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公开(公告)号：CN101026177B
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：CN200610136107.4
申请日：2006-10-11
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L45/12 , B82Y10/00 , G11C11/56 , G11C13/0002 , G11C13/025 , G11C2213/79 , H01L27/2436 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146
Abstract: 提供了一种非易失性存储器件以及操作所述非易失性存储器件的方法。该非易失性存储器件包括开关器件和连接至所述开关器件的存储节点，其中，所述存储节点包括：连接至所述开关器件的下部金属层；依次叠置于所述下部金属层上的第一绝缘层、中间金属层、第二绝缘层、上部金属层和纳米层。
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公开(公告)号：CN101097966B
公开(公告)日：2010-05-19
申请号：CN200610164051.3
申请日：2006-12-06
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 斯蒂法诺维克·詹瑞克 , 赵重来 , 李殷洪
IPC: H01L29/808
CPC classification number: H01L29/8086 , H01L29/66901
Abstract: 本发明公开了一种结型场效应薄膜晶体管(JFETFT)，包括：在基底上形成的第一栅极；在所述第一栅极上形成的第一栅极半导体图案；在所述基底和第一导电类型第一栅极半导体图案上形成的第二导电类型半导体沟道层；和在位于所述第一导电栅极半导体图案两侧的所述第二导电类型半导体图案上形成的源极和漏极。所述JFETFT还可以包括在所述源极和漏极之间的第二导电类型半导体沟道层的一部分上形成的第一导电类型第二栅极半导体图案；和在所述第一导电类型第二栅极半导体图案上形成的第二栅极。
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公开(公告)号：CN101097966A
公开(公告)日：2008-01-02
申请号：CN200610164051.3
申请日：2006-12-06
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 斯蒂法诺维克·詹瑞克 , 赵重来 , 李殷洪
IPC: H01L29/808
CPC classification number: H01L29/8086 , H01L29/66901
Abstract: 本发明公开了一种结型场效应薄膜晶体管(JFETFT)，包括：在基底上形成的第一栅极；在所述第一栅极上形成的第一栅极半导体图案；在所述基底和第一导电类型第一栅极半导体图案上形成的第二导电类型半导体沟道层；和在位于所述第一导电栅极半导体图案两侧的所述第二导电类型半导体图案上形成的源极和漏极。所述JFETFT还可以包括在所述源极和漏极之间的第二导电类型半导体沟道层的一部分上形成的第一导电类型第二栅极半导体图案；和在所述第一导电类型第二栅极半导体图案上形成的第二栅极。
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公开(公告)号：CN1963946A
公开(公告)日：2007-05-16
申请号：CN200610091210.1
申请日：2006-06-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/56 , G11C16/02 , H01L27/115
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C11/5678 , G11C11/5685 , G11C13/0004 , G11C16/0416 , G11C2213/31 , G11C2213/32 , G11C2213/72 , H01L27/11521 , H01L27/11568
Abstract: 本发明提供了一种混合型非易失性存储器，其可以处理高容量的数据，其中减少了用于处理单元位数据的单元面积。该存储器包括具有源极、漏极和控制栅极的晶体管。第一存储节点连接到晶体管以根据晶体管控制栅极的操作存储电荷。第一字线连接到晶体管的控制栅极，且第一位线连接到晶体管的漏极。二极管具有连接到晶体管的源极的一端以整流来自晶体管源极的电信号，且第二存储节点连接到二极管的另一端以存储电阻变化。第二位线连接到第二存储节点，且第二字线连接到晶体管的源极。
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公开(公告)号：CN1901201A
公开(公告)日：2007-01-24
申请号：CN200610108020.6
申请日：2006-07-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/105 , H01L27/115 , H01L21/8239 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L29/7881 , G11C16/0483 , H01L21/28273 , H01L21/28282 , H01L27/115 , H01L27/11521 , H01L27/11568 , H01L29/7851 , H01L29/792
Abstract: 本发明提供了一种非易失存储装置及其制备方法，其通过减小每个位的面积和控制主体偏压而具有提高的集成度并/或提高的性能。该非易失存储装置可以使用至少一对鳍的外侧表面和/或上表面的表面部分作为至少一对沟道区域，该至少一对鳍从主体突出并彼此间隔开地沿一个方向延伸。至少一个控制栅电极可以形成来跨过该沟道区域，并且至少一对存储节点可以插入在控制栅电极和沟道区域之间的至少一个部分。
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公开(公告)号：CN101030622B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN200610132100.5
申请日：2006-10-24
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/1021 , G11C11/5685 , G11C13/0007 , G11C13/003 , G11C2213/73
Abstract: 本发明公开了一种非易失存储器件和非易失存储器件阵列，其中所述非易失存储器件包括：下电极；在所述下电极上形成的第一型半导体氧化物层；在所述第一型半导体氧化物层上形成的第二型半导体氧化物层；和在所述第二型半导体氧化物层上形成的上电极。
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公开(公告)号：CN101075629B
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN200610165950.5
申请日：2006-12-11
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/115 , G11C13/0007 , G11C2213/32 , G11C2213/51 , H01L27/112 , H01L27/2436 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146
Abstract: 本发明公开了一种使用缺氧金属氧化物层的非易失性存储装置和一种所述非易失性存储装置的制造方法，其特征在于：所述非易失性存储装置具有开关装置和连接到开关装置的存储节点，其中存储节点包括下电极、在下电极上形成的缺氧金属氧化物层、在缺氧金属氧化物层上形成的数据存储层、和在数据存储层上形成的上电极。
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公开(公告)号：CN101030623B
公开(公告)日：2010-05-12
申请号：CN200610137442.6
申请日：2006-10-25
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/115 , G11C2213/56 , H01L27/2436 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146
Abstract: 提供了一种采用两个氧化物层的非易失性存储器件。所述非易失性存储器件包括可变电阻材料，还包括：下部电极；形成于所述下部电极上的，由氧化状态可以改变的氧化物形成的第一氧化物层；形成于所述第一氧化物层上的第二氧化物层；以及形成于所述第二氧化物层上的上部电极。
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公开(公告)号：CN101030623A
公开(公告)日：2007-09-05
申请号：CN200610137442.6
申请日：2006-10-25
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/115 , G11C2213/56 , H01L27/2436 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146
Abstract: 提供了一种采用两个氧化物层的非易失性存储器件。所述非易失性存储器件包括可变电阻材料，还包括：下部电极；形成于所述下部电极上的，由氧化状态可以改变的氧化物形成的第一氧化物层；形成于所述第一氧化物层上的第二氧化物层；以及形成于所述第二氧化物层上的上部电极。
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公开(公告)号：CN1976039A
公开(公告)日：2007-06-06
申请号：CN200610136072.4
申请日：2006-10-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/115 , G11C16/02
CPC classification number: H01L27/115 , B82Y10/00 , G11C13/0007 , G11C2213/15 , G11C2213/32 , G11C2213/34 , G11C2213/35 , G11C2213/79 , H01L27/2436 , H01L45/04 , H01L45/12 , H01L45/1233 , H01L45/146
Abstract: 本发明涉及一种包括具有金属－绝缘体－金属(MIM)结构的存储节点的非易失性存储器及其操作方法。该存储器包括开关元件和连接到该开关元件的存储节点。该存储节点包括顺序堆叠的第一金属层、第一绝缘层和第二金属层，以及纳米结构层。该存储节点还可包括第二绝缘层和第三金属层，且作为碳纳米结构层的所述纳米结构层可包括至少一个富勒烯层。
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