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公开(公告)号：CN103515531B
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：CN201310170721.2
申请日：2013-05-10
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 吴圭焕
CPC classification number: H01L45/1233 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C13/0069 , H01L27/2409 , H01L27/2463 , H01L45/04 , H01L45/06 , H01L45/126 , H01L45/1273 , H01L45/141 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/1683
Abstract: 本发明提供了包括多水平单元的非易失性存储装置及其编程方法。该装置包括第一导电图案和第二导电图案。另外，该装置包括在第一导电图案与第二导电图案之间的电极结构和数据存储图案。数据存储图案可包括相变材料，数据存储图案的第一部分的第一垂直厚度可以小于数据存储图案的第二部分的第二垂直厚度。电极结构可包括第一电极和第二电极，第一电极的垂直厚度可以大于第二电极的垂直厚度。
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公开(公告)号：CN109659430B
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN201811092261.5
申请日：2018-09-19
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种包括数据存储图案的半导体装置，所述半导体装置包括：基体绝缘层，位于基底上；第一导电线，在基体绝缘层上沿第一方向延伸；数据存储结构，位于第一导电线上；选择器结构，位于数据存储结构上，每个选择器结构包括下选择器电极、选择器和上选择器电极；绝缘层，位于选择器结构之间的空间中；以及第二导电线，设置在选择器结构和绝缘层上，并且在与第一方向相交的第二方向上延伸。绝缘层的上表面高于上选择器电极的上表面。
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公开(公告)号：CN113948545A
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN202110788671.9
申请日：2021-07-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/24
Abstract: 公开了一种半导体存储器装置。所述半导体存储器装置包括：基底；第一导线，位于基底上并沿平行于基底的上表面的第一方向延伸；第二导线，沿与第一方向相交的第二方向延伸；存储器单元，位于第一导线与第二导线之间，并且包括顺序地堆叠在第一导线上的下电极图案、数据存储元件、中间电极图案、开关元件和上电极图案；以及侧壁间隔件，位于存储器单元的侧表面上，其中，存储器单元的侧表面包括在开关元件的侧表面处的第一凹入部分，并且侧壁间隔件包括位于上电极图案的侧表面上的第一部分以及位于第一凹入部分上的第二部分，第二部分比第一部分厚。
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公开(公告)号：CN107275358A
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201710570965.8
申请日：2013-05-10
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 吴圭焕
Abstract: 本发明提供了包括多水平单元的非易失性存储装置及其编程方法。该装置包括第一导电图案和第二导电图案。另外，该装置包括在第一导电图案与第二导电图案之间的电极结构和数据存储图案。数据存储图案可包括相变材料，数据存储图案的第一部分的第一垂直厚度可以小于数据存储图案的第二部分的第二垂直厚度。电极结构可包括第一电极和第二电极，第一电极的垂直厚度可以大于第二电极的垂直厚度。
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公开(公告)号：CN103515531A
公开(公告)日：2014-01-15
申请号：CN201310170721.2
申请日：2013-05-10
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 吴圭焕
CPC classification number: H01L45/1233 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C13/0069 , H01L27/2409 , H01L27/2463 , H01L45/04 , H01L45/06 , H01L45/126 , H01L45/1273 , H01L45/141 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/1683
Abstract: 本发明提供了包括多水平单元的非易失性存储装置及其编程方法。该装置包括第一导电图案和第二导电图案。另外，该装置包括在第一导电图案与第二导电图案之间的电极结构和数据存储图案。数据存储图案可包括相变材料，数据存储图案的第一部分的第一垂直厚度可以小于数据存储图案的第二部分的第二垂直厚度。电极结构可包括第一电极和第二电极，第一电极的垂直厚度可以大于第二电极的垂直厚度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101794735A
公开(公告)日：2010-08-04
申请号：CN200910259030.3
申请日：2009-12-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/8229 , H01L21/8239 , H01L21/768 , H01L27/24 , H01L23/528
CPC classification number: H01L21/76816 , H01L27/24
Abstract: 本发明提供了形成接触结构的方法以及使用该接触结构制造的半导体器件。接触结构的形成可以包括在衬底上形成第一成型图案，形成绝缘层以至少覆盖第一成型图案的侧壁，形成第二成型图案以覆盖绝缘层的侧壁并且与第一成型图案隔开，移除第一和第二成型图案之间的绝缘层的部分以形成孔，以及在第一和第二成型图案之间形成绝缘图案，以及在孔中形成接触图案。
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公开(公告)号：CN109216402B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN201810637195.9
申请日：2018-06-20
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了可变电阻存储器件。一种可变电阻存储器件包括导电线、以及在导电线中的一个上包含可变电阻元件的存储单元。可变电阻存储器件包括在导电线之间的第一绝缘区。此外，可变电阻存储器件包括在导电线之间在第一绝缘区上的第二绝缘区。还提供了形成可变电阻存储器件的方法。
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公开(公告)号：CN101794735B
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN200910259030.3
申请日：2009-12-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/8229 , H01L21/8239 , H01L21/768 , H01L27/24 , H01L23/528
CPC classification number: H01L21/76816 , H01L27/24
Abstract: 本发明提供了形成接触结构的方法以及使用该接触结构制造的半导体器件。接触结构的形成可以包括在衬底上形成第一成型图案，形成绝缘层以至少覆盖第一成型图案的侧壁，形成第二成型图案以覆盖绝缘层的侧壁并且与第一成型图案隔开，移除第一和第二成型图案之间的绝缘层的部分以形成孔，以及在第一和第二成型图案之间形成绝缘图案，以及在孔中形成接触图案。
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公开(公告)号：CN102104111A
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：CN201010562707.3
申请日：2010-11-25
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L45/1233 , H01L45/06 , H01L45/126 , H01L45/144 , H01L45/16
Abstract: 本发明提供一种形成可变电阻存储器件的电极的方法和使用该方法的可变电阻半导体存储器件。该方法包括：形成加热电极；在该加热电极上形成可变电阻材料层；以及在该可变电阻材料层上形成顶电极，其中该加热电极包括金属的氮化物，所述金属的原子半径大于钛的原子半径，且所述加热电极通过热化学气相沉积方法形成而没有使用等离子体。
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公开(公告)号：CN101271961A
公开(公告)日：2008-09-24
申请号：CN200810083078.9
申请日：2008-03-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L45/00
CPC classification number: C23C14/3414 , C23C14/0623 , G11B7/2433 , G11B7/252 , G11B2007/24312 , G11B2007/24314 , G11B2007/24316 , H01L27/2436 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/1625 , H01L45/1675
Abstract: 本发明提供了形成相变材料层的方法，所述方法包括：在一温度下提供衬底和硫族化物目标，所述硫族化物目标包括锗(Ge)、锑(Sb)和碲(Te)，在所述温度，碲挥发，而锑不挥发；以及，执行溅射处理以在所述衬底上形成包括硫族化物材料的所述相变材料层。还提供了使用所述相变材料层来制造相变存储器的方法。
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