公开(公告)号：CN1755832A

公开(公告)日：2006-04-05

申请号：CN200510091181.4

申请日：2005-08-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李将银 ,  吴世忠 ,  裴晙洙 ,  金炫助 ,  河永奇 ,  南坰兑

IPC: G11C11/15 ,  H01L43/00

CPC classification number: H01L27/228 ,  B82Y10/00 ,  G11C11/161

Abstract: 一种磁随机存取存储器件，可以包括半导体衬底、磁隧道结(MTJ)结构、接触栓塞和数字线。更具体，MTJ结构可以在半导体衬底上，以及数字线可以邻近磁隧道结结构。此外，接触栓塞可以在磁隧道结结构和半导体衬底之间提供电连接，接触栓塞设置在磁隧道结结构和半导体衬底之间。也论述了相关的方法。

公开(公告)号：CN1734662A

公开(公告)日：2006-02-15

申请号：CN200510081709.X

申请日：2005-04-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 河永奇 ,  李将银 ,  吴世忠 ,  裵晙洙 ,  金炫助 ,  南坰兑

IPC: G11C11/15 ,  H01L43/00 ,  H01L27/22

CPC classification number: G11C11/16 ,  B82Y10/00 ,  H01L27/228 ,  H01L43/08

Abstract: 本发明提供两端具有弯曲的凸出体的磁性隧道结结构、采用该结构的磁性RAM单元及其形成中使用的光掩模。该磁性隧道结结构包括堆叠在集成电路衬底上的被钉扎层图形、隧穿绝缘层图形和自由层图形。至少自由层图形包含主体以及俯视时分别从主体两端凸出的第一和第二弯曲凸出体。

公开(公告)号：CN1734662B

公开(公告)日：2010-06-09

申请号：CN200510081709.X

申请日：2005-04-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 河永奇 ,  李将银 ,  吴世忠 ,  裵晙洙 ,  金炫助 ,  南坰兑

IPC: G11C11/15 ,  H01L43/00 ,  H01L27/22

CPC classification number: G11C11/16 ,  B82Y10/00 ,  H01L27/228 ,  H01L43/08

Abstract: 本发明提供两端具有弯曲的凸出体的磁性隧道结结构、采用该结构的磁性RAM单元及其形成中使用的光掩模。该磁性隧道结结构包括堆叠在集成电路衬底上的被钉扎层图形、隧穿绝缘层图形和自由层图形。至少自由层图形包含主体以及俯视时分别从主体两端凸出的第一和第二弯曲凸出体。