公开(公告)号：CN1755832A

公开(公告)日：2006-04-05

申请号：CN200510091181.4

申请日：2005-08-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李将银 ,  吴世忠 ,  裴晙洙 ,  金炫助 ,  河永奇 ,  南坰兑

IPC: G11C11/15 ,  H01L43/00

CPC classification number: H01L27/228 ,  B82Y10/00 ,  G11C11/161

Abstract: 一种磁随机存取存储器件，可以包括半导体衬底、磁隧道结(MTJ)结构、接触栓塞和数字线。更具体，MTJ结构可以在半导体衬底上，以及数字线可以邻近磁隧道结结构。此外，接触栓塞可以在磁隧道结结构和半导体衬底之间提供电连接，接触栓塞设置在磁隧道结结构和半导体衬底之间。也论述了相关的方法。

公开(公告)号：CN101221970B

公开(公告)日：2012-10-24

申请号：CN200710160199.4

申请日：2007-12-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 安亨根 ,  堀井秀树 ,  辛宗璨 ,  安东浩 ,  裴晙洙

IPC: H01L27/24 ,  G11C11/56

CPC classification number: H01L45/144 ,  G11C11/5678 ,  G11C13/0004 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/2472 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1675

Abstract: 本发明公开一种具有在相邻单元之间共用的相变材料图案的相变存储器件和包括该相变存储器的电子产品。提供一种包括相变材料图案的相变存储器件，其中相变材料图案的条带被邻近的单元共用。该相变存储器件包括多个以矩阵排列的底电极。该相变材料图案形成在底电极上，并且相变材料图案的条带电连接到底电极。相变材料图案的每个条带连接到底电极中的至少两个对角邻近的底电极。

公开(公告)号：CN101221970A

公开(公告)日：2008-07-16

申请号：CN200710160199.4

申请日：2007-12-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 安亨根 ,  堀井秀树 ,  辛宗璨 ,  安东浩 ,  裴晙洙

IPC: H01L27/24 ,  G11C11/56

CPC classification number: H01L45/144 ,  G11C11/5678 ,  G11C13/0004 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/2472 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1675

Abstract: 本发明公开一种具有在相邻单元之间共用的相变材料图案的相变存储器件和包括该相变存储器的电子产品。提供一种包括相变材料图案的相变存储器件，其中相变材料图案的条带被邻近的单元共用。该相变存储器件包括多个以矩阵排列的底电极。该相变材料图案形成在底电极上，并且相变材料图案的条带电连接到底电极。相变材料图案的每个条带连接到底电极中的至少两个对角邻近的底电极。