公开(公告)号：CN112768485A

公开(公告)日：2021-05-07

申请号：CN202110191729.1

申请日：2017-02-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑在烨 ,  林完泰 ,  朴永洙 ,  金定燮 ,  李振燮 ,  H·柳 ,  卢慧锡

IPC: H01L27/15 ,  H01L33/60 ,  H01L33/48

Abstract: 本发明公开了一种发光二极管装置和发光设备。所述发光二极管装置构造为提供多颜色显示，该发光二极管装置包括至少部分地被划分层限定的多个发光单元。该发光二极管装置可构造为减小发光单元之间的光学干扰。该发光二极管装置包括：彼此间隔开的多个发光结构；位于发光结构各自的第一表面上的多个电极层；构造为将发光结构彼此电绝缘的分隔层；位于发光结构各自的第二表面上并且与不同颜色相关联的荧光体层；以及位于荧光体层之间以将荧光体层彼此分离的划分层。每个发光单元可包括单独的发光结构、单独一组一个或多个电极以及单独的荧光体层。

公开(公告)号：CN108242483A

公开(公告)日：2018-07-03

申请号：CN201711445437.6

申请日：2017-12-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李东建 ,  金容一 ,  朴永洙 ,  李振燮 ,  林完泰

IPC: H01L33/08 ,  H01L33/10 ,  H01L33/40 ,  H01L33/50

CPC classification number: H01L33/50 ,  H01L25/0753 ,  H01L33/46

Abstract: 本发明提供了一种发光器件封装件，其包括发光结构，所述发光结构包括第一发光单元、第二发光单元和第三发光单元，第一发光单元至第三发光单元中的每一个包括在第一方向上发射第一波长的光的有源层，并且第一发光单元至第三发光单元中的每一个在与第一方向正交的第二方向上彼此分离，第一调光部分包括在第一发光单元的第一凹部中的第一波长转换层，第一波长转换层将第一波长的光转换成第二波长的光，以及第二调光部分包括在第二发光单元的第二凹部中的第二波长转换层，第二波长转换层将第一波长的光转换为第三波长的光。

公开(公告)号：CN104425665B

公开(公告)日：2018-05-04

申请号：CN201410431583.3

申请日：2014-08-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金在均 ,  金柱成 ,  金峻渊 ,  朴永洙 ,  卓泳助

IPC: H01L33/14 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/06 ,  H01L33/007 ,  H01L33/12 ,  H01L33/14 ,  H01L33/32

Abstract: 根据示例实施例，一种半导体发光器件包括第一半导体层、第一半导体层上的凹坑扩大层、凹坑扩大层上的有源层、空穴注入层以及空穴注入层上的第二半导体层。第一半导体层掺杂有第一导电类型的掺杂物。凹坑扩大层的上表面和有源层的侧表面在位错上限定了具有斜表面的凹坑。凹坑为倒棱锥形空间。空穴注入层位于有源层的顶表面和凹坑的斜表面上。第二半导体层掺杂有与第一导电类型不同的第二导电类型的掺杂物。

公开(公告)号：CN105390580A

公开(公告)日：2016-03-09

申请号：CN201510549322.6

申请日：2015-08-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔繁在 ,  朴永洙 ,  柳荣浩 ,  朴泰荣 ,  洪镇基

IPC: H01L33/38

Abstract: 本发明提供了一种半导体发光器件，其包括层叠式半导体结构，该层叠式半导体结构具有彼此相对的第一表面和第二表面、分别形成第一表面和第二表面的第一导电类型的半导体层和第二导电类型的半导体层、以及有源层。第一电极和第二电极分别设置在层叠式半导体结构的第一表面和第二表面上。连接电极延伸至第一表面以连接至第二电极。支承衬底设置在第二电极上，并且绝缘层使连接电极与有源层和第一导电类型的半导体层绝缘。

公开(公告)号：CN103199168A

公开(公告)日：2013-07-10

申请号：CN201310009042.7

申请日：2013-01-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李文相 ,  朴性秀 ,  朴永洙

IPC: H01L33/32 ,  H01L21/205

Abstract: 本发明公开一种生长氮化物半导体层的方法，该方法可以包括：在反应器中准备基板；在第一温度在基板上生长第一氮化物半导体，该第一氮化物半导体的热膨胀系数不同于基板的热膨胀系数；以及在第二温度去除基板。

公开(公告)号：CN101546768B

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：CN200910130129.3

申请日：2009-03-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金尚煜 ,  朴永洙 ,  朴宰彻

IPC: H01L27/085 ,  H01L27/088 ,  H01L29/10 ,  H01L29/12 ,  H03K19/20 ,  H03K19/094

CPC classification number: H01L21/823462 ,  H01L21/84 ,  H01L27/0883

Abstract: 本发明提供一种反相器和包括所述反相器的逻辑电路。所述反相器包括耗尽型的负载晶体管和连接到负载晶体管的增强型的驱动晶体管。负载晶体管可以具有作为第一沟道层的第一氧化物层。驱动晶体管可以具有作为第二沟道层的第二氧化物层。

公开(公告)号：CN101257048B

公开(公告)日：2012-11-14

申请号：CN200810080659.7

申请日：2008-02-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜东勋 ,  斯蒂法诺维奇·金里克 ,  宋利宪 ,  朴永洙 ,  金昌桢

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/43 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7869

Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管及其制造方法。该薄膜晶体管可以包括栅极；沟道层；源极和漏极，该源极和漏极由金属形成；以及金属氧化物层，该金属氧化物层在该沟道层与该源极和该漏极之间形成。该金属氧化物层可以在该沟道层与该源极和该漏极之间具有渐变的金属含量。

公开(公告)号：CN101546768A

公开(公告)日：2009-09-30

申请号：CN200910130129.3

申请日：2009-03-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金尚煜 ,  朴永洙 ,  朴宰彻

IPC: H01L27/085 ,  H01L27/088 ,  H01L29/10 ,  H01L29/12 ,  H03K19/20 ,  H03K19/094

CPC classification number: H01L21/823462 ,  H01L21/84 ,  H01L27/0883

Abstract: 本发明提供一种反相器和包括所述反相器的逻辑电路。所述反相器包括耗尽型的负载晶体管和连接到负载晶体管的增强型的驱动晶体管。负载晶体管可以具有作为第一沟道层的第一氧化物层。驱动晶体管可以具有作为第二沟道层的第二氧化物层。

公开(公告)号：CN101494220A

公开(公告)日：2009-07-29

申请号：CN200910003249.7

申请日：2009-01-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李昌范 ,  朴永洙 ,  李明宰 ,  鲜于文旭 ,  姜保守 ,  安承彦 ,  金起焕

IPC: H01L27/02 ,  H01L45/00 ,  H01L21/77 ,  G11C11/56

CPC classification number: H01L27/24 ,  G11C13/00 ,  G11C13/0007 ,  G11C2213/32 ,  G11C2213/34 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/72

Abstract: 本发明公开了一种电阻存储装置及其制造方法。所述电阻存储装置包括第一电极和布置在第一电极上的第一绝缘层。通过第一绝缘层中的第一孔暴露第一电极的一部分。第一可变电阻层接触第一电极的暴露部分，并在第一孔周围的第一绝缘层上延伸。第一开关装置电连接到第一电阻切换层。

公开(公告)号：CN101414615A

公开(公告)日：2009-04-22

申请号：CN200810129865.2

申请日：2008-08-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴永洙 ,  张丞爀

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14609 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/14643

Abstract: 本发明提供了一种具有透明晶体管的CMOS图像传感器。CMOS图像传感器包括光电二极管和形成在光电二极管上的至少一个晶体管。所述图像传感器可以包括多个晶体管，其中，多个晶体管中的至少一个是透明晶体管。