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公开(公告)号：CN110838478B
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN201910721140.0
申请日：2019-08-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/544 , H01L21/66
Abstract: 一种半导体器件包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括芯片区域和围绕所述芯片区域的边缘区域；下介电层和上介电层，所述下介电层和所述上介电层位于所述半导体衬底上；再分布芯片焊盘，所述再分布芯片焊盘穿透所述芯片区域中的所述上介电层并连接到芯片焊盘；工艺监测结构，所述工艺监测结构位于所述边缘区域中；以及虚设元件，所述虚设元件位于所述边缘区域中并且具有比所述上介电层的上表面低的上表面。
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公开(公告)号：CN110911372B
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN201910874908.8
申请日：2019-09-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/485
Abstract: 一种半导体装置，包括：半导体衬底，其包括芯片区域和芯片区域周围的边缘区域；半导体衬底上的下绝缘层；芯片区域上的下绝缘层上的芯片焊盘；设置在下绝缘层上以覆盖芯片焊盘的上绝缘层，上绝缘层和所述下绝缘层包括不同的材料；以及，在芯片区域上并连接到芯片焊盘的再分布芯片焊盘。上绝缘层包括在芯片区域上具有第一厚度的第一部分，在边缘区域上具有第二厚度的第二部分，以及在边缘区域上的第三部分，第三部分从第二部分延伸、与第一部分间隔开，并且具有远离第二部分而减小的厚度。第二厚度小于第一厚度。
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公开(公告)号：CN110911372A
公开(公告)日：2020-03-24
申请号：CN201910874908.8
申请日：2019-09-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/485
Abstract: 一种半导体装置，包括：半导体衬底，其包括芯片区域和芯片区域周围的边缘区域；半导体衬底上的下绝缘层；芯片区域上的下绝缘层上的芯片焊盘；设置在下绝缘层上以覆盖芯片焊盘的上绝缘层，上绝缘层和所述下绝缘层包括不同的材料；以及，在芯片区域上并连接到芯片焊盘的再分布芯片焊盘。上绝缘层包括在芯片区域上具有第一厚度的第一部分，在边缘区域上具有第二厚度的第二部分，以及在边缘区域上的第三部分，第三部分从第二部分延伸、与第一部分间隔开，并且具有远离第二部分而减小的厚度。第二厚度小于第一厚度。
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公开(公告)号：CN110838478A
公开(公告)日：2020-02-25
申请号：CN201910721140.0
申请日：2019-08-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/544 , H01L21/66
Abstract: 一种半导体器件包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括芯片区域和围绕所述芯片区域的边缘区域；下介电层和上介电层，所述下介电层和所述上介电层位于所述半导体衬底上；再分布芯片焊盘，所述再分布芯片焊盘穿透所述芯片区域中的所述上介电层并连接到芯片焊盘；工艺监测结构，所述工艺监测结构位于所述边缘区域中；以及虚设元件，所述虚设元件位于所述边缘区域中并且具有比所述上介电层的上表面低的上表面。
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