公开(公告)号：CN116190345A

公开(公告)日：2023-05-30

申请号：CN202211500173.0

申请日：2022-11-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张宇珹 ,  朴媛智 ,  安正勋 ,  吴在熙 ,  金知炯 ,  丁少锋 ,  洪锡俊 ,  黄帝官

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/528

Abstract: 提供了一种插入结构和包括其的半导体封装，该插入结构包括：插入基板；在插入基板的上表面上的层间绝缘层；在层间绝缘层内的电容器结构；在垂直方向上穿透层间绝缘层的第一通路，第一通路连接到电容器结构；在层间绝缘层上的绝缘层；在垂直方向上穿透绝缘层的第二通路，第二通路连接到第一通路；以及贯穿通路，在垂直方向上完全穿透插入基板、层间绝缘层和绝缘层中的每个，贯穿通路的上表面与第二通路的上表面共面。

公开(公告)号：CN116137264A

公开(公告)日：2023-05-19

申请号：CN202211432855.2

申请日：2022-11-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄帝官 ,  金知炯 ,  安正勋 ,  吴在熙 ,  丁少锋 ,  朴媛智 ,  张宇珹 ,  洪踢俊

IPC: H01L23/538 ,  H01L25/065

Abstract: 一种三维集成电路结构包括：第一管芯，包括第一电力输送网络、第一基板、第一器件层和第一金属层；在第一管芯上的第二管芯，第二管芯包括第二电力输送网络、第二基板、第二器件层和第二金属层；第一贯通电极，从第一电力输送网络延伸到第一金属层的顶表面；在第一贯通电极上的第一凸块；以及焊盘，第二电力输送网络包括向第二器件层传输电力的下部线，焊盘连接到下部线中的最下面的一条，第一凸块插设在第一贯通电极和焊盘之间并且连接第一贯通电极和焊盘，第一电力输送网络通过第一凸块和第一贯通电极电连接到第二电力输送网络。