公开(公告)号：CN110060969A

公开(公告)日：2019-07-26

申请号：CN201910049167.X

申请日：2019-01-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申硕浩 ,  具本辉 ,  权慧卿 ,  金成镇 ,  金周东 ,  李在弼 ,  林东源

IPC: H01L23/485 ,  H01L23/488 ,  H01L21/60

Abstract: 一种半导体器件包括：半导体衬底，具有芯片区域和边缘区域；多个连接结构，提供在边缘区域的下绝缘层中并在第一方向上以第一间隔布置；覆盖连接结构的上绝缘层；以及多个再分配焊盘，设置在上绝缘层上并分别连接到连接结构。每个再分配焊盘包括提供在芯片区域上的焊盘部分。当在平面图中观看时，再分配焊盘的焊盘部分在与第一方向相交的第二方向上与连接结构间隔开第一距离。

公开(公告)号：CN101393965B

公开(公告)日：2013-10-02

申请号：CN200810135808.5

申请日：2008-07-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 安亨根 ,  安东浩 ,  林暎洙 ,  河龙湖 ,  张准荣 ,  林东源 ,  李玖瑞 ,  朴俊相 ,  高汉凤 ,  朴瑛琳

IPC: H01L45/00 ,  H01L21/82 ,  H01L21/84 ,  H01L27/24 ,  G11C16/02 ,  G11C11/56

Abstract: 提供用于形成具有底电极的相变存储器件的方法。相变存储器件可以具有在基底上的底部图案。线形状或者L形状的底电极可以被形成为与基底上的相应底部图案接触，并且具有由在基底上的x和y轴方向上的尺度限定的上表面。沿着底电极的上表面的x轴的尺度具有比用于制造相变存储器件的光刻处理的分辨极限小的宽度。相变图案可以被形成为与底电极的上表面接触，以具有比在底电极的上表面的x和y轴方向上的每个尺度更大的宽度，并且上电极可以被形成在所述相变图案上，其中，所述线形状或者L形状表示在x轴方向上的底电极的剖面线形状或者剖面L形状。

公开(公告)号：CN101533849A

公开(公告)日：2009-09-16

申请号：CN200910127436.6

申请日：2009-03-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳庚昶 ,  吴在熙 ,  朴正勋 ,  金亨俊 ,  林东源

IPC: H01L27/24 ,  H01L45/00 ,  H01L23/528 ,  H01L23/532 ,  H01L21/768 ,  G11C11/56

CPC classification number: H01L27/2409 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144

Abstract: 提供了一种可以高集成度集成的电阻式存储器器件及其形成方法。在实施例中，使用大马士革技术由铜形成位线，并且在形成铜位线时，可以在铜位线周围形成铜接线柱。

公开(公告)号：CN101393965A

公开(公告)日：2009-03-25

申请号：CN200810135808.5

申请日：2008-07-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 安亨根 ,  安东浩 ,  林暎洙 ,  河龙湖 ,  张准荣 ,  林东源 ,  李玖瑞 ,  朴俊相 ,  高汉凤 ,  朴瑛琳

IPC: H01L45/00 ,  H01L21/82 ,  H01L21/84 ,  H01L27/24 ,  G11C16/02 ,  G11C11/56

Abstract: 提供用于形成具有底电极的相变存储器件的方法。相变存储器件可以具有在基底上的底部图案。线形状或者L形状的底电极可以被形成为与基底上的相应底部图案接触，并且具有由在基底上的x和y轴方向上的尺度限定的上表面。沿着底电极的上表面的x轴的尺度具有比用于制造相变存储器件的光刻处理的分辨极限小的宽度。相变图案可以被形成为与底电极的上表面接触，以具有比在底电极的上表面的x和y轴方向上的每个尺度更大的宽度，并且上电极可以被形成在所述相变图案上，其中，所述线形状或者L形状表示在x轴方向上的底电极的剖面线形状或者剖面L形状。

公开(公告)号：CN117769248A

公开(公告)日：2024-03-26

申请号：CN202311244101.9

申请日：2023-09-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林东源 ,  白寅硕 ,  安相彬 ,  崔舒景 ,  洪昇勇

IPC: H10B12/00

Abstract: 可以提供一种集成电路器件，该集成电路器件包括在基板上的第一单元块，该第一单元块包括：第一单元区；第一虚设单元区，在平面图中围绕第一单元区，第一虚设单元区包括在第一虚设单元区的外周边中的第一有源区和第二有源区，每个第一有源区具有第一尺寸，每个第二有源区具有大于第一尺寸的第二尺寸；第一字线和第二字线，在第一方向上延伸并在第二方向上彼此交替，每条第一字线包括在第二有源区和第一有源区之间延伸的第一着陆区，第一有源区在第二方向上靠近第二有源区并与其间隔开；以及第一字线接触，在第一着陆区上。

公开(公告)号：CN110060969B

公开(公告)日：2021-07-27

申请号：CN201910049167.X

申请日：2019-01-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申硕浩 ,  具本辉 ,  权慧卿 ,  金成镇 ,  金周东 ,  李在弼 ,  林东源

IPC: H01L23/485 ,  H01L23/488 ,  H01L21/60

Abstract: 一种半导体器件包括：半导体衬底，具有芯片区域和边缘区域；多个连接结构，提供在边缘区域的下绝缘层中并在第一方向上以第一间隔布置；覆盖连接结构的上绝缘层；以及多个再分配焊盘，设置在上绝缘层上并分别连接到连接结构。每个再分配焊盘包括提供在芯片区域上的焊盘部分。当在平面图中观看时，再分配焊盘的焊盘部分在与第一方向相交的第二方向上与连接结构间隔开第一距离。

公开(公告)号：CN101533849B

公开(公告)日：2013-04-17

申请号：CN200910127436.6

申请日：2009-03-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳庚昶 ,  吴在熙 ,  朴正勋 ,  金亨俊 ,  林东源

IPC: H01L27/24 ,  H01L45/00 ,  H01L23/528 ,  H01L23/532 ,  H01L21/768 ,  G11C11/56

CPC classification number: H01L27/2409 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144

Abstract: 提供了一种可以高集成度集成的电阻式存储器器件及其形成方法。在实施例中，使用大马士革技术由铜形成位线，并且在形成铜位线时，可以在铜位线周围形成铜接线柱。

公开(公告)号：CN101533892A

公开(公告)日：2009-09-16

申请号：CN200910127435.1

申请日：2009-03-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳庚昶 ,  郑弘植 ,  郑基泰 ,  金亨俊 ,  林东源

IPC: H01L45/00 ,  G11C11/56

CPC classification number: H01L45/1675 ,  G11C11/5664 ,  G11C11/5678 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0014 ,  G11C13/0016 ,  G11C2213/72 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1683

Abstract: 提供了一种电阻式存储器器件以及形成该电阻式存储器器件的方法，可以用高集成度集成该电阻式存储器器件。包围电阻式存储器元件的绝缘层和包围与该电阻式存储器元件连接的导线的绝缘层具有不同的应力、硬度、孔隙度、介电常数或导热率。