公开(公告)号：CN109256406B

公开(公告)日：2023-06-20

申请号：CN201810768492.7

申请日：2018-07-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金成元 ,  殷圣豪 ,  朴日穆 ,  朴正勋 ,  宋苏智 ,  郑智贤

IPC: H10B63/00 ,  H10N70/00

Abstract: 提供了各种可变电阻存储器装置和制造可变电阻存储器装置的方法。可变电阻存储器装置可以包括：衬底，其包括单元区域和外围区域；第一导电线，其位于衬底上；第二导电线，其穿过第一导电线；可变电阻结构，其位于第一导电线和第二导电线的交叉点处；以及底电极，其位于第一导电线和可变电阻结构之间。单元区域可以包括与外围区域接触的边界区域，并且第一导电线之一与可变电阻结构中的位于边界区域且与所述第一导电线之一重叠的一个可变电阻结构电绝缘。

公开(公告)号：CN109256406A

公开(公告)日：2019-01-22

申请号：CN201810768492.7

申请日：2018-07-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金成元 ,  殷圣豪 ,  朴日穆 ,  朴正勋 ,  宋苏智 ,  郑智贤

IPC: H01L27/24 ,  H01L45/00

CPC classification number: H01L45/1675 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0026 ,  G11C13/0028 ,  G11C2213/31 ,  G11C2213/76 ,  H01L27/2427 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/04 ,  H01L45/06 ,  H01L45/122 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1273 ,  H01L45/141 ,  H01L45/144 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147 ,  H01L45/1683 ,  H01L45/1691 ,  H01L45/1253

Abstract: 提供了各种可变电阻存储器装置和制造可变电阻存储器装置的方法。可变电阻存储器装置可以包括：衬底，其包括单元区域和外围区域；第一导电线，其位于衬底上；第二导电线，其穿过第一导电线；可变电阻结构，其位于第一导电线和第二导电线的交叉点处；以及底电极，其位于第一导电线和可变电阻结构之间。单元区域可以包括与外围区域接触的边界区域，并且第一导电线之一与可变电阻结构中的位于边界区域且与所述第一导电线之一重叠的一个可变电阻结构电绝缘。

公开(公告)号：CN110729302A

公开(公告)日：2020-01-24

申请号：CN201910567771.1

申请日：2019-06-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 殷圣豪 ,  姜大焕 ,  金成元 ,  金英培 ,  元硕载

IPC: H01L27/11568 ,  H01L27/11582

Abstract: 提供了一种可变电阻非易失性存储器装置，其包括：半导体基底；第一导线，均在半导体基底上沿与半导体基体垂直的第一方向延伸，并在第二方向上间隔开。第二导线在第一导线的第一侧上沿与半导体基底平行的第二方向延伸，第三导线在第一导线的与第一侧相对的第二侧上沿第二方向延伸。第一非易失性存储器单元位于第一导线的第一侧上，并结合到第二导线和第一导线，第一非易失性存储器单元包括以第一序列布置的开关元件、可变电阻元件和电极。第二非易失性存储器单元位于第一导线的第二侧上，并结合到第三导线和第一导线，第二非易失性存储器单元包括以第二序列布置的开关元件、可变电阻元件和电极，第一序列和第二序列关于第一导线对称。

公开(公告)号：CN109148508A

公开(公告)日：2019-01-04

申请号：CN201810152082.X

申请日：2018-02-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋苏智 ,  金成元 ,  朴日穆 ,  朴钟撤 ,  郑智贤

IPC: H01L27/24 ,  H01L45/00 ,  H01L27/22 ,  G11C11/16 ,  G11C13/00

CPC classification number: H01L45/126 ,  H01L27/224 ,  H01L27/2427 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1683 ,  H01L27/2481 ,  G11C11/161 ,  G11C13/0002 ,  H01L27/222 ,  H01L45/16

Abstract: 本发明提供了一种存储器件及其制造方法。一种存储器件包括：第一导线；第二导线，所述第二导线沿与所述第一导线相交的方向延伸，使得所述第一导线和所述第二导线在所述第一导线和所述第二导线之间的交叉点处竖直地交叠；以及，存储单元柱，所述存储单元柱位于所述交叉点处。所述存储单元柱可以包括加热电极层和接触所述加热电极层的电阻式存储层。所述电阻式存储层可以包括：楔形存储部和体存储部，所述楔形存储部的宽度随着与所述加热电极层的距离的增加而成比例地连续增加，所述体存储部连接到所述楔形存储部，使得所述体存储部和所述楔形存储部构成单个连续的层，所述体存储部的宽度大于所述楔形存储部的最大宽度。

公开(公告)号：CN116097306A

公开(公告)日：2023-05-09

申请号：CN202180058359.2

申请日：2021-07-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李太熙 ,  金成元 ,  金世暎 ,  李侑贞 ,  李廷桓

IPC: G06T7/593

Abstract: 公开了一种电子装置。电子装置可包括第一图像传感器、第二图像传感器和处理器，其中，处理器可：通过使用第一图像传感器，获取第一深度图像和置信图；通过使用第二图像传感器，获取RGB图像；基于置信图和RGB图像，获取第二深度图像；以及通过基于置信图的像素值合成第一深度图像和第二深度图像，获取第三深度图像。

公开(公告)号：CN109148508B

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN201810152082.X

申请日：2018-02-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋苏智 ,  金成元 ,  朴日穆 ,  朴钟撤 ,  郑智贤

IPC: H10B63/00 ,  H10N70/20 ,  H10B61/00 ,  G11C11/16 ,  G11C13/00

Abstract: 本发明提供了一种存储器件及其制造方法。一种存储器件包括：第一导线；第二导线，所述第二导线沿与所述第一导线相交的方向延伸，使得所述第一导线和所述第二导线在所述第一导线和所述第二导线之间的交叉点处竖直地交叠；以及，存储单元柱，所述存储单元柱位于所述交叉点处。所述存储单元柱可以包括加热电极层和接触所述加热电极层的电阻式存储层。所述电阻式存储层可以包括：楔形存储部和体存储部，所述楔形存储部的宽度随着与所述加热电极层的距离的增加而成比例地连续增加，所述体存储部连接到所述楔形存储部，使得所述体存储部和所述楔形存储部构成单个连续的层，所述体存储部的宽度大于所述楔形存储部的最大宽度。