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公开(公告)号：CN101393965A
公开(公告)日：2009-03-25
申请号：CN200810135808.5
申请日：2008-07-14
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供用于形成具有底电极的相变存储器件的方法。相变存储器件可以具有在基底上的底部图案。线形状或者L形状的底电极可以被形成为与基底上的相应底部图案接触，并且具有由在基底上的x和y轴方向上的尺度限定的上表面。沿着底电极的上表面的x轴的尺度具有比用于制造相变存储器件的光刻处理的分辨极限小的宽度。相变图案可以被形成为与底电极的上表面接触，以具有比在底电极的上表面的x和y轴方向上的每个尺度更大的宽度，并且上电极可以被形成在所述相变图案上，其中，所述线形状或者L形状表示在x轴方向上的底电极的剖面线形状或者剖面L形状。
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公开(公告)号：CN101794735A
公开(公告)日：2010-08-04
申请号：CN200910259030.3
申请日：2009-12-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/8229 , H01L21/8239 , H01L21/768 , H01L27/24 , H01L23/528
CPC classification number: H01L21/76816 , H01L27/24
Abstract: 本发明提供了形成接触结构的方法以及使用该接触结构制造的半导体器件。接触结构的形成可以包括在衬底上形成第一成型图案，形成绝缘层以至少覆盖第一成型图案的侧壁，形成第二成型图案以覆盖绝缘层的侧壁并且与第一成型图案隔开，移除第一和第二成型图案之间的绝缘层的部分以形成孔，以及在第一和第二成型图案之间形成绝缘图案，以及在孔中形成接触图案。
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公开(公告)号：CN101794735B
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN200910259030.3
申请日：2009-12-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/8229 , H01L21/8239 , H01L21/768 , H01L27/24 , H01L23/528
CPC classification number: H01L21/76816 , H01L27/24
Abstract: 本发明提供了形成接触结构的方法以及使用该接触结构制造的半导体器件。接触结构的形成可以包括在衬底上形成第一成型图案，形成绝缘层以至少覆盖第一成型图案的侧壁，形成第二成型图案以覆盖绝缘层的侧壁并且与第一成型图案隔开，移除第一和第二成型图案之间的绝缘层的部分以形成孔，以及在第一和第二成型图案之间形成绝缘图案，以及在孔中形成接触图案。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1059042A
公开(公告)日：1992-02-26
申请号：CN91104744.1
申请日：1991-06-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06G7/12
CPC classification number: G06F7/726 , G06F2207/7209 , G11B20/1833 , H03M13/033 , H03M13/151
Abstract: 本发明涉及采用子域GF(2m/2)对GF(2m)进行计算的方法和装置。该计算装置包括：将由GF(2m)基表示的元素转换成由GF(22m/2)基表示的元素的转换装置；根据由GF(22m/2)基表示的元素，对GF(2m/2)进行计算的运算装置；以及再将上述计算出的由GF(2m/2)基表示的元素复原成为由GF(2m)基表示的元素的复原装置；由此，实现高速运算并使电路结构得到简化。
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公开(公告)号：CN101393965B
公开(公告)日：2013-10-02
申请号：CN200810135808.5
申请日：2008-07-14
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供用于形成具有底电极的相变存储器件的方法。相变存储器件可以具有在基底上的底部图案。线形状或者L形状的底电极可以被形成为与基底上的相应底部图案接触，并且具有由在基底上的x和y轴方向上的尺度限定的上表面。沿着底电极的上表面的x轴的尺度具有比用于制造相变存储器件的光刻处理的分辨极限小的宽度。相变图案可以被形成为与底电极的上表面接触，以具有比在底电极的上表面的x和y轴方向上的每个尺度更大的宽度，并且上电极可以被形成在所述相变图案上，其中，所述线形状或者L形状表示在x轴方向上的底电极的剖面线形状或者剖面L形状。
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公开(公告)号：CN101221970B
公开(公告)日：2012-10-24
申请号：CN200710160199.4
申请日：2007-12-26
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L45/144 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , H01L27/2409 , H01L27/2436 , H01L27/2472 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/1675
Abstract: 本发明公开一种具有在相邻单元之间共用的相变材料图案的相变存储器件和包括该相变存储器的电子产品。提供一种包括相变材料图案的相变存储器件，其中相变材料图案的条带被邻近的单元共用。该相变存储器件包括多个以矩阵排列的底电极。该相变材料图案形成在底电极上，并且相变材料图案的条带电连接到底电极。相变材料图案的每个条带连接到底电极中的至少两个对角邻近的底电极。
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公开(公告)号：CN101221970A
公开(公告)日：2008-07-16
申请号：CN200710160199.4
申请日：2007-12-26
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L45/144 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , H01L27/2409 , H01L27/2436 , H01L27/2472 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/1675
Abstract: 本发明公开一种具有在相邻单元之间共用的相变材料图案的相变存储器件和包括该相变存储器的电子产品。提供一种包括相变材料图案的相变存储器件，其中相变材料图案的条带被邻近的单元共用。该相变存储器件包括多个以矩阵排列的底电极。该相变材料图案形成在底电极上，并且相变材料图案的条带电连接到底电极。相变材料图案的每个条带连接到底电极中的至少两个对角邻近的底电极。
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公开(公告)号：CN1042270C
公开(公告)日：1999-02-24
申请号：CN91104744.1
申请日：1991-06-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06G7/12
CPC classification number: G06F7/726 , G06F2207/7209 , G11B20/1833 , H03M13/033 , H03M13/151
Abstract: 本发明涉及采用子域GF(2m/2)对GF(2m)进行计算的方法和装置。该计算装置包括：将由GF(2m)基表示的元素转换成由GF(2m/2)基表示的元素的转换装置；根据由GF(2m/2)基表示的元素，对GF(2m/2)进行计算的运算装置；以及再将上述计算出的由GF(2m/2)基表示的元素复原成为由GF(2m)基表示的元素的复原装置；由此，实现高速运算并使电路结构得到简化。
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