公开(公告)号：CN112310280A

公开(公告)日：2021-02-02

申请号：CN202010399732.8

申请日：2020-05-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 白晙焕 ,  朴勇振 ,  梁辰旭 ,  吴圭焕 ,  郑智允

IPC: H01L45/00

Abstract: 提供了一种可变电阻存储器装置，所述可变电阻存储器装置包括：第一导线结构，在基底上具有位于其中的绝热线；可变电阻图案，接触第一导线结构的上表面；低电阻图案，接触可变电阻图案的上表面；选择结构，位于低电阻图案上；以及第二导线，位于选择结构上。

公开(公告)号：CN110880549A

公开(公告)日：2020-03-13

申请号：CN201910782748.4

申请日：2019-08-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴勇振 ,  白晙焕 ,  成东俊 ,  吴圭焕 ,  郑炯钟

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24

Abstract: 一种可变电阻式存储器装置，包括：第一导线，其设置在衬底上；第二导线，其设置在第一导线上并与第一导线交叉；以及存储器单元，其设置在第一导线和第二导线之间。存储器单元包括可变电阻图案和设置在可变电阻图案上的加热器电极。加热器电极包括穿透加热器电极的通孔。通孔暴露可变电阻图案的一个表面。

公开(公告)号：CN113948545A

公开(公告)日：2022-01-18

申请号：CN202110788671.9

申请日：2021-07-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 梁辰旭 ,  吴圭焕 ,  白晙焕 ,  郑智允

IPC: H01L27/24

Abstract: 公开了一种半导体存储器装置。所述半导体存储器装置包括：基底；第一导线，位于基底上并沿平行于基底的上表面的第一方向延伸；第二导线，沿与第一方向相交的第二方向延伸；存储器单元，位于第一导线与第二导线之间，并且包括顺序地堆叠在第一导线上的下电极图案、数据存储元件、中间电极图案、开关元件和上电极图案；以及侧壁间隔件，位于存储器单元的侧表面上，其中，存储器单元的侧表面包括在开关元件的侧表面处的第一凹入部分，并且侧壁间隔件包括位于上电极图案的侧表面上的第一部分以及位于第一凹入部分上的第二部分，第二部分比第一部分厚。

公开(公告)号：CN110875427A

公开(公告)日：2020-03-10

申请号：CN201910608310.4

申请日：2019-07-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 成东俊 ,  白晙焕 ,  郑炯钟

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24

Abstract: 提供了一种半导体器件。所述半导体器件包括：第一电极和位于所述第一电极上的第一碳层。开关层被设置在所述第一碳层上，第二碳层被设置在所述开关层上。至少一个隧穿氧化物层被设置在所述第一碳层与所述第二碳层之间。所述半导体器件还包括位于所述第二碳层上的第二电极。

公开(公告)号：CN110858600A

公开(公告)日：2020-03-03

申请号：CN201910739568.8

申请日：2019-08-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 成东俊 ,  朴勇振 ,  白晙焕 ,  吴圭焕

IPC: H01L27/24 ,  H01L45/00 ,  G11C13/00

Abstract: 一种可变电阻存储器装置可包括第一导线、多个堆叠结构和模制图案。第一导线可形成在衬底上。所述多个堆叠结构可形成在第一导线上，并且所述多个堆叠结构中的每一个包括彼此堆叠的下电极、可变电阻图案和中间电极。模制图案可形成在第一导线上，以填充所述多个堆叠结构之间的空间。模制图案的上部可包括表面处理层，并且模制图案的下部可包括非表面处理层。