公开(公告)号：CN112071764A

公开(公告)日：2020-12-11

申请号：CN202010847533.9

申请日：2015-04-07

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 周建模 ,  文彰烈 ,  李成熙 ,  黄俊式

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/48 ,  H01L23/14 ,  H01L25/00 ,  H01L33/00 ,  H01L33/48 ,  H01L23/00 ,  H01L25/065 ,  H01L21/58 ,  H01L21/98 ,  H01S5/022 ,  H01L33/32 ,  H01L23/488 ,  H01L33/62

摘要： 本公开提供了半导体芯片、半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括基底基板和在基底基板上的半导体芯片，半导体芯片包括第一层结构和与第一层结构相反的第二层结构以及在第一层结构与第二层结构之间的接合结构，第一层结构和第二层结构的至少一个包括半导体器件部分，接合结构包括银‑锡(Ag‑Sn)化合物和镍‑锡(Ni‑Sn)化合物。

公开(公告)号：CN105374776A

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201510161903.2

申请日：2015-04-07

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 周建模 ,  文彰烈 ,  李成熙 ,  黄俊式

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L25/50 ,  H01L23/481 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/24 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/82 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L24/94 ,  H01L25/0657 ,  H01L33/0079 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05671 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/24146 ,  H01L2224/29082 ,  H01L2224/29083 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29155 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32503 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/48225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73217 ,  H01L2224/73227 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73259 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/82101 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/83204 ,  H01L2224/8381 ,  H01L2224/83825 ,  H01L2224/83948 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/92144 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2933/0066 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/014 ,  H01L21/78 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/45099

摘要： 本公开提供了半导体芯片、半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括基底基板和在基底基板上的半导体芯片，半导体芯片包括第一层结构和与第一层结构相反的第二层结构以及在第一层结构与第二层结构之间的接合结构，第一层结构和第二层结构的至少一个包括半导体器件部分，接合结构包括银-锡(Ag-Sn)化合物和镍-锡(Ni-Sn)化合物。

公开(公告)号：CN106486183B

公开(公告)日：2020-06-30

申请号：CN201610306096.3

申请日：2016-05-10

申请人： 三星电子株式会社 ,  延世大学校原州产学协力团

发明人： 周建模 ,  张元硕 ,  郑灿文

IPC分类号： H01B5/16 ,  H01B1/20

摘要： 本公开涉及各向异性导电材料及包括其的电子装置。各向异性导电材料、包括各向异性导电材料的电子装置和/或制造电子装置的方法被提供。一种各向异性导电材料可以包括基体材料层中的多个颗粒。颗粒中的至少一些可以包括芯部分和覆盖芯部分的壳部分。芯部分可以包括在高于15℃且低于或等于约110℃或更低的温度处于液态的导电材料。例如，芯部分可以包括液态金属、低熔点焊料和纳米填料中的至少一种。壳部分可以包括绝缘材料。通过使用各向异性导电材料形成的接合部分可以包括从颗粒流出的芯部分，并且还可以包括金属间化合物。

公开(公告)号：CN102615866A

公开(公告)日：2012-08-01

申请号：CN201210010323.X

申请日：2012-01-13

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 孙崙喆 ,  李相义 ,  金夏辰 ,  金东郁 ,  金东彦 ,  周建模

IPC分类号： B32B3/24 ,  B32B3/30 ,  B32B5/00 ,  F28F19/02

CPC分类号： F28F17/00 ,  F28F19/006 ,  F28F19/04 ,  F28F2245/04 ,  F28F2255/20

摘要： 本发明涉及表面涂层和包括该表面涂层的热交换器。与热交换器的基础材料的表面接触的表面涂层包括多个复合层，其包括：接触所述基础材料的表面的第一层，所述第一层包括第一基体和第一纳米体；和接触所述第一层的表面并具有与空气的界面的第二层，所述第二层包括第二基体和第二纳米体，其中所述第一层和所述第二层各自分别包括不同的体积量的所述第一纳米体和所述第二纳米体。

公开(公告)号：CN114256184A

公开(公告)日：2022-03-29

申请号：CN202111030686.5

申请日：2021-09-03

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 周建模 ,  宋炳权 ,  李政勋

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L21/60 ,  B23K3/08 ,  B22F1/17 ,  B23K101/40

摘要： 提供了混合接合结构、焊膏组成物、半导体器件和制造该半导体器件的方法。该混合接合结构包括焊球和接合到焊球的焊膏。焊膏包括瞬间液相。瞬间液相包括核和在核的表面上的壳。壳的熔点可以低于核的熔点。核和壳配置为响应于瞬间液相至少部分地处于在约20℃至约190℃的温度范围内的温度而形成金属间化合物。

公开(公告)号：CN106486183A

公开(公告)日：2017-03-08

申请号：CN201610306096.3

申请日：2016-05-10

申请人： 三星电子株式会社 ,  延世大学校原州产学协力团

发明人： 周建模 ,  张元硕 ,  郑灿文

IPC分类号： H01B5/16 ,  H01B1/20

CPC分类号： H01L24/33 ,  H01B1/22 ,  H01L23/53276 ,  H01L23/5328 ,  H01L24/09 ,  H01L24/16 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/29028 ,  H01L2224/29105 ,  H01L2224/29198 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29305 ,  H01L2224/29309 ,  H01L2224/29313 ,  H01L2224/29393 ,  H01L2224/29394 ,  H01L2224/29398 ,  H01L2224/29487 ,  H01L2224/2949 ,  H01L2224/29499 ,  H01L2224/2957 ,  H01L2224/29691 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32227 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81026 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81439 ,  H01L2224/81444 ,  H01L2224/81447 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/0133 ,  H01L2924/0134 ,  H01L2924/1426 ,  H01R4/04 ,  H01R13/2414 ,  H05K3/323 ,  H05K3/3436 ,  H05K2201/0224 ,  H05K2201/026 ,  H05K2201/0323 ,  H05K2201/10674 ,  H05K2203/0425 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01B5/16 ,  H01B1/20

摘要： 本公开涉及各向异性导电材料及包括其的电子装置。各向异性导电材料、包括各向异性导电材料的电子装置和/或制造电子装置的方法被提供。一种各向异性导电材料可以包括基体材料层中的多个颗粒。颗粒中的至少一些可以包括芯部分和覆盖芯部分的壳部分。芯部分可以包括在高于15℃且低于或等于约110℃或更低的温度处于液态的导电材料。例如，芯部分可以包括液态金属、低熔点焊料和纳米填料中的至少一种。壳部分可以包括绝缘材料。通过使用各向异性导电材料形成的接合部分可以包括从颗粒流出的芯部分，并且还可以包括金属间化合物。

公开(公告)号：CN103631124A

公开(公告)日：2014-03-12

申请号：CN201310225924.7

申请日：2013-06-07

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 李相义 ,  金夏辰 ,  金东彦 ,  金东郁 ,  朴成燻 ,  裵民钟 ,  孙仑喆 ,  周建模

IPC分类号： G03G21/20 ,  H05B3/42 ,  B32B37/10

CPC分类号： G03G15/2057 ,  B82Y30/00 ,  H01C17/02 ,  H01C17/06 ,  H01C17/0652 ,  H01C17/06586 ,  H05B3/0095 ,  H05B3/145 ,  H05B3/46 ,  H05B2203/013 ,  H05B2214/04 ,  Y10T29/49083

摘要： 一种形成薄膜电阻加热层的方法，该方法包括：通过使用挤压模制操作，通过在圆柱形构件的外圆周表面上挤出导电性填料分散在其中的聚合物膏而形成聚合物层；以及通过使用环刮切操作使所述聚合物层的外径均匀，形成薄膜电阻加热层。