公开(公告)号：CN110838478A

公开(公告)日：2020-02-25

申请号：CN201910721140.0

申请日：2019-08-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 韩正勋 ,  金硕焕 ,  金周东 ,  卢晙镛 ,  徐在源

IPC: H01L23/544 ,  H01L21/66

Abstract: 一种半导体器件包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括芯片区域和围绕所述芯片区域的边缘区域；下介电层和上介电层，所述下介电层和所述上介电层位于所述半导体衬底上；再分布芯片焊盘，所述再分布芯片焊盘穿透所述芯片区域中的所述上介电层并连接到芯片焊盘；工艺监测结构，所述工艺监测结构位于所述边缘区域中；以及虚设元件，所述虚设元件位于所述边缘区域中并且具有比所述上介电层的上表面低的上表面。

公开(公告)号：CN110060969B

公开(公告)日：2021-07-27

申请号：CN201910049167.X

申请日：2019-01-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申硕浩 ,  具本辉 ,  权慧卿 ,  金成镇 ,  金周东 ,  李在弼 ,  林东源

IPC: H01L23/485 ,  H01L23/488 ,  H01L21/60

Abstract: 一种半导体器件包括：半导体衬底，具有芯片区域和边缘区域；多个连接结构，提供在边缘区域的下绝缘层中并在第一方向上以第一间隔布置；覆盖连接结构的上绝缘层；以及多个再分配焊盘，设置在上绝缘层上并分别连接到连接结构。每个再分配焊盘包括提供在芯片区域上的焊盘部分。当在平面图中观看时，再分配焊盘的焊盘部分在与第一方向相交的第二方向上与连接结构间隔开第一距离。

公开(公告)号：CN110838478B

公开(公告)日：2024-06-28

申请号：CN201910721140.0

申请日：2019-08-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 韩正勋 ,  金硕焕 ,  金周东 ,  卢晙镛 ,  徐在源

IPC: H01L23/544 ,  H01L21/66

Abstract: 一种半导体器件包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括芯片区域和围绕所述芯片区域的边缘区域；下介电层和上介电层，所述下介电层和所述上介电层位于所述半导体衬底上；再分布芯片焊盘，所述再分布芯片焊盘穿透所述芯片区域中的所述上介电层并连接到芯片焊盘；工艺监测结构，所述工艺监测结构位于所述边缘区域中；以及虚设元件，所述虚设元件位于所述边缘区域中并且具有比所述上介电层的上表面低的上表面。

公开(公告)号：CN110060969A

公开(公告)日：2019-07-26

申请号：CN201910049167.X

申请日：2019-01-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申硕浩 ,  具本辉 ,  权慧卿 ,  金成镇 ,  金周东 ,  李在弼 ,  林东源

IPC: H01L23/485 ,  H01L23/488 ,  H01L21/60

Abstract: 一种半导体器件包括：半导体衬底，具有芯片区域和边缘区域；多个连接结构，提供在边缘区域的下绝缘层中并在第一方向上以第一间隔布置；覆盖连接结构的上绝缘层；以及多个再分配焊盘，设置在上绝缘层上并分别连接到连接结构。每个再分配焊盘包括提供在芯片区域上的焊盘部分。当在平面图中观看时，再分配焊盘的焊盘部分在与第一方向相交的第二方向上与连接结构间隔开第一距离。