公开(公告)号：CN110838478B

公开(公告)日：2024-06-28

申请号：CN201910721140.0

申请日：2019-08-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 韩正勋 ,  金硕焕 ,  金周东 ,  卢晙镛 ,  徐在源

IPC: H01L23/544 ,  H01L21/66

Abstract: 一种半导体器件包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括芯片区域和围绕所述芯片区域的边缘区域；下介电层和上介电层，所述下介电层和所述上介电层位于所述半导体衬底上；再分布芯片焊盘，所述再分布芯片焊盘穿透所述芯片区域中的所述上介电层并连接到芯片焊盘；工艺监测结构，所述工艺监测结构位于所述边缘区域中；以及虚设元件，所述虚设元件位于所述边缘区域中并且具有比所述上介电层的上表面低的上表面。

公开(公告)号：CN110838478A

公开(公告)日：2020-02-25

申请号：CN201910721140.0

申请日：2019-08-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 韩正勋 ,  金硕焕 ,  金周东 ,  卢晙镛 ,  徐在源

IPC: H01L23/544 ,  H01L21/66

Abstract: 一种半导体器件包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括芯片区域和围绕所述芯片区域的边缘区域；下介电层和上介电层，所述下介电层和所述上介电层位于所述半导体衬底上；再分布芯片焊盘，所述再分布芯片焊盘穿透所述芯片区域中的所述上介电层并连接到芯片焊盘；工艺监测结构，所述工艺监测结构位于所述边缘区域中；以及虚设元件，所述虚设元件位于所述边缘区域中并且具有比所述上介电层的上表面低的上表面。

公开(公告)号：CN107689348A

公开(公告)日：2018-02-13

申请号：CN201710607147.0

申请日：2017-07-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张贤禹 ,  朴正焕 ,  R.卡帕甘图 ,  金成镇 ,  卢晙镛 ,  韩正勋 ,  金承洙 ,  金成珍 ,  李昭定

IPC: H01L23/00

CPC classification number: H01L23/562 ,  H01L23/585 ,  H01L2924/3512

Abstract: 一种半导体器件包括衬底、第一绝缘层、数据存储元件、接触插塞和第一虚设坝。第一绝缘层在衬底上并包括焊盘区和与焊盘区相邻的外围区。数据存储元件在第一绝缘层的焊盘区上。接触插塞穿透外围区上的第一绝缘层。第一虚设坝穿透第一绝缘层并设置在数据存储元件与接触插塞之间。

公开(公告)号：CN107689348B

公开(公告)日：2022-12-27

申请号：CN201710607147.0

申请日：2017-07-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张贤禹 ,  朴正焕 ,  R.卡帕甘图 ,  金成镇 ,  卢晙镛 ,  韩正勋 ,  金承洙 ,  金成珍 ,  李昭定

IPC: H01L23/00

Abstract: 一种半导体器件包括衬底、第一绝缘层、数据存储元件、接触插塞和第一虚设坝。第一绝缘层在衬底上并包括焊盘区和与焊盘区相邻的外围区。数据存储元件在第一绝缘层的焊盘区上。接触插塞穿透外围区上的第一绝缘层。第一虚设坝穿透第一绝缘层并设置在数据存储元件与接触插塞之间。

公开(公告)号：CN112420644A

公开(公告)日：2021-02-26

申请号：CN202010316950.0

申请日：2020-04-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李瑌真 ,  卢晙镛 ,  崔慜贞 ,  韩正勋 ,  赵允来

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/768

Abstract: 提供了一种半导体芯片，该半导体芯片包括：器件层，位于基底上，器件层包括多个半导体器件；布线结构和下布线间介电层，均位于器件层上，下布线间介电层围绕布线结构并且具有比氧化硅的介电常数低的介电常数；上布线间介电层，布置在下布线间介电层上；隔离凹陷，沿着基底的边缘布置，隔离凹陷形成在下布线间介电层和上布线间介电层的侧表面上，并且具有处于等于或低于下布线间介电层的底表面的水平的水平的底表面；以及覆盖介电层，覆盖下布线间介电层和上布线间介电层的侧表面以及隔离凹陷的底表面。

公开(公告)号：CN109755214A

公开(公告)日：2019-05-14

申请号：CN201810832739.7

申请日：2018-07-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 韩正勋 ,  金成珍 ,  卢晙镛 ,  林宪俊

IPC: H01L23/498

Abstract: 一种半导体器件包括：具有芯片区域和边缘区域的半导体基板；在半导体基板上的下电介质层；在芯片区域的下电介质层上的芯片焊盘；在下电介质层上的上电介质层，上电介质层包括暴露芯片区域上的芯片焊盘的第一开口和暴露边缘区域上的下电介质层的第二开口；以及连接到芯片焊盘的再分布焊盘。再分布焊盘包括在第一开口中的通路部分和从通路部分延伸到上电介质层上的焊盘部分。

公开(公告)号：CN109755214B

公开(公告)日：2023-11-21

申请号：CN201810832739.7

申请日：2018-07-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 韩正勋 ,  金成珍 ,  卢晙镛 ,  林宪俊

IPC: H01L23/498

公开(公告)号：CN112951804A

公开(公告)日：2021-06-11

申请号：CN202010751146.5

申请日：2020-07-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔慜贞 ,  卢晙镛 ,  李瑌真 ,  韩正勋

IPC: H01L23/544 ,  H01L21/66

Abstract: 公开了一种半导体装置及其制造方法。所述半导体装置包括：基底，包括第一部分和第二部分；存储器单元，设置在第一部分上；绝缘层，设置在第一部分和第二部分上，绝缘层覆盖存储器单元，绝缘层的位于第二部分上的部分包括台阶侧壁；以及第一图案组，设置在第二部分上并且设置在绝缘层的所述部分和基底中。半导体装置的第一侧壁对应于台阶侧壁，台阶侧壁包括上侧壁、下侧壁和将上侧壁连接到下侧壁的连接表面。设置在上侧壁下的下侧壁比上侧壁靠近基底，并且具有与上侧壁的表面粗糙度不同的表面粗糙度。