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公开(公告)号：CN117641939A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311080019.7
申请日：2023-08-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B61/00 , H01L23/48 , H01L23/528 , H01L21/768
Abstract: 一种半导体器件包括蚀刻停止层、在蚀刻停止层上的绝缘层以及穿过蚀刻停止层和绝缘层的接触结构，该接触结构包括第一导电层、具有面向第一导电层的侧表面和下表面的第二导电层、在第二导电层的上表面上的第三导电层、以及在第一导电层和第二导电层之间以及在第二导电层和第三导电层之间的自然氧化物膜，第一至第三导电层包括金属或金属氮化物，并且自然氧化物膜包括金属氧化物。
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公开(公告)号：CN118055683A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202311471276.3
申请日：2023-11-07
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种磁阻式随机存取存储器器件包括：衬底；位于所述衬底上的导电图案；绝缘中间层，所述绝缘中间层覆盖所述导电图案；下电极接触，所述下电极接触穿过所述绝缘中间层，并且接触所述导电图案；位于所述下电极接触上的下电极，所述下电极包括倒圆侧壁；以及位于所述下电极上的存储器结构，所述存储器结构包括堆叠的MTJ结构和上电极。其中，所述下电极的宽度从下部向上部增大，所述存储器结构具有侧壁斜度使得所述存储器结构的宽度从上部向下部增大，并且所述下电极的侧壁的至少一部分被所述绝缘中间层覆盖。
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公开(公告)号：CN118695613A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202311488034.5
申请日：2023-11-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B61/00 , H10N50/10 , H10N50/01 , H01L21/768 , H01L23/528
Abstract: 提供了磁性存储器件和制造该磁性存储器件的方法。所述磁性存储器件可以包括：基板；下互连线，所述下互连线位于所述基板上；数据存储结构，所述数据存储结构位于所述下互连线上；以及下接触插塞，所述下接触插塞位于所述下互连线与所述数据存储结构之间并且在与所述基板的顶表面垂直的第一方向上延伸，以将所述下互连线连接到所述数据存储结构。所述下接触插塞的上部可以在与所述基板的所述顶表面平行的第二方向上具有第一宽度，并且所述下接触插塞的下部可以在所述第二方向上具有第二宽度。所述第一宽度可以大于所述第二宽度。
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公开(公告)号：CN116096097A
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202211324354.2
申请日：2022-10-27
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体器件包括：衬底，包括单元区域和外围区域；在单元区域和外围区域上的互连线，互连线在垂直于衬底的顶表面的第一方向上与衬底间隔开；在单元区域和外围区域上的下绝缘层，下绝缘层覆盖互连线，在单元区域上的下绝缘层的顶表面处于比互连线中的最上面的互连线的顶表面低的高度处；以及在单元区域上的下绝缘层上的数据存储图案，数据存储图案彼此水平地间隔开，数据存储图案直接连接到在单元区域上的最上面的互连线的顶表面。
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公开(公告)号：CN110880549A
公开(公告)日：2020-03-13
申请号：CN201910782748.4
申请日：2019-08-23
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种可变电阻式存储器装置，包括：第一导线，其设置在衬底上；第二导线，其设置在第一导线上并与第一导线交叉；以及存储器单元，其设置在第一导线和第二导线之间。存储器单元包括可变电阻图案和设置在可变电阻图案上的加热器电极。加热器电极包括穿透加热器电极的通孔。通孔暴露可变电阻图案的一个表面。
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