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公开(公告)号：CN102246327A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN200980149349.9
申请日：2009-11-16
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L43/10 , H01F10/16 , H01F10/32 , H01L21/8246 , H01L27/105 , H01L29/82 , H01L43/08
CPC classification number: H01L27/228 , B82Y25/00 , H01F10/16 , H01F10/3254 , H01F10/3272 , H01L43/08
Abstract: 本发明提供具有氧化镁钝化层的磁阻效应元件以及使用该磁阻效应元件的高速超低耗电非易失性存储器。通过在包括强磁性自由层、绝缘层、强磁性固定层的隧道磁阻效应(TMR)膜和保护层、取向控制层的侧壁具有MgO钝化层，抑制由350度以上的热处理引起的从隧道磁阻效应(TMR)元件的各层的元素扩散，实现具有稳定的高输出读出、低电流写入特性的磁存储单元、磁随机存取存储器。并且，在强磁性层中使用CoFeB、在绝缘层中使用MgO时，优选的是MgO钝化层为(001)取向。
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公开(公告)号：CN1905229A
公开(公告)日：2007-01-31
申请号：CN200610108923.4
申请日：2006-07-28
Applicant: 株式会社日立制作所 , 国立大学法人东北大学
CPC classification number: H01L27/228 , B82Y25/00 , G11C11/161 , H01F10/3254 , H01F10/3263 , H01F10/3272 , H01L43/10
Abstract: 本发明提供高速且耗电极少的不挥发性存储器。在不挥发性存储器上，配备了高输出的隧道磁阻效应元件，应用通过自旋转移力矩的写入方式。隧道磁阻效应元件(1)具有层叠了含有Co、Fe和B的体心立方结构的强磁性膜(304)、在(100)取向的岩盐结构的MgO绝缘膜(305)、以及强磁性膜(306)的结构。
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公开(公告)号：CN105051925A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201380075040.6
申请日：2013-03-27
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: H01L35/32 , H01L25/10 , H01L35/04 , H01L35/16 , H01L35/20 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 为了提供一种能够进行热电转换效率高的发电的热电转换装置，在具有由通过电极连接的n型和p型热电转换材料的多个对构成的多个热电转换模块(1～3)、用于向热电转换模块赋予温度差通过塞贝克效应进行发电的温水配管(201)和冷水配管(202)的热电转换装置中，使多个热电转换模块中的至少一个热电转换模块的热电转换材料的厚度、材料种类以及所述电极的厚度中的至少一方与其他的热电转换模块不同。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105051925B
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：CN201380075040.6
申请日：2013-03-27
Applicant: 株式会社日立制作所
CPC classification number: H01L35/32 , H01L25/10 , H01L35/04 , H01L35/16 , H01L35/20 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 为了提供一种能够进行热电转换效率高的发电的热电转换装置，在具有由通过电极连接的n型和p型热电转换材料的多个对构成的多个热电转换模块(1～3)、用于向热电转换模块赋予温度差通过塞贝克效应进行发电的温水配管(201)和冷水配管(202)的热电转换装置中，使多个热电转换模块中的至少一个热电转换模块的热电转换材料的厚度、材料种类以及所述电极的厚度中的至少一方与其他的热电转换模块不同。
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公开(公告)号：CN102246327B
公开(公告)日：2013-11-27
申请号：CN200980149349.9
申请日：2009-11-16
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: H01L43/10 , H01F10/16 , H01F10/32 , H01L21/8246 , H01L27/105 , H01L29/82 , H01L43/08
CPC classification number: H01L27/228 , B82Y25/00 , H01F10/16 , H01F10/3254 , H01F10/3272 , H01L43/08
Abstract: 本发明提供具有氧化镁钝化层的磁阻效应元件以及使用该磁阻效应元件的高速超低耗电非易失性存储器。通过在包括强磁性自由层、绝缘层、强磁性固定层的隧道磁阻效应(TMR)膜和保护层、取向控制层的侧壁具有MgO钝化层，抑制由350度以上的热处理引起的从隧道磁阻效应(TMR)元件的各层的元素扩散，实现具有稳定的高输出读出、低电流写入特性的磁存储单元、磁随机存取存储器。并且，在强磁性层中使用CoFeB、在绝缘层中使用MgO时，优选的是MgO钝化层为(001)取向。
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公开(公告)号：CN1905229B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN200610108923.4
申请日：2006-07-28
Applicant: 株式会社日立制作所 , 国立大学法人东北大学
CPC classification number: H01L27/228 , B82Y25/00 , G11C11/161 , H01F10/3254 , H01F10/3263 , H01F10/3272 , H01L43/10
Abstract: 本发明提供高速且耗电极少的不挥发性存储器。在不挥发性存储器上，配备了高输出的隧道磁阻效应元件，应用通过自旋转移力矩的写入方式。隧道磁阻效应元件(1)具有层叠了含有Co、Fe和B的体心立方结构的强磁性膜(304)、在(100)取向的岩盐结构的MgO绝缘膜(305)、以及强磁性膜(306)的结构。
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公开(公告)号：CN1606093B
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN200410074044.5
申请日：2004-08-31
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: G11C11/15
CPC classification number: G11C11/16
Abstract: 本发明的课题是提供一种在非易失性磁存储器中具有转矩磁化反转功能的超低耗电的高集成存储单元，以及使用这种存储单元的随机存取存储器，本发明的技术解决手段是，在C-MOSFET上具有转矩磁化反转层和隧道型磁阻效应膜。按照本发明可以实现耗电极小的非易失性磁存储器单元，通过装载该非易失性磁存储单元就能够实现耗电极小的随机存取磁存储器。
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公开(公告)号：CN1606093A
公开(公告)日：2005-04-13
申请号：CN200410074044.5
申请日：2004-08-31
Applicant: 株式会社日立制作所
IPC: G11C11/15
CPC classification number: G11C11/16
Abstract: 本发明的课题是提供一种在非易失性磁存储器中具有转矩磁化反转功能的超低耗电的高集成存储单元，以及使用这种存储单元的随机存取存储器，本发明的技术解决手段是，在C－MOSFET上具有转矩磁化反转层和隧道型磁阻效应膜。按照本发明可以实现耗电极小的非易失性磁存储器单元，通过装载该非易失性磁存储单元就能够实现耗电极小的随机存取磁存储器。
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