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公开(公告)号：CN116096097A
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202211324354.2
申请日：2022-10-27
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体器件包括：衬底，包括单元区域和外围区域；在单元区域和外围区域上的互连线，互连线在垂直于衬底的顶表面的第一方向上与衬底间隔开；在单元区域和外围区域上的下绝缘层，下绝缘层覆盖互连线，在单元区域上的下绝缘层的顶表面处于比互连线中的最上面的互连线的顶表面低的高度处；以及在单元区域上的下绝缘层上的数据存储图案，数据存储图案彼此水平地间隔开，数据存储图案直接连接到在单元区域上的最上面的互连线的顶表面。
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公开(公告)号：CN118055683A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202311471276.3
申请日：2023-11-07
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种磁阻式随机存取存储器器件包括：衬底；位于所述衬底上的导电图案；绝缘中间层，所述绝缘中间层覆盖所述导电图案；下电极接触，所述下电极接触穿过所述绝缘中间层，并且接触所述导电图案；位于所述下电极接触上的下电极，所述下电极包括倒圆侧壁；以及位于所述下电极上的存储器结构，所述存储器结构包括堆叠的MTJ结构和上电极。其中，所述下电极的宽度从下部向上部增大，所述存储器结构具有侧壁斜度使得所述存储器结构的宽度从上部向下部增大，并且所述下电极的侧壁的至少一部分被所述绝缘中间层覆盖。
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公开(公告)号：CN103794716A
公开(公告)日：2014-05-14
申请号：CN201310532721.2
申请日：2013-10-31
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L43/08 , G11C11/161 , G11C11/1659 , H01L27/228
Abstract: 本发明提供了磁存储器件及其制造方法。该磁存储器件包括：下磁性图案，沿着彼此正交的第一方向和第二方向布置在基板上；上磁性层，覆盖下磁性图案中的沿着第一方向布置的至少两个下磁性图案和下磁性图案中的沿着第二方向布置的至少两个下磁性图案；以及隧道阻挡层，在下磁性图案和上磁性层之间。
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公开(公告)号：CN119584547A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202411164885.9
申请日：2024-08-23
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体器件包括：基板，具有彼此相反的顶表面和底表面；栅极结构，在基板的顶表面上；多个源极/漏极图案，在基板的顶表面上并且在栅极结构的相反两侧；后侧导电线，在基板的底表面上并电连接到栅极结构和所述多个源极/漏极图案中的第一源极/漏极图案中的至少一个；以及磁隧道结图案，电连接到所述多个源极/漏极图案中的第二源极/漏极图案。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118695613A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202311488034.5
申请日：2023-11-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B61/00 , H10N50/10 , H10N50/01 , H01L21/768 , H01L23/528
Abstract: 提供了磁性存储器件和制造该磁性存储器件的方法。所述磁性存储器件可以包括：基板；下互连线，所述下互连线位于所述基板上；数据存储结构，所述数据存储结构位于所述下互连线上；以及下接触插塞，所述下接触插塞位于所述下互连线与所述数据存储结构之间并且在与所述基板的顶表面垂直的第一方向上延伸，以将所述下互连线连接到所述数据存储结构。所述下接触插塞的上部可以在与所述基板的所述顶表面平行的第二方向上具有第一宽度，并且所述下接触插塞的下部可以在所述第二方向上具有第二宽度。所述第一宽度可以大于所述第二宽度。
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公开(公告)号：CN117641939A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311080019.7
申请日：2023-08-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B61/00 , H01L23/48 , H01L23/528 , H01L21/768
Abstract: 一种半导体器件包括蚀刻停止层、在蚀刻停止层上的绝缘层以及穿过蚀刻停止层和绝缘层的接触结构，该接触结构包括第一导电层、具有面向第一导电层的侧表面和下表面的第二导电层、在第二导电层的上表面上的第三导电层、以及在第一导电层和第二导电层之间以及在第二导电层和第三导电层之间的自然氧化物膜，第一至第三导电层包括金属或金属氮化物，并且自然氧化物膜包括金属氧化物。
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公开(公告)号：CN114914269A
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202210106249.5
申请日：2022-01-28
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体器件包括：衬底，包括第一区域和第二区域；数据存储图案，在第一区域上并且在第一方向上彼此间隔开；上绝缘层，在第一区域和第二区域上以及数据存储图案上；单元线结构，穿透第一区域上的上绝缘层，在第一方向上延伸，并且电连接到数据存储图案；以及上连接结构，穿透第二区域上的上绝缘层。上连接结构包括上导线和沿着上导线的底表面布置的上导电接触。上导线的底表面位于比单元线结构的底表面高的高度。单元线结构的侧表面具有连续延伸的直线形状。
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公开(公告)号：CN103794716B
公开(公告)日：2018-12-25
申请号：CN201310532721.2
申请日：2013-10-31
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供了磁存储器件及其制造方法。该磁存储器件包括：下磁性图案，沿着彼此正交的第一方向和第二方向布置在基板上；上磁性层，覆盖下磁性图案中的沿着第一方向布置的至少两个下磁性图案和下磁性图案中的沿着第二方向布置的至少两个下磁性图案；以及隧道阻挡层，在下磁性图案和上磁性层之间。
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公开(公告)号：CN101013694A
公开(公告)日：2007-08-08
申请号：CN200610128596.9
申请日：2006-09-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/00 , H01L27/04 , H01L21/82 , H01L21/822
CPC classification number: H01L27/11502 , H01L27/11507
Abstract: 本发明提供一种具有三维结构的铁电电容器、具有该铁电电容器的非易失性存储器件及其制造方法。该铁电电容器包括：沟槽型下电极；绝缘中间层，形成在该下电极周围，例如为SiO2层；扩散阻挡层，形成在该绝缘中间层上；铁电层(PZT层)，形成在该下电极和该扩散阻挡层上；以及上电极，形成在该铁电层上。
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