-
公开(公告)号：CN102376379B
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201110232388.4
申请日：2011-08-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01B1/20 , H01B1/22 , H01L31/0224
CPC classification number: H01B1/22
Abstract: 本发明涉及导电糊料及包含用其形成的电极的电子器件和太阳能电池。所述导电糊料包含导电粉末、金属玻璃和有机载体，其中所述金属玻璃包括选自具有低电阻率的元素、与所述导电粉末形成固溶体的元素、或者具有高氧化电势的元素的至少两种元素的合金，其中所述具有低电阻率的元素具有小于约100微欧-厘米的电阻率，和所述具有高氧化电势的元素具有约100千焦/摩尔或更大的氧化物形成吉布斯自由能绝对值。
-
公开(公告)号：CN1996572B
公开(公告)日：2012-01-25
申请号：CN200610141682.3
申请日：2006-10-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/822 , H01L27/24 , H01L45/00 , G11C11/56
CPC classification number: G11C13/025 , B82Y10/00 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C2213/35 , G11C2213/79 , H01L27/2436 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/144 , H01L45/1675 , Y10S977/734
Abstract: 本发明提供了一种制造具有富勒烯层的相变随机存取存储器的方法。该制造相变随机存取存储器的方法包括在衬底上形成开关装置和连接到所述开关装置的下电极、形成覆盖所述下电极的层间介电膜、和在所述层间介电膜中形成暴露一部分下电极的下电极接触孔；通过用栓材料填充所述下电极接触孔而形成下电极接触栓；在至少包括所述下电极接触栓的上表面的区域上形成富勒烯层；和在所述富勒烯层上依次堆叠相变层和上电极。
-
公开(公告)号：CN102099937A
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN200980128068.5
申请日：2009-07-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L35/16
CPC classification number: H01L35/16 , C01B19/002 , C01B19/007 , C01P2002/50 , C01P2002/72 , C01P2004/04 , C01P2006/10 , C01P2006/32 , C01P2006/40 , C04B35/547 , C04B35/65 , C04B2235/3232 , C04B2235/3286 , C04B2235/3293 , C04B2235/3296 , C04B2235/40 , C04B2235/77
Abstract: 公开了热电材料。所述热电材料由下式表示：(A1-aA′a)4-x(B1-bB′b)3-y。A为XIII族元素，和A′可为XIII族元素、XIV族元素、稀土元素、过渡金属、或者其组合。A和A′彼此不同。B可为S、Se、Te，和B′可为XIV族、XV族、XVI族或者其组合。B和B′彼此不同。a等于或大于0且小于1。b等于或大于0且小于1。x在-1和1之间和其中y在-1和1之间。
-
公开(公告)号：CN1976039A
公开(公告)日：2007-06-06
申请号：CN200610136072.4
申请日：2006-10-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/115 , G11C16/02
CPC classification number: H01L27/115 , B82Y10/00 , G11C13/0007 , G11C2213/15 , G11C2213/32 , G11C2213/34 , G11C2213/35 , G11C2213/79 , H01L27/2436 , H01L45/04 , H01L45/12 , H01L45/1233 , H01L45/146
Abstract: 本发明涉及一种包括具有金属－绝缘体－金属(MIM)结构的存储节点的非易失性存储器及其操作方法。该存储器包括开关元件和连接到该开关元件的存储节点。该存储节点包括顺序堆叠的第一金属层、第一绝缘层和第二金属层，以及纳米结构层。该存储节点还可包括第二绝缘层和第三金属层，且作为碳纳米结构层的所述纳米结构层可包括至少一个富勒烯层。
-
公开(公告)号：CN104715806A
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201410771979.2
申请日：2014-12-12
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: C01G23/043 , C01B19/007 , C01P2004/24 , H01B1/02 , H01B1/08 , H01L31/022466 , H01L51/5206 , H01L51/5234
Abstract: 本发明涉及导电膜和包括其的电子器件。提供透明导电膜，其包括具有二维电子气层并且具有小于或等于约30Ω/□的在25℃下对于具有约550nm的波长的光的吸收系数(α)与其电阻率值(ρ)的乘积的化合物。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1976039B
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：CN200610136072.4
申请日：2006-10-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/115 , G11C16/02
CPC classification number: H01L27/115 , B82Y10/00 , G11C13/0007 , G11C2213/15 , G11C2213/32 , G11C2213/34 , G11C2213/35 , G11C2213/79 , H01L27/2436 , H01L45/04 , H01L45/12 , H01L45/1233 , H01L45/146
Abstract: 本发明涉及一种包括具有金属-绝缘体-金属(MIM)结构的存储节点的非易失性存储器及其操作方法。该存储器包括开关元件和连接到该开关元件的存储节点。该存储节点包括顺序堆叠的第一金属层、第一绝缘层和第二金属层，以及纳米结构层。该存储节点还可包括第二绝缘层和第三金属层，且作为碳纳米结构层的所述纳米结构层可包括至少一个富勒烯层。
-
公开(公告)号：CN100514665C
公开(公告)日：2009-07-15
申请号：CN200610005737.8
申请日：2006-01-06
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C13/0004 , G11C11/5678 , G11C13/0069 , G11C2013/0078 , G11C2213/79
Abstract: 本发明提供一种操作包括开关器件和存储节点的相变随机存取存储器的方法，所述存储节点包括相变层。该方法包括对所述存储节点施加重置电流，所述重置电流从所述相变层的下部分朝向所述相变层的上部分流经所述相变层且小于1.6mA，从而将所述相变层的一部分变为非晶态。
-
公开(公告)号：CN1996572A
公开(公告)日：2007-07-11
申请号：CN200610141682.3
申请日：2006-10-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/822 , H01L27/24 , H01L45/00 , G11C11/56
CPC classification number: G11C13/025 , B82Y10/00 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C2213/35 , G11C2213/79 , H01L27/2436 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/144 , H01L45/1675 , Y10S977/734
Abstract: 本发明提供了一种制造具有富勒烯层的相变随机存取存储器的方法。该制造相变随机存取存储器的方法包括在衬底上形成开关装置和连接到所述开关装置的下电极、形成覆盖所述下电极的层间介电膜、和在所述层间介电膜中形成暴露一部分下电极的下电极接触孔；通过用栓材料填充所述下电极接触孔而形成下电极接触栓；在至少包括所述下电极接触栓的上表面的区域上形成富勒烯层；和在所述富勒烯层上依次堆叠相变层和上电极。
-
公开(公告)号：CN1825613A
公开(公告)日：2006-08-30
申请号：CN200610005737.8
申请日：2006-01-06
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C13/0004 , G11C11/5678 , G11C13/0069 , G11C2013/0078 , G11C2213/79
Abstract: 本发明提供一种操作包括开关器件和存储节点的相变随机存取存储器的方法，所述存储节点包括相变层。该方法包括对所述存储节点施加重置电流，所述重置电流从所述相变层的下部分朝向所述相变层的上部分流经所述相变层且小于1.6mA，从而将所述相变层的一部分变为非晶态。
-
公开(公告)号：CN100555651C
公开(公告)日：2009-10-28
申请号：CN200510126836.7
申请日：2005-11-24
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L45/06 , H01L27/2436 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/144 , H01L45/1608
Abstract: 提供了一种PRAM，及其制造方法。所述PRAM包括晶体管和数据存储器。所述的数据存储器连接至所述晶体管。数据存储器包括顶部电极、底部电极和多孔PCM层。所述的多孔PCM层插入到所述顶部电极和底部电极之间。根据本发明，PRAM具有这样的结构，其能够增大PCM层的电流密度，并降低复位电流。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
23
records
(took 0.026 seconds)
