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公开(公告)号：CN109755378A
公开(公告)日：2019-05-14
申请号：CN201811301386.4
申请日：2018-11-02
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Abstract: 公开了热电器件和用于形成热电器件的方法。该热电器件包括多个第一半导体台面结构，其具有第一导电性类型。此外，热电器件包括多个第二半导体台面结构，其具有第二导电性类型。多个第一半导体台面结构中的第一半导体台面结构和多个第二半导体台面结构中的第二半导体台面结构被串联电连接。热电器件进一步包括玻璃结构，其横向位于多个第一半导体台面结构中的第一半导体台面结构和多个第二半导体台面结构中的第二半导体台面结构之间。所述玻璃结构将多个第一半导体台面结构中的第一半导体台面结构与多个第二半导体台面结构中的第二半导体台面结构横向地电绝缘。
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公开(公告)号：CN108780836A
公开(公告)日：2018-11-09
申请号：CN201780017851.9
申请日：2017-03-27
Applicant: 松下知识产权经营株式会社
Abstract: 本申请的热电转换器件(1)具有柱状的热电部件(1-1)和形成在热电部件(1-1)的周围的绝缘体(1-2)，其中，在热电部件(1-1)与绝缘体(1-2)之间封入有颗粒(1-3)。
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公开(公告)号：CN108767103A
公开(公告)日：2018-11-06
申请号：CN201810533904.9
申请日：2018-05-29
Applicant: 桂林电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种高性能P型α‑MgAgSb基热电材料及其制备方法，原料组成为Mg1‑xZnxAgSb，选取的材料价格相对低廉，制备方法简单，绿色环保，可大规模快速制备得到纯相的p型α‑MgZnAgSb热电材料，该材料可重复性高，热稳定性和机械强度好，在473K，材料的热导率为0.757W/(m*k)，为目前该体系的最低值，ZT为1.5，为目前该体系的最大值，解决了传统高温熔炼和两步高能球磨法中Mg元素的挥发、封管条件复杂、杂质含量较高，高能球磨价格昂贵的问题。
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公开(公告)号：CN108550687A
公开(公告)日：2018-09-18
申请号：CN201810363874.1
申请日：2018-04-22
Applicant: 长沙大衡智能科技有限公司
Inventor： 不公告发明人
CPC classification number: H01L35/24 , B82Y30/00 , C08G73/1007 , C08G73/1071 , C08J5/18 , C08J2379/08 , H01L35/16 , H01L35/34
Abstract: 本发明公开了一种热电材料及其制造工艺，具体是一种聚酰亚胺多孔膜/Sn2Te3-xFex热电薄膜复合材料及其制备方法。本发明采用磁控溅射制备纳米级热电材料镶嵌于多孔膜中，热电材料可达纳米尺度，热电系数高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108447972A
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201810326157.1
申请日：2018-04-12
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明涉及一种SnTe基高性能热电材料及其制备方法，热电材料的化学式为Sn1-x-y+δMnxGeyTe，x＝0.2～0.3，y＝0.05～0.25，δ＝0.03～0.08，其通过以高纯度金属单质为原料，按所述的化学式的化学计量比进行配料，通过真空封装、熔融反应淬火及热处理淬火后，研磨成粉末，进行真空高温热压烧结，缓慢冷却后得到。与现有技术相比，本发明通过固溶少量GeTe材料，提升MnTe在SnTe材料中的固溶度使能带结构最优化，获得高性能SnTe基热电材料，并为热电材料性能优化提供了新的研究方向与指导思路等。
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公开(公告)号：CN105051925B
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：CN201380075040.6
申请日：2013-03-27
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: H01L35/32 , H01L25/10 , H01L35/04 , H01L35/16 , H01L35/20 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 为了提供一种能够进行热电转换效率高的发电的热电转换装置，在具有由通过电极连接的n型和p型热电转换材料的多个对构成的多个热电转换模块(1～3)、用于向热电转换模块赋予温度差通过塞贝克效应进行发电的温水配管(201)和冷水配管(202)的热电转换装置中，使多个热电转换模块中的至少一个热电转换模块的热电转换材料的厚度、材料种类以及所述电极的厚度中的至少一方与其他的热电转换模块不同。
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公开(公告)号：CN108156678A
公开(公告)日：2018-06-12
申请号：CN201611216706.7
申请日：2016-12-26
Applicant: 财团法人工业技术研究院
Abstract: 本发明公开一种可挠热电结构与其形成方法。该可挠热电结构包括：多孔热电图案；以及高分子膜覆盖多孔热电图案的上表面，其中高分子膜填充多孔热电图案的孔洞，且高分子膜的下表面与多孔热电图案的下表面共平面。
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公开(公告)号：CN102257648B
公开(公告)日：2018-04-27
申请号：CN200980151017.4
申请日：2009-12-07
Applicant: 开利公司
IPC: H01L35/28
CPC classification number: H01L35/26 , C04B35/457 , C04B35/653 , C04B2235/40 , C04B2235/42 , C04B2235/444 , C04B2235/446 , C04B2235/6565 , C04B2235/662 , C04B2235/785 , C04B2235/80 , C04B2235/9607 , C04B2235/9661 , H01L35/16
Abstract: 本发明是体加工热电材料和制作方法。材料在每个维度上测量结果为至少30微米并且在低于200℃的任何温度具有大于1.0的品质因数（ZT）。该材料包括至少两种组分：主相和分散的第二相。主相为半导体或半金属以及体加工材料的分散相包括多个夹杂物。该材料具有在至少一个晶向上主相和分散相之间基本上相干的界面。
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公开(公告)号：CN107845724A
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201710853022.6
申请日：2017-09-20
Applicant: 同济大学
Abstract: 本发明涉及一种低成本环境友好型SnS基热电材料及其制备方法，所述的热电材料的化学式为Sn1-xNaxS(x≦0.03)；其采用以下方法制成：首先以高纯单质(>99.99％)为原料，按化学计量比配料，放置到石英管中进行真空封装后，在井式炉中经高温熔融、淬火及退火热处理，随后研磨成粉末并进行真空热压烧结，缓慢降温后得到的片状块体材料即为目标组分的硫化锡材料。与现有技术相比，本发明通过使用低价态钠原子对锡原子位置进行掺杂，在材料中引入更多的空穴，有效的提高了p型SnS热电半导体的载流子浓度(～1019cm-3)，使其热电优值在850K达到0.65，此外，因其较低的制备成本，SnS是一种具有大规模应用潜力的热电材料。
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