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发明公开
磁性存储器件和制造该磁性存储器件的方法审中-公开

公开(公告)号：CN118695613A

公开(公告)日：2024-09-24

申请号：CN202311488034.5

申请日：2023-11-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑炯钟 , 高昇必 , 柳炅勋 , 裵丙才 , 申光日

IPC: H10B61/00 , H10N50/10 , H10N50/01 , H01L21/768 , H01L23/528

Abstract: 提供了磁性存储器件和制造该磁性存储器件的方法。所述磁性存储器件可以包括：基板；下互连线，所述下互连线位于所述基板上；数据存储结构，所述数据存储结构位于所述下互连线上；以及下接触插塞，所述下接触插塞位于所述下互连线与所述数据存储结构之间并且在与所述基板的顶表面垂直的第一方向上延伸，以将所述下互连线连接到所述数据存储结构。所述下接触插塞的上部可以在与所述基板的所述顶表面平行的第二方向上具有第一宽度，并且所述下接触插塞的下部可以在所述第二方向上具有第二宽度。所述第一宽度可以大于所述第二宽度。

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