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公开(公告)号：CN101533849B
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN200910127436.6
申请日：2009-03-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/24 , H01L45/00 , H01L23/528 , H01L23/532 , H01L21/768 , G11C11/56
CPC classification number: H01L27/2409 , H01L27/2463 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/143 , H01L45/144
Abstract: 提供了一种可以高集成度集成的电阻式存储器器件及其形成方法。在实施例中，使用大马士革技术由铜形成位线，并且在形成铜位线时，可以在铜位线周围形成铜接线柱。
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公开(公告)号：CN101325179A
公开(公告)日：2008-12-17
申请号：CN200810093182.6
申请日：2008-04-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/82 , H01L21/768 , H01L27/24 , H01L23/522 , G11C11/56 , G11C16/02
CPC classification number: H01L27/2409 , H01L27/2436 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/1273 , H01L45/141 , H01L45/1683
Abstract: 提供一种具有自对准电极的半导体存储器件的制造方法。在衬底上形成具有接触孔的层间绝缘层。形成部分地填充该接触孔的相变图形。形成包括自对准到相变图形并跨越层间绝缘层的位延伸的位线。该位延伸可以在相变图形上的接触孔中延伸。该位延伸与相变图形接触。
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公开(公告)号：CN1885542A
公开(公告)日：2006-12-27
申请号：CN200610089834.X
申请日：2006-05-24
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/2409 , H01L27/2463 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/1675
Abstract: 提供在其中具有垂直二极管的集成电路器件。该器件包括集成电路衬底和集成电路衬底上的绝缘层。接触孔贯穿绝缘层。垂直二极管在接触孔的下部区域中以及接触孔中的底电极具有在垂直二极管的顶表面上的底表面。底电极与垂直二极管自对准。底电极的顶表面面积小于接触孔的水平截面面积。还提供形成该集成电路器件和相变存储单元的方法。
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公开(公告)号：CN118116890A
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202311569505.5
申请日：2023-11-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/48 , H01L23/522 , H01L23/528
Abstract: 一种半导体装置，包括：半导体衬底；集成电路层，其设置在半导体衬底上；按次序地设置在半导体衬底和集成电路层上的第一金属布线层至第n金属布线层，其中，n是正整数；将第一金属布线层至第n金属布线层彼此连接的多个布线过孔件；以及贯穿件，其在竖直方向上从作为第一金属布线层至第n金属布线层中的任一个的过孔连接焊盘朝向半导体衬底延伸并穿过半导体衬底，其中，过孔连接焊盘是形成在贯穿件的上表面上的盖型过孔连接焊盘。
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公开(公告)号：CN116137264A
公开(公告)日：2023-05-19
申请号：CN202211432855.2
申请日：2022-11-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/538 , H01L25/065
Abstract: 一种三维集成电路结构包括：第一管芯，包括第一电力输送网络、第一基板、第一器件层和第一金属层；在第一管芯上的第二管芯，第二管芯包括第二电力输送网络、第二基板、第二器件层和第二金属层；第一贯通电极，从第一电力输送网络延伸到第一金属层的顶表面；在第一贯通电极上的第一凸块；以及焊盘，第二电力输送网络包括向第二器件层传输电力的下部线，焊盘连接到下部线中的最下面的一条，第一凸块插设在第一贯通电极和焊盘之间并且连接第一贯通电极和焊盘，第一电力输送网络通过第一凸块和第一贯通电极电连接到第二电力输送网络。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116190345A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202211500173.0
申请日：2022-11-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/522 , H01L23/528
Abstract: 提供了一种插入结构和包括其的半导体封装，该插入结构包括：插入基板；在插入基板的上表面上的层间绝缘层；在层间绝缘层内的电容器结构；在垂直方向上穿透层间绝缘层的第一通路，第一通路连接到电容器结构；在层间绝缘层上的绝缘层；在垂直方向上穿透绝缘层的第二通路，第二通路连接到第一通路；以及贯穿通路，在垂直方向上完全穿透插入基板、层间绝缘层和绝缘层中的每个，贯穿通路的上表面与第二通路的上表面共面。
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公开(公告)号：CN116031249A
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202211181515.7
申请日：2022-09-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L25/065 , H01L23/48
Abstract: 公开了一种三维集成电路结构，其包括有源器件管芯和堆叠在有源器件管芯上的无源器件管芯。有源器件管芯包括：第一基板，包括彼此相反的正面和背面；在第一基板的背面上的供电网络；在第一基板的正面上的器件层；在器件层上的第一布线层；以及从供电网络垂直地延伸到第一布线层的贯通接触。无源器件管芯包括：第二基板，包括彼此相反的正面和背面，第二基板的正面面对第一基板的正面；在第二基板的正面上的层间电介质层，层间电介质层包括至少一个孔；在孔中的无源器件；以及在无源器件上的第二布线层，其中第二布线层面对并连接到第一布线层。
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公开(公告)号：CN101826544B
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN201010002115.6
申请日：2010-01-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/24
CPC classification number: H01L45/124 , H01L27/2409 , H01L45/06 , H01L45/141 , H01L45/1691
Abstract: 本发明提供了一种半导体相变存储器件。半导体相变存储器件包括：数据线，设置在半导体基板上；以及数据存储结构，设置在数据线之下并具有在沿数据线的方向上延伸的凹部。数据接触结构构造为接触数据存储结构，并具有填充数据存储结构的凹部的下部以及至少围绕数据线的下部的上部。数据存储结构的每个侧壁设置在与数据接触结构的上部的相应一个侧壁基本相同的平面。
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公开(公告)号：CN101826544A
公开(公告)日：2010-09-08
申请号：CN201010002115.6
申请日：2010-01-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/24
CPC classification number: H01L45/124 , H01L27/2409 , H01L45/06 , H01L45/141 , H01L45/1691
Abstract: 本发明提供了一种半导体相变存储器件。半导体相变存储器件包括：数据线，设置在半导体基板上；以及数据存储结构，设置在数据线之下并具有在沿数据线的方向上延伸的凹部。数据接触结构构造为接触数据存储结构，并具有填充数据存储结构的凹部的下部以及至少围绕数据线的下部的上部。数据存储结构的每个侧壁设置在与数据接触结构的上部的相应一个侧壁基本相同的平面。
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公开(公告)号：CN101533849A
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：CN200910127436.6
申请日：2009-03-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/24 , H01L45/00 , H01L23/528 , H01L23/532 , H01L21/768 , G11C11/56
CPC classification number: H01L27/2409 , H01L27/2463 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/143 , H01L45/144
Abstract: 提供了一种可以高集成度集成的电阻式存储器器件及其形成方法。在实施例中，使用大马士革技术由铜形成位线，并且在形成铜位线时，可以在铜位线周围形成铜接线柱。
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