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公开(公告)号:CN105097792A
公开(公告)日:2015-11-25
申请号:CN201510239639.X
申请日:2015-05-12
申请人: 精材科技股份有限公司
IPC分类号: H01L25/065 , H01L23/48 , H01L27/146 , H01L21/98
CPC分类号: H01L24/19 , H01L21/56 , H01L23/3114 , H01L23/3157 , H01L23/5226 , H01L24/08 , H01L24/17 , H01L24/20 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/94 , H01L24/97 , H01L25/16 , H01L25/50 , H01L27/14618 , H01L27/14634 , H01L2224/0235 , H01L2224/02372 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/04073 , H01L2224/04105 , H01L2224/05548 , H01L2224/12105 , H01L2224/13024 , H01L2224/13144 , H01L2224/1403 , H01L2224/141 , H01L2224/16145 , H01L2224/16146 , H01L2224/16225 , H01L2224/32145 , H01L2224/48091 , H01L2224/48145 , H01L2224/48465 , H01L2224/73209 , H01L2224/73215 , H01L2224/73217 , H01L2224/73227 , H01L2224/73265 , H01L2224/73267 , H01L2224/94 , H01L2224/97 , H01L2225/06506 , H01L2225/06513 , H01L2225/06568 , H01L2924/141 , H01L2924/143 , H01L2924/1433 , H01L2924/146 , H01L2924/181 , H01L2924/19107 , H01L2924/00014 , H01L2224/81 , H01L2224/83 , H01L2224/85 , H01L2924/00012 , H01L2224/82 , H01L2924/00
摘要: 本发明揭露一种晶片封装体及其制造方法,该晶片封装体包括:一第一基底,第一基底内包括一感测装置;一第二基底,贴附于第一基底上,第二基底内包括一集成电路装置;一第一导电结构,通过设置于第一基底上的重布线层电性连接感测装置及集成电路装置;一绝缘层,覆盖第一基底、第二基底及重布线层,其中绝缘层内具有孔洞;以及一第二导电结构,设置于孔洞的底部下方。本发明能够缩小后续接合的电路板的尺寸,进而缩小具有感测功能的电子产品的尺寸。
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公开(公告)号:CN105097744A
公开(公告)日:2015-11-25
申请号:CN201410461293.3
申请日:2014-09-11
申请人: 精材科技股份有限公司
发明人: 刘建宏
IPC分类号: H01L23/488 , H01L21/60
CPC分类号: H01L23/488 , H01L21/56 , H01L23/3114 , H01L23/3128 , H01L23/5389 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/14 , H01L24/19 , H01L24/24 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/82 , H01L24/92 , H01L24/94 , H01L24/97 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/0231 , H01L2224/04042 , H01L2224/04105 , H01L2224/05573 , H01L2224/05575 , H01L2224/12105 , H01L2224/13017 , H01L2224/13024 , H01L2224/1403 , H01L2224/14505 , H01L2224/24146 , H01L2224/2919 , H01L2224/32145 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48106 , H01L2224/48145 , H01L2224/48149 , H01L2224/48227 , H01L2224/48451 , H01L2224/48464 , H01L2224/73227 , H01L2224/73265 , H01L2224/73267 , H01L2224/82031 , H01L2224/82039 , H01L2224/92164 , H01L2224/92244 , H01L2224/92247 , H01L2224/94 , H01L2224/97 , H01L2225/0651 , H01L2225/06548 , H01L2225/06568 , H01L2924/10253 , H01L2924/141 , H01L2924/143 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2224/83 , H01L2224/82 , H01L2224/85 , H01L2924/00
摘要: 本发明揭露一种晶片封装体及其制造方法,该晶片封装体包括:一第一装置基底,贴附于一第二装置基底的一第一表面上;一第三装置基底,贴附于第二装置基底相对于第一表面的一第二表面上;一绝缘层,覆盖第一装置基底、第二装置基底及第三装置基底,其中绝缘层内具有至少一开口;至少一凸块,设置于开口的底部下方;一重布线层,设置于绝缘层上,且经由开口电性连接至凸块。本发明可缩小后续接合的电路板的尺寸,且能够简化制程、降低成本。
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公开(公告)号:CN101140861A
公开(公告)日:2008-03-12
申请号:CN200710182175.9
申请日:2007-08-22
申请人: 索尼株式会社
CPC分类号: H01L21/78 , H01L21/6835 , H01L23/66 , H01L24/19 , H01L24/25 , H01L24/73 , H01L24/82 , H01L24/91 , H01L24/97 , H01L2221/68345 , H01L2224/04042 , H01L2224/04105 , H01L2224/2518 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73227 , H01L2224/73265 , H01L2224/73267 , H01L2224/97 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01023 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01049 , H01L2924/01051 , H01L2924/01072 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/09701 , H01L2924/10329 , H01L2924/1305 , H01L2924/13063 , H01L2924/13064 , H01L2924/14 , H01L2924/1423 , H01L2924/15153 , H01L2924/1517 , H01L2924/30105 , H01L2924/3511 , Y10S438/977 , H01L2924/00014 , H01L2224/82 , H01L2924/00
摘要: 本发明公开了一种制造半导体器件的方法,该方法包括步骤:在生长在半导体衬底的器件层中形成预定器件,在器件层和半导体衬底之间具有牺牲层;在支撑衬底接合在器件层的侧面的同时,通过蚀刻移除牺牲层以分离半导体衬底和器件层,其中在移除牺牲层的步骤中,在牺牲层移除之前形成从器件层延伸到牺牲层的凹槽,以及使用蚀刻溶液经由凹槽渗透到牺牲层。
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公开(公告)号:CN1815734A
公开(公告)日:2006-08-09
申请号:CN200510009405.2
申请日:2005-02-03
申请人: 光磊科技股份有限公司
CPC分类号: H01L24/97 , H01L24/73 , H01L24/82 , H01L2224/04042 , H01L2224/04105 , H01L2224/24 , H01L2224/24137 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73227 , H01L2224/73265 , H01L2224/73267 , H01L2224/92137 , H01L2224/92244 , H01L2224/97 , H01L2924/10253 , H01L2924/12041 , H01L2924/14 , H01L2924/15153 , H01L2924/15156 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/82 , H01L2224/83
摘要: 根据本发明的方法,是先在一基板上形成沟渠结构,此基板可为一般半导体晶圆或是适用于半导体微影制程的各种基板,如陶瓷基板或塑料基板等。根据本发明的最佳实施例中,是以硅晶圆为基板材料。接着将发光二极管数组和驱动集成电路数组放置于相对应的沟渠结构中,并形成一绝缘层于基板、发光二极管数组和驱动集成电路数组表面上,接着利用一微影制程程序在两者接脚间形成电性连接,并进行切割来完成各封装单元,再将封装单元固着于印刷电路板上,进行打线接合驱动集成电路与印刷电路板上的输出输入接脚。
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公开(公告)号:CN106298742A
公开(公告)日:2017-01-04
申请号:CN201610858225.X
申请日:2012-12-28
申请人: 日月光半导体制造股份有限公司
IPC分类号: H01L23/552 , H01L21/60
CPC分类号: H01L23/552 , H01L21/568 , H01L24/97 , H01L2224/13025 , H01L2224/16225 , H01L2224/16235 , H01L2224/48227 , H01L2224/48235 , H01L2224/73227 , H01L2224/97 , H01L2924/15311 , H01L2924/18161 , H01L2924/3025 , H01L2224/81 , H01L2224/85 , H01L2924/00
摘要: 一种半导体封装件及其制造方法。半导体封装件包括芯片、封装体、导电件及屏蔽膜。芯片设置于该导电件上且具有一散热件贯穿芯片。封装体包覆芯片及导电件,且具有一外侧面及相对的一上表面及一下表面且包括一第一散热孔及一第二散热孔。第一散热孔从散热件延伸至该封装体的该上表面,第二散热孔从封装体的上表面延伸至芯片上散热件以外的一区域。屏蔽膜形成于封装体的上表面及外侧面并电性连接导电件。
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公开(公告)号:CN105321903A
公开(公告)日:2016-02-10
申请号:CN201410844501.8
申请日:2014-12-30
申请人: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号: H01L23/48 , H01L25/065 , H01L21/768
CPC分类号: H01L25/0657 , H01L21/76802 , H01L21/76805 , H01L21/7681 , H01L21/76877 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L23/5226 , H01L24/02 , H01L24/04 , H01L24/24 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/80 , H01L24/82 , H01L24/83 , H01L24/91 , H01L25/50 , H01L2224/02372 , H01L2224/02377 , H01L2224/02381 , H01L2224/04042 , H01L2224/05548 , H01L2224/05572 , H01L2224/2405 , H01L2224/24146 , H01L2224/24147 , H01L2224/32146 , H01L2224/451 , H01L2224/48463 , H01L2224/73227 , H01L2224/80896 , H01L2224/82031 , H01L2224/92 , H01L2224/9202 , H01L2224/9212 , H01L2225/0651 , H01L2225/06524 , H01L2225/06544 , H01L2225/06565 , H01L2924/00014 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207 , H01L2224/80001 , H01L2224/82 , H01L2224/8203 , H01L2224/821
摘要: 本发明提供了一种集成电路结构,其包括第一和第二半导体芯片。第一半导体芯片包括第一衬底和位于第一衬底下面的多个第一介电层。第二半导体芯片包括第二衬底和位于第二衬底上方的多个第二介电层,其中多个第一介电层和多个第二介电层彼此接合。金属焊盘位于多个第二介电层中。重分布线位于第一衬底的上方。导电插塞电连接至重分布线。导电插塞包括从第一衬底的顶面延伸至第一衬底的底面的第一部分和从第一衬底的底面延伸至金属焊盘的第二部分。第二部分的底面接触金属焊盘的顶面。本发明涉及具有重分布线的堆叠集成电路。
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公开(公告)号:CN105280834A
公开(公告)日:2016-01-27
申请号:CN201510319027.1
申请日:2015-06-11
申请人: 思鹭科技股份有限公司
IPC分类号: H01L51/52 , H01L51/56 , H01L23/488
CPC分类号: H01L25/0657 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L23/3107 , H01L23/5389 , H01L23/552 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/08 , H01L24/17 , H01L24/20 , H01L24/96 , H01L2224/02379 , H01L2224/03462 , H01L2224/03552 , H01L2224/04105 , H01L2224/05548 , H01L2224/08145 , H01L2224/08146 , H01L2224/12105 , H01L2224/131 , H01L2224/16055 , H01L2224/16145 , H01L2224/16227 , H01L2224/16235 , H01L2224/16238 , H01L2224/1703 , H01L2224/2518 , H01L2224/32145 , H01L2224/48091 , H01L2224/48145 , H01L2224/48227 , H01L2224/73209 , H01L2224/73227 , H01L2224/73253 , H01L2224/73265 , H01L2224/73267 , H01L2224/97 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2225/06548 , H01L2225/06555 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/18162 , H01L2924/3025 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/81 , H01L2924/014 , H01L51/5237 , H01L24/10 , H01L51/52 , H01L51/56
摘要: 本发明提供一种封装结构以及封装结构的制作方法,所述封装结构包括第一芯片、第一可选择性电镀环氧树脂、第一图案化线路层以及复数个第一导通孔。第一芯片包括复数个第一焊垫、主动表面以及相对主动表面的背面,第一焊垫设置在主动表面上。第一可选择性电镀环氧树脂,覆盖第一芯片并包含非导电的金属复合物。第一图案化线路层直接设置在第一可选择性电镀环氧树脂的表面上。第一导通孔直接设置于第一可选择性电镀环氧树脂,以电性连接第一焊垫至第一图案化线路层。一种封装结构的制作方法也被提出。本发明处理步骤简单,且具有较大的线路设计弹性。
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公开(公告)号:CN105023916A
公开(公告)日:2015-11-04
申请号:CN201510193296.8
申请日:2015-04-22
申请人: 精材科技股份有限公司
IPC分类号: H01L25/00 , H01L23/488 , H01L23/31 , H01L21/56 , H01L21/60
CPC分类号: H01L25/16 , H01L21/561 , H01L23/3114 , H01L24/19 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/94 , H01L24/97 , H01L25/0652 , H01L25/0655 , H01L25/18 , H01L25/50 , H01L2224/04042 , H01L2224/04105 , H01L2224/05624 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/12105 , H01L2224/2929 , H01L2224/29339 , H01L2224/32145 , H01L2224/45014 , H01L2224/45101 , H01L2224/48091 , H01L2224/48145 , H01L2224/48227 , H01L2224/48464 , H01L2224/73209 , H01L2224/73227 , H01L2224/73265 , H01L2224/85424 , H01L2224/85447 , H01L2224/85455 , H01L2224/94 , H01L2224/97 , H01L2225/06506 , H01L2225/06524 , H01L2225/06568 , H01L2924/00014 , H01L2924/10252 , H01L2924/10253 , H01L2924/1032 , H01L2924/14 , H01L2924/141 , H01L2924/1421 , H01L2924/143 , H01L2924/1461 , H01L2924/181 , H01L2924/19011 , H01L2924/19105 , H01L2224/85 , H01L2224/81 , H01L2924/00012 , H01L2224/83 , H01L2224/82 , H01L2924/00 , H01L2224/45015 , H01L2924/207 , H01L2924/014 , H01L2224/45099
摘要: 本发明提供一种晶片封装体及其制造方法,该晶片封装体包含半导体晶片、第一晶片、第一连接部、模塑层、重布局金属层以及封装层。半导体晶片具有至少一第一导电垫以及至少一第二导电垫设置于半导体晶片的上表面。第一晶片配置于上表面上,第一晶片具有至少第一晶片导电垫。第一连接部直接电性连接第一晶片导电垫与第一导电垫。模塑层覆盖上表面、第一晶片以及第一连接部,模塑层具有开口暴露出该第二导电垫。重布局金属层设置于开口内与第二导电垫电性连接,且重布局金属层延伸至模塑层上。封装层覆盖重布局金属层以及模塑层。本发明不仅于同一封装体内整合多个晶片,还可简化重布局金属层的图案布局。
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公开(公告)号:CN109148386A
公开(公告)日:2019-01-04
申请号:CN201710815735.3
申请日:2017-09-12
申请人: 日月光半导体制造股份有限公司
发明人: 博恩·卡尔·艾皮特
IPC分类号: H01L23/31 , H01L23/498 , H01L21/56
CPC分类号: H01L24/24 , H01L21/568 , H01L21/6835 , H01L23/3107 , H01L23/3114 , H01L23/5389 , H01L24/04 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/25 , H01L25/0657 , H01L2221/68359 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/211 , H01L2224/24105 , H01L2224/24137 , H01L2224/25171 , H01L2224/32225 , H01L2224/48137 , H01L2224/73209 , H01L2224/73217 , H01L2224/73227 , H01L2224/73259 , H01L2224/73267 , H01L2225/06506 , H01L2225/0652 , H01L2225/06548 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L23/3121 , H01L21/561 , H01L23/49811 , H01L23/49827
摘要: 本发明揭示一种半导体封装,其包含至少一个半导体元件、封装体、第一电路、第二电路及至少一个第一柱状凸块。所述封装体覆盖所述半导体元件的至少一部分。所述封装体具有第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面。所述第一电路安置成邻近于所述封装体的所述第一表面。所述第二电路安置成邻近于所述封装体的所述第二表面。所述第一柱状凸块安置在所述封装体中,且电连接所述第一电路及所述第二电路。所述第一柱状凸块直接接触所述第二电路。
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公开(公告)号:CN108352361A
公开(公告)日:2018-07-31
申请号:CN201680058110.0
申请日:2016-10-11
申请人: 英帆萨斯公司
IPC分类号: H01L23/00 , H01L23/495 , H01L21/48
CPC分类号: H01L23/552 , H01L23/49811 , H01L24/06 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L25/03 , H01L25/0652 , H01L25/0655 , H01L25/0657 , H01L25/105 , H01L2224/04042 , H01L2224/1134 , H01L2224/12105 , H01L2224/13076 , H01L2224/13082 , H01L2224/131 , H01L2224/16145 , H01L2224/16227 , H01L2224/16265 , H01L2224/17051 , H01L2224/17181 , H01L2224/215 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/45015 , H01L2224/48105 , H01L2224/48227 , H01L2224/48472 , H01L2224/4942 , H01L2224/73204 , H01L2224/73207 , H01L2224/73227 , H01L2224/73253 , H01L2224/73259 , H01L2224/73265 , H01L2224/73267 , H01L2224/85444 , H01L2224/85455 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/1023 , H01L2225/1052 , H01L2924/00014 , H01L2924/01322 , H01L2924/1205 , H01L2924/1206 , H01L2924/1207 , H01L2924/181 , H01L2924/19105 , H01L2924/19107 , H01L2924/3025 , H01L2224/45099 , H01L2924/2075 , H01L2924/20751 , H01L2924/20752 , H01L2924/20753 , H01L2924/20754 , H01L2924/20755 , H01L2924/00012 , H01L2924/014 , H01L2924/00 , H01L2224/05599
摘要: 大致有关于具有免于干扰的保护的微电子封装的设备是被揭示。在本发明的设备中,基板是具有上表面以及与该上表面相对的下表面,并且具有接地面。第一微电子装置是耦接至该基板的该上表面。引线接合线是耦接至该接地面以用于传导该干扰至其,并且从该基板的该上表面延伸离开。该些引线接合线的第一部分是被设置以提供用于该第一微电子装置的相关该干扰的屏蔽区域。该些引线接合线的第二部分并未被设置以提供该屏蔽区域。第二微电子装置是耦接至该基板,并且位在该屏蔽区域之外。导电表面是在该些引线接合线的该第一部分之上,以用于覆盖该屏蔽区域。
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