公开(公告)号：CN105280264A

公开(公告)日：2016-01-27

申请号：CN201510277947.1

申请日：2015-05-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄成宇 ,  文庚奭 ,  曹永真 ,  孙崙喆 ,  李气汶 ,  丁度源

IPC: H01B1/02

CPC classification number: C01B19/002 ,  B22F5/006 ,  B22F2001/0033 ,  C01P2002/20 ,  C01P2002/70 ,  C01P2002/76 ,  C01P2002/90 ,  C01P2006/40 ,  C01P2006/60 ,  C03C17/22 ,  C03C2217/289 ,  C22C28/00 ,  C22C30/00 ,  C30B29/46 ,  H01B1/06 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02505 ,  H01L31/022466

Abstract: 本发明公开导电材料、透明膜、电子器件和制备导电材料的方法。所述导电材料包括：选自过渡金属、铂族元素、稀土元素、及其组合的第一元素；具有比所述第一元素的原子半径小10％至比所述第一元素的原子半径大10％的原子半径的第二元素；和硫属元素，其中所述导电材料具有层状晶体结构。

公开(公告)号：CN104715806A

公开(公告)日：2015-06-17

申请号：CN201410771979.2

申请日：2014-12-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 孙崙喆 ,  柳秉纪 ,  李相睦

IPC: H01B5/14 ,  H01L21/28

CPC classification number: C01G23/043 ,  C01B19/007 ,  C01P2004/24 ,  H01B1/02 ,  H01B1/08 ,  H01L31/022466 ,  H01L51/5206 ,  H01L51/5234

Abstract: 本发明涉及导电膜和包括其的电子器件。提供透明导电膜，其包括具有二维电子气层并且具有小于或等于约30Ω/□的在25℃下对于具有约550nm的波长的光的吸收系数(α)与其电阻率值(ρ)的乘积的化合物。

公开(公告)号：CN102615866A

公开(公告)日：2012-08-01

申请号：CN201210010323.X

申请日：2012-01-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 孙崙喆 ,  李相义 ,  金夏辰 ,  金东郁 ,  金东彦 ,  周建模

IPC: B32B3/24 ,  B32B3/30 ,  B32B5/00 ,  F28F19/02

CPC classification number: F28F17/00 ,  F28F19/006 ,  F28F19/04 ,  F28F2245/04 ,  F28F2255/20

Abstract: 本发明涉及表面涂层和包括该表面涂层的热交换器。与热交换器的基础材料的表面接触的表面涂层包括多个复合层，其包括：接触所述基础材料的表面的第一层，所述第一层包括第一基体和第一纳米体；和接触所述第一层的表面并具有与空气的界面的第二层，所述第二层包括第二基体和第二纳米体，其中所述第一层和所述第二层各自分别包括不同的体积量的所述第一纳米体和所述第二纳米体。

公开(公告)号：CN101266960A

公开(公告)日：2008-09-17

申请号：CN200810083784.3

申请日：2008-03-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔源璟 ,  文彰烈 ,  孙崙喆 ,  金映镐 ,  卢熙摞 ,  吴昌烈

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC classification number: B23K1/0016 ,  B23K35/262 ,  B23K35/282 ,  B23K2101/42 ,  H01L24/11 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/0501 ,  H01L2224/05011 ,  H01L2224/05023 ,  H01L2224/05111 ,  H01L2224/05118 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/1134 ,  H05K3/244 ,  H05K3/3463 ,  Y10T428/12493 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01047

Abstract: 本发明提供一种使用Zn的软焊接结构，包括：含有Zn的结合层；以及结合到该结合层并对其起反应的无铅焊料。该结合层可以是Zn合金层或含有Zn层的多层。因此，通过加入高反应性Zn至软焊接的界面反应而可提高软焊接结构的特性。

公开(公告)号：CN104715806B

公开(公告)日：2019-03-12

申请号：CN201410771979.2

申请日：2014-12-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 孙崙喆 ,  柳秉纪 ,  李相睦

IPC: H01B5/14 ,  H01L21/28

Abstract: 本发明涉及导电膜和包括其的电子器件。提供透明导电膜，其包括具有二维电子气层并且具有小于或等于约30Ω/□的在25℃下对于具有约550nm的波长的光的吸收系数(α)与其电阻率值(ρ)的乘积的化合物。

公开(公告)号：CN105280264B

公开(公告)日：2018-11-06

申请号：CN201510277947.1

申请日：2015-05-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄成宇 ,  文庚奭 ,  曹永真 ,  孙崙喆 ,  李气汶 ,  丁度源

IPC: H01B1/02

Abstract: 本发明公开导电材料、透明膜、电子器件和制备导电材料的方法。所述导电材料包括：选自过渡金属、铂族元素、稀土元素、及其组合的第一元素；具有比所述第一元素的原子半径小10％至比所述第一元素的原子半径大10％的原子半径的第二元素；和硫属元素，其中所述导电材料具有层状晶体结构。

公开(公告)号：CN105280269B

公开(公告)日：2018-11-02

申请号：CN201510315771.4

申请日：2015-06-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金相壹 ,  金世润 ,  文庚奭 ,  黄成宇 ,  孙崙喆 ,  李孝锡

IPC: H01B5/14

Abstract: 本发明公开导电薄膜和包括其的电子器件。所述导电薄膜包括由化学式1或化学式2表示并且具有层状晶体结构的化合物，在化学式1中，M1是钛(Ti)、锆(Zr)、铪(Hf)、钒(V)、钽(Ta)、或铌(Nb)；和在化学式2中，M2是钒(V)或钽(Ta)。化学式1M1Te2化学式2M2Se2。

公开(公告)号：CN105280269A

公开(公告)日：2016-01-27

申请号：CN201510315771.4

申请日：2015-06-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金相壹 ,  金世润 ,  文庚奭 ,  黄成宇 ,  孙崙喆 ,  李孝锡

IPC: H01B5/14

CPC classification number: C01B19/04 ,  C01P2006/40 ,  C03C17/10 ,  C30B29/46 ,  H01B1/02 ,  H01B1/06

Abstract: 本发明公开导电薄膜和包括其的电子器件。所述导电薄膜包括由化学式1或化学式2表示并且具有层状晶体结构的化合物，在化学式1中，M1是钛(Ti)、锆(Zr)、铪(Hf)、钒(V)、钽(Ta)、或铌(Nb)；和在化学式2中，M2是钒(V)或钽(Ta)。化学式1M1Te2化学式2M2Se2。

公开(公告)号：CN101266960B

公开(公告)日：2011-07-27

申请号：CN200810083784.3

申请日：2008-03-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔源璟 ,  文彰烈 ,  孙崙喆 ,  金映镐 ,  卢熙摞 ,  吴昌烈

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC classification number: B23K1/0016 ,  B23K35/262 ,  B23K35/282 ,  B23K2101/42 ,  H01L24/11 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/0501 ,  H01L2224/05011 ,  H01L2224/05023 ,  H01L2224/05111 ,  H01L2224/05118 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/1134 ,  H05K3/244 ,  H05K3/3463 ,  Y10T428/12493 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01047

Abstract: 本发明提供一种使用Zn的软焊接结构，包括：含有Zn的结合层；以及结合到该结合层并对其起反应的无铅焊料。该结合层可以是Zn合金层或含有Zn层的多层。因此，通过加入高反应性Zn至软焊接的界面反应而可提高软焊接结构的特性。