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公开(公告)号：CN101409303B
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN200810129780.4
申请日：2008-08-18
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 李昌范 , 朴永洙 , 李明宰 , 斯蒂法诺维奇·詹瑞克 , 金起焕
Abstract: 本发明提供了一种多层电极、一种交叉点电阻存储器阵列。所述阵列可以包括：多条第一电极线，彼此平行地布置；多条第二电极线，与第一电极线交叉并且彼此平行地布置；第一存储器电阻器，位于第一电极线和第二电极线的交叉处，其中，第一电极线和第二电极线中的至少一种具有包括第一导电层和由贵金属形成的第二导电层的多层结构。
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公开(公告)号：CN101409303A
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN200810129780.4
申请日：2008-08-18
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 李昌范 , 朴永洙 , 李明宰 , 斯蒂法诺维奇·詹瑞克 , 金起焕
Abstract: 本发明提供了一种多层电极、一种交叉点电阻存储器阵列。所述阵列可以包括：多条第一电极线，彼此平行地布置；多条第二电极线，与第一电极线交叉并且彼此平行地布置；第一存储器电阻器，位于第一电极线和第二电极线的交叉处，其中，第一电极线和第二电极线中的至少一种具有包括第一导电层和由贵金属形成的第二导电层的多层结构。
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公开(公告)号：CN101494220B
公开(公告)日：2012-10-24
申请号：CN200910003249.7
申请日：2009-01-21
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/24 , G11C13/00 , G11C13/0007 , G11C2213/32 , G11C2213/34 , G11C2213/71 , G11C2213/72
Abstract: 本发明公开了一种电阻存储装置及其制造方法。所述电阻存储装置包括第一电极和布置在第一电极上的第一绝缘层。通过第一绝缘层中的第一孔暴露第一电极的一部分。第一可变电阻层接触第一电极的暴露部分，并在第一孔周围的第一绝缘层上延伸。第一开关装置电连接到第一电阻切换层。
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公开(公告)号：CN101494220A
公开(公告)日：2009-07-29
申请号：CN200910003249.7
申请日：2009-01-21
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/24 , G11C13/00 , G11C13/0007 , G11C2213/32 , G11C2213/34 , G11C2213/71 , G11C2213/72
Abstract: 本发明公开了一种电阻存储装置及其制造方法。所述电阻存储装置包括第一电极和布置在第一电极上的第一绝缘层。通过第一绝缘层中的第一孔暴露第一电极的一部分。第一可变电阻层接触第一电极的暴露部分，并在第一孔周围的第一绝缘层上延伸。第一开关装置电连接到第一电阻切换层。
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