)
