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公开(公告)号：CN111490062A
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN202010040953.6
申请日：2020-01-15
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明构思涉及一种包括数据存储图案的半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：第一导线，在基板上且沿第一方向延伸；第二导线，在第一导线上且沿第二方向延伸；数据存储结构，在第一导线和第二导线之间，其中每个数据存储结构包括下数据存储电极、数据存储图案和上数据存储电极，其中下数据存储电极的上部的宽度小于下数据存储电极的下部的宽度，数据存储图案的上部的宽度大于数据存储图案的下部的宽度，下数据存储电极的上部的宽度不同于数据存储图案的下部的宽度。
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公开(公告)号：CN110867463B
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN201910799037.8
申请日：2019-08-27
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种可变电阻存储器件包括：沿第一方向延伸的字线；字线上沿与第一方向交叉的第二方向延伸的位线；位线和字线之间的开关图案；开关图案和字线之间的相变图案；以及相变图案和字线之间的底部电极，其中相变图案的底面积大于底部电极的顶面积，相变图案的厚度大于底部电极的厚度，并且其中底面积和顶面积沿第一方向和第二方向限定，以及厚度沿与第一方向和第二方向交叉的第三方向限定。
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公开(公告)号：CN108695433B
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN201810287765.6
申请日：2018-03-30
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 朴日穆
Abstract: 公开了一种半导体器件。该半导体器件包括第一字线、第一位线，模制膜和第一存储单元。第一位线与第一字线的方向交叉并且与第一字线隔开。模制膜填充第一字线与第一位线之间的空间。第一存储单元在模制膜中并且在第一字线与第一位线之间。第一存储单元包括在第一字线上的第一下电极、在第一下电极上的第一相变膜、在第一相变膜上的第一中间电极、在第一中间电极上的第一双向阈值开关(OTS)以及在第一OTS和第一位线之间的第一上电极。第一下电极的电阻率在约1至约30mΩ·cm的范围内。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107195656A
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201710154182.1
申请日：2017-03-15
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L45/06 , H01L27/224 , H01L27/2409 , H01L27/2427 , H01L27/2481 , H01L43/02 , H01L43/08 , H01L43/10 , H01L45/1233 , H01L45/1293 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/1675 , H01L27/249 , H01L45/16
Abstract: 公开了一种半导体存储器件及其制造方法。第一导电线在基板上在第一方向上延伸并具有交替地形成在其上的多个突起和凹陷。第二导电线在第二方向上布置在第一导电线之上，使得第一导电线和第二导电线在突起处交叉。多个存储单元结构位于第一导电线的突起上并与第二导电线接触。热绝缘插塞位于第一导电线的凹陷上并减少在第一方向上的一对相邻的单元结构之间的热传递。因此，沿着导电线的相邻的单元结构之间的热串扰被减少。
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公开(公告)号：CN109148508B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN201810152082.X
申请日：2018-02-14
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供了一种存储器件及其制造方法。一种存储器件包括：第一导线；第二导线，所述第二导线沿与所述第一导线相交的方向延伸，使得所述第一导线和所述第二导线在所述第一导线和所述第二导线之间的交叉点处竖直地交叠；以及，存储单元柱，所述存储单元柱位于所述交叉点处。所述存储单元柱可以包括加热电极层和接触所述加热电极层的电阻式存储层。所述电阻式存储层可以包括：楔形存储部和体存储部，所述楔形存储部的宽度随着与所述加热电极层的距离的增加而成比例地连续增加，所述体存储部连接到所述楔形存储部，使得所述体存储部和所述楔形存储部构成单个连续的层，所述体存储部的宽度大于所述楔形存储部的最大宽度。
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公开(公告)号：CN110875354A
公开(公告)日：2020-03-10
申请号：CN201910438378.2
申请日：2019-05-24
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明构思涉及一种具有扩大的接触面积的共用电极相变存储器件，该存储器件包括下部导电线、第一存储单元、第二存储单元和共用下部电极，共用下部电极包括将第一存储单元和第二存储单元中的相应存储单元电连接到下部导电线的第一部分和第二部分。第一绝缘区域设置在第一存储单元与第二存储单元之间。第二绝缘区域设置在第一绝缘区域上。该器件还包括：第一开关单元，在第一存储单元上并包括具有从第二绝缘区域突出的部分的上部电极；以及第二开关单元，在第二存储单元上并包括具有从第二绝缘区域突出的部分的上部电极。第一上部导电线和第二上部导电线接触相应上部电极的突出部分。
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公开(公告)号：CN110867463A
公开(公告)日：2020-03-06
申请号：CN201910799037.8
申请日：2019-08-27
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种可变电阻存储器件包括：沿第一方向延伸的字线；字线上沿与第一方向交叉的第二方向延伸的位线；位线和字线之间的开关图案；开关图案和字线之间的相变图案；以及相变图案和字线之间的底部电极，其中相变图案的底面积大于底部电极的顶面积，相变图案的厚度大于底部电极的厚度，并且其中底面积和顶面积沿第一方向和第二方向限定，以及厚度沿与第一方向和第二方向交叉的第三方向限定。
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