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公开(公告)号：CN101409303B
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN200810129780.4
申请日：2008-08-18
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 李昌范 , 朴永洙 , 李明宰 , 斯蒂法诺维奇·詹瑞克 , 金起焕
Abstract: 本发明提供了一种多层电极、一种交叉点电阻存储器阵列。所述阵列可以包括：多条第一电极线，彼此平行地布置；多条第二电极线，与第一电极线交叉并且彼此平行地布置；第一存储器电阻器，位于第一电极线和第二电极线的交叉处，其中，第一电极线和第二电极线中的至少一种具有包括第一导电层和由贵金属形成的第二导电层的多层结构。
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公开(公告)号：CN101409303A
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN200810129780.4
申请日：2008-08-18
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 李昌范 , 朴永洙 , 李明宰 , 斯蒂法诺维奇·詹瑞克 , 金起焕
Abstract: 本发明提供了一种多层电极、一种交叉点电阻存储器阵列。所述阵列可以包括：多条第一电极线，彼此平行地布置；多条第二电极线，与第一电极线交叉并且彼此平行地布置；第一存储器电阻器，位于第一电极线和第二电极线的交叉处，其中，第一电极线和第二电极线中的至少一种具有包括第一导电层和由贵金属形成的第二导电层的多层结构。
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公开(公告)号：CN101030623B
公开(公告)日：2010-05-12
申请号：CN200610137442.6
申请日：2006-10-25
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/115 , G11C2213/56 , H01L27/2436 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146
Abstract: 提供了一种采用两个氧化物层的非易失性存储器件。所述非易失性存储器件包括可变电阻材料，还包括：下部电极；形成于所述下部电极上的，由氧化状态可以改变的氧化物形成的第一氧化物层；形成于所述第一氧化物层上的第二氧化物层；以及形成于所述第二氧化物层上的上部电极。
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公开(公告)号：CN101030623A
公开(公告)日：2007-09-05
申请号：CN200610137442.6
申请日：2006-10-25
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/115 , G11C2213/56 , H01L27/2436 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146
Abstract: 提供了一种采用两个氧化物层的非易失性存储器件。所述非易失性存储器件包括可变电阻材料，还包括：下部电极；形成于所述下部电极上的，由氧化状态可以改变的氧化物形成的第一氧化物层；形成于所述第一氧化物层上的第二氧化物层；以及形成于所述第二氧化物层上的上部电极。
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