-
公开(公告)号：CN109661731A
公开(公告)日：2019-04-19
申请号：CN201780053928.8
申请日：2017-08-28
Applicant: LG伊诺特有限公司
Abstract: 公开了一种热电装置。热电装置包括：包括中空部的本体部，在中空部中设置有半导体装置；多个连接部，其在本体部的侧面上突出并且包括连接孔；以及多个电极部，连接到半导体装置并且延伸到连接部的连接孔。
-
公开(公告)号：CN109560185A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201711238136.6
申请日：2017-11-30
Abstract: 本文提供了一种热电材料及其制备方法。热电材料可以包含由第一元素和第二元素之间的化学键形成的多个晶粒、基于石墨烯的材料；和金属颗粒。具体地，基于石墨烯的材料和金属颗粒可以在晶粒之间的界面中。
-
公开(公告)号：CN108539002A
公开(公告)日：2018-09-14
申请号：CN201810363889.8
申请日：2018-04-22
Applicant: 佛山市领卓科技有限公司
Inventor： 何宇 , 其他发明人请求不公开姓名
Abstract: 本发明公开了一种热电材料的结构及其制备工艺，该热电材料采用多孔膜作为基底，然后在其上溅射热电材料。热电材料一部分填充与多孔膜的间隙中，然后在表面形成纳米级的薄膜。该复合材料的热电特性优异，热电系数高。
-
公开(公告)号：CN107569281A
公开(公告)日：2018-01-12
申请号：CN201710542869.2
申请日：2017-07-05
Applicant: 韦伯斯特生物官能(以色列)有限公司
Inventor： P.舍斯
IPC: A61B18/02
CPC classification number: A61B18/02 , A61B2018/00023 , A61B2018/00047 , A61B2018/00083 , A61B2018/00095 , A61B2018/0016 , A61B2018/0022 , A61B2018/00345 , A61B2018/00351 , A61B2018/00577 , A61B2018/0212 , A61B2018/025 , A61B2018/0293 , A61B2018/1435 , A61L29/02 , A61L29/14 , A61M25/0136 , H01L35/16 , H01L35/18 , H01L35/22 , H01L35/30 , H01L35/32
Abstract: 本发明题为具有微型珀尔帖冷却部件的导管。本发明公开了一种具有冷却远侧节段的导管，其用一个或多个微型反向热电或珀尔帖元件(本文也称为微型珀尔帖冷却(MPC)单元或电极)将组织冷冻至零度以下的温度。MPC单元可位于可充胀或球囊构件或末端电极壳体壁的外表面上，其中所述壳体壁具有用作散热器的含有流体的内部腔体。每个MPC单元具有温度由散热器调节的热接合点和冷接合点以及施加至MPC单元的电压/电流。可在热接合点和冷接合点之间实现约70摄氏度的温差，以用于极端冷却，特别是在MPC单元包括具有高珀尔帖系数的半导体材料的情况下。导热但电绝缘的材料的外涂层密封MPC单元，以防止通过MPC单元的非预期的电流路径。
-
公开(公告)号：CN107437578A
公开(公告)日：2017-12-05
申请号：CN201610372861.1
申请日：2016-05-27
Applicant: 深圳大学
Abstract: 本发明涉及锑化锌热电材料的电极材料及其制备工艺，其特征在于所述的电极材料是金属钴、金、白金、钯或其合金。在电极制备之前，对锑化锌薄膜表面进行粗糙化处理，促进欧姆接触形成。将电极置于锑化锌热电材料之后，对其进行热处理，进一步减小接触电阻率。低接触电阻率对锑化锌微型器件制备非常重要，是决定微型器件效率的关键因素之一。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107017333A
公开(公告)日：2017-08-04
申请号：CN201610868492.5
申请日：2016-09-29
Applicant: 三星电子株式会社 , 成均馆大学校产学协力团
CPC classification number: H01L35/16 , H01L21/02488 , H01L21/02502 , H01L35/10 , H01L35/18 , H01L35/34
Abstract: 公开热电结构体、热电器件和其制造方法。可包括在热电器件中的热电结构体可包括薄膜结构体，所述薄膜结构体可包含多个薄膜层。所述薄膜结构体可包括碲。所述薄膜结构体可在基底上。所述基底可包括氧化物，且缓冲层可在所述基底和所述薄膜结构体之间。所述热电结构体可经由将从靶烧蚀的材料沉积到所述基底上而制造。一些材料可与所述基底反应以形成所述缓冲层，和薄膜层可形成于所述缓冲层上。可将所述薄膜层从所述基底除去并且提供在单独的基底上。将所述薄膜层从所述基底除去可包括将所述薄膜层从所述缓冲层除去。
-
公开(公告)号：CN106992246A
公开(公告)日：2017-07-28
申请号：CN201710246421.6
申请日：2017-04-15
Applicant: 苏州思创源博电子科技有限公司
Inventor： 不公告发明人
Abstract: 本发明公开了一种铜掺杂碲化铋复合电热材料的制备方法，该制备方法可以调节材料中Cu的含量，可实现在制备纳米粉体的制备及与微米粉体的复合合二为一，最终使得材料的热电性能得到大幅度的提高，该方法制备方法简单、快速、原料利用率高，具有良好的产业化前景。
-
公开(公告)号：CN104321890B
公开(公告)日：2017-07-04
申请号：CN201380028168.7
申请日：2013-07-17
Inventor： 泽孝雄
CPC classification number: H01L35/20 , B22F3/12 , B22F3/24 , B22F9/04 , B22F9/082 , B22F2003/248 , C22C1/04 , C22C1/0433 , C22C1/045 , C22C19/03 , C22C19/07 , C22C30/04 , H01L35/18
Abstract: 本发明的热电转换材料，其由下述组成式(1)表示且包含具有MgAgAs型晶体结构的多晶体，其特征在于，在上述多晶体内具备具有Ti浓度不同的区域的MgAgAs型晶粒。(AaTib)cDdXe组成式(1)上述组成式(1)中，设为d＝1时，0.2≤a≤0.7，0.3≤b≤0.8，a+b＝1，0.93≤c≤1.08，0.93≤e≤1.08。A为Zr、Hf的至少一种以上的元素，D为选自由Ni、Co及Fe构成的组的至少一种以上的元素，X为Sn及Sb的至少一种以上的元素。
-
公开(公告)号：CN104115295B
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201380010650.8
申请日：2013-02-19
Applicant: 国立大学法人九州工业大学 , 琳得科株式会社
Abstract: 本发明提供具有控制在纳米级的微孔的结构、导热率低、热电性能指数提高了的热电转换材料。热电转换材料，其是在包含具有微孔的嵌段共聚物的嵌段共聚物基板上形成有热电半导体层的热电转换材料，其中，前述嵌段共聚物由聚合物单元（A）与聚合物单元（B）构成，所述聚合物单元（A）包含均聚物的玻璃化转变温度为50℃以上的单体，所述聚合物单元（B）包含共轭二烯系聚合物。
-
公开(公告)号：CN106170875A
公开(公告)日：2016-11-30
申请号：CN201480074877.3
申请日：2014-12-04
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
Abstract: 配置成集成到车辆的排出系统中的热电电力生成（TEG）单元包括多个热电电力生成器模块，每一个热电电力生成器模块包括电气互连的多个p型和n型热电材料腿部，每一个腿部在模块的热侧上的衬底与冷侧上的衬底之间延伸，其中用于腿部的热电材料是具有大于1.0的热电品质因数（ZT）的半赫斯勒化合物。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
168
records
(took 0.017 seconds)
