公开(公告)号：CN115595139A

公开(公告)日：2023-01-13

申请号：CN202210797332.1

申请日：2022-07-06

Applicant: 三星电子株式会社(KR)

Inventor： 朴相铉 ,  田信爱 ,  金泰坤 ,  裵民钟 ,  郑得锡 ,  曺雅罗

IPC: C09K11/02 ,  C09K11/70 ,  C09K11/88 ,  H01L27/15 ,  H10K59/38 ,  H10K59/12 ,  H01L33/50 ,  B82Y20/00

Abstract: 提供了量子点、包括该量子点的量子点复合物和用于制备该量子点复合物的组合物以及包括该量子点复合物的显示面板，其中，量子点包括半导体纳米晶体核，半导体纳米晶体核包括铟和磷且具有在约600nm与约650nm之间的发射峰值波长或在约500nm与约550nm之间的发射峰值波长，其中，在用差示扫描量热仪(DSC)测量的热重分析(TGA)曲线中，在约400℃至约500℃之间的峰的面积是相对于在约200℃至约300℃之间的峰的面积的0.17倍或更大。

公开(公告)号：CN103631124A

公开(公告)日：2014-03-12

申请号：CN201310225924.7

申请日：2013-06-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李相义 ,  金夏辰 ,  金东彦 ,  金东郁 ,  朴成燻 ,  裵民钟 ,  孙仑喆 ,  周建模

IPC: G03G21/20 ,  H05B3/42 ,  B32B37/10

CPC classification number: G03G15/2057 ,  B82Y30/00 ,  H01C17/02 ,  H01C17/06 ,  H01C17/0652 ,  H01C17/06586 ,  H05B3/0095 ,  H05B3/145 ,  H05B3/46 ,  H05B2203/013 ,  H05B2214/04 ,  Y10T29/49083

Abstract: 一种形成薄膜电阻加热层的方法，该方法包括：通过使用挤压模制操作，通过在圆柱形构件的外圆周表面上挤出导电性填料分散在其中的聚合物膏而形成聚合物层；以及通过使用环刮切操作使所述聚合物层的外径均匀，形成薄膜电阻加热层。

公开(公告)号：CN101226864A

公开(公告)日：2008-07-23

申请号：CN200710093270.1

申请日：2007-11-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 白瓒郁 ,  金善一 ,  郑得锡 ,  宋炳权 ,  裵民钟

IPC: H01J9/42

CPC classification number: H01J9/42 ,  H01J29/04 ,  H01J31/127

Abstract: 一种场发射装置的老化方法，该场发射装置包括相互平行布置的阴极和阳极，布置在阴极上以发射电子到阳极的发射器，以及布置在与发射器相邻的阴极上的栅电极，该方法包括：提供电压到阴极；提供电压到栅电极；以及接着提供足够低的电压到阳极以防止阴极和栅电极之间的短路部分由于过电流而被永久损坏。

公开(公告)号：CN101183633A

公开(公告)日：2008-05-21

申请号：CN200710186971.X

申请日：2007-11-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔濬熙 ,  裵民钟

IPC: H01J9/02

CPC classification number: H01J31/127 ,  H01J9/025 ,  H01J29/04

Abstract: 本发明提供了一种场发射器件的制造方法，包括：在基板上依次形成阴极和光阻挡层，并构图所述光阻挡层以形成阻挡层孔；在所述光阻挡层上依次形成绝缘层和栅极材料层，并构图所述栅极材料层以形成栅电极，在所述栅电极中形成栅电极孔；在所述栅电极上涂覆光致抗蚀剂，并曝光和显影所述光致抗蚀剂以在所述栅电极孔内形成抗蚀剂孔；各向同性地蚀刻通过所述抗蚀剂孔暴露出的绝缘层的部分从而形成绝缘层孔；蚀刻通过所述绝缘层孔暴露出的栅电极的部分，以形成栅极孔，并除去所述光致抗蚀剂；和在通过所述阻挡层孔暴露的阴极电极上形成发射器。

公开(公告)号：CN116111026A

公开(公告)日：2023-05-12

申请号：CN202211398338.8

申请日：2022-11-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑得锡 ,  金泰坤 ,  朴相铉 ,  裵民钟 ,  元钟勳 ,  田信爱 ,  曺雅罗

IPC: H01L33/50 ,  H10K50/80 ,  H10K71/00

Abstract: 本公开提供了一种显示面板、包括该显示面板的电子装置以及制造该显示面板的方法，该显示面板包括：基底；多个发光元件，设置在基底上，各自包括半导体发光芯片；多个颜色转换层，分别与多个发光元件叠置并且形成在多个发光元件上；以及多个吸收型滤色器层，分别直接设置在对应的颜色转换层上并且具有对应的颜色转换层的表面形状，其中，多个发光元件在相邻的发光元件之间具有小于或等于约100微米的距离，并且多个颜色转换层中的至少一个包括量子点。

公开(公告)号：CN116031348A

公开(公告)日：2023-04-28

申请号：CN202211317598.8

申请日：2022-10-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 曺雅罗 ,  郑得锡 ,  金泰坤 ,  朴相铉 ,  裵民钟 ,  元钟勳 ,  田信爱

IPC: H01L33/50 ,  H01L33/58 ,  H01L25/075

Abstract: 提供了一种显示面板和一种包括该显示面板的电子装置，该显示面板包括：基底；多个发光元件，设置在基底上，多个发光元件中的每个包括半导体发光芯片；多个微透镜，形成在多个发光元件中的每个上以围绕多个发光元件中的每个；以及多个颜色转换层，以与多个微透镜中的每个对应的形状形成在多个微透镜中的每个上或下面。

公开(公告)号：CN114497108A

公开(公告)日：2022-05-13

申请号：CN202111328494.2

申请日：2021-11-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴相铉 ,  郑得锡 ,  金泰坤 ,  裵民钟 ,  田信爱

IPC: H01L27/15 ,  H01L33/50 ,  C09K11/02 ,  C09K11/88 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00

Abstract: 公开了一种显示面板、其制造方法和包括该显示面板的显示装置。显示面板包括波长转换结构，该波长转换结构包括：基体结构，包括限定第一空间和第二空间的分隔壁；第一量子点复合物，设置在第一空间中；以及第二量子点复合物，设置在第二空间中。分隔壁的高度大于或等于大约5微米且小于或等于大约50微米，并且第一量子点复合物提供第一顶表面，并且第二量子点复合物提供第二顶表面。用于制造波长转换结构的制造方法使用包括第一量子点和第一基质的第一墨组合物以及包括第二量子点和第二基质的第二墨组合物。