公开(公告)号：CN108475646A

公开(公告)日：2018-08-31

申请号：CN201680073092.3

申请日：2016-12-05

申请人： 英帆萨斯公司

发明人： 沈虹 ,  王亮 ,  高桂莲

IPC分类号： H01L21/48 ,  H01L21/18 ,  H01L27/108 ,  H01L21/822

CPC分类号： H01L24/94 ,  H01L21/304 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/31051 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76898 ,  H01L21/78 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2224/83895 ,  H01L2224/83896 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1032 ,  H01L2924/1205 ,  H01L2924/1207 ,  H01L2924/1304 ,  H01L2924/1436

摘要： 本发明提供用于提供具有已知良好晶粒的三维晶圆组件的范例系统和方法。一种范例方法编辑一半导体晶圆上的晶粒的索引编号并且移除有缺陷的晶粒，以便提供一具有全部为可操作的晶粒的晶圆。多个晶圆上的有缺陷晶粒可以被平行移除，并且产生于三维晶圆组件中堆栈全部为良好晶粒的晶圆。于一施行方式中，被移除的有缺陷的晶粒所留下的空间可以可操作的晶粒或是一填补材料被至少部分填补。有缺陷的晶粒可以在晶圆至晶圆组装之前或之后被置换，以避免生产有缺陷的堆栈式装置，或者，所述空间亦可以保持空白。一底部装置晶圆亦可以移除或是置换其有缺陷的晶粒，从而产生会提供没有任何有缺陷晶粒的三维堆栈的晶圆至晶圆组件。

公开(公告)号：CN108292650A

公开(公告)日：2018-07-17

申请号：CN201580084743.4

申请日：2015-12-22

申请人： 英特尔公司

发明人： G.C.多贾米斯 ,  T.坎加英 ,  J.A.法尔孔 ,  Y.富太 ,  V.K.奈尔

IPC分类号： H01L23/66 ,  H01L23/28 ,  H01L25/065

CPC分类号： H01L23/66 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/20 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/18 ,  H01L2223/6672 ,  H01L2223/6677 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06572 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1032 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/19011 ,  H01L2924/19105

摘要： 本发明的实施例包括一种微电子器件，其包括：利用基于硅的衬底形成的第一管芯和耦合到第一管芯的第二管芯。该第二管芯是在不同衬底（例如化合物半导体衬底、III-V族衬底）中利用化合物半导体材料形成的。天线单元耦合到第二管芯。该天线单元以近似4GHz或更高的频率来发送和接收通信。

公开(公告)号：CN108155168A

公开(公告)日：2018-06-12

申请号：CN201810140687.7

申请日：2014-12-05

申请人： 英飞凌科技奥地利有限公司

发明人： K·霍塞尼 ,  J·马勒 ,  R·奥特雷姆巴 ,  J·赫格劳尔 ,  J·施雷德尔 ,  X·施勒格尔 ,  K·希斯

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L29/20 ,  H01L29/78 ,  H01L21/331 ,  H01L21/329 ,  H01L21/335

CPC分类号： H01L24/02 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/41 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/6609 ,  H01L29/66325 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/78 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/37124 ,  H01L2224/37139 ,  H01L2224/37144 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/37155 ,  H01L2224/40095 ,  H01L2224/40227 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/4103 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48111 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/73221 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/1032 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15724 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099

摘要： 本发明涉及电子器件。该电子器件包括在单个壳体中的多个半导体芯片。这样的半导体芯片可以包括不同的半导体材料，例如它们可以包括GaN。使用键合夹片而不是键合线是将这样的半导体芯片连接到衬底的高效方式。

公开(公告)号：CN104465543B

公开(公告)日：2017-07-28

申请号：CN201410414756.0

申请日：2014-08-21

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 蔡柏豪 ,  郑礼辉 ,  洪瑞斌 ,  林俊成

IPC分类号： H01L23/31 ,  H01L25/16

CPC分类号： H01L24/96 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/311 ,  H01L21/561 ,  H01L21/565 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/02 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/19 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2221/68372 ,  H01L2224/02205 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/02379 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/024 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05025 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13026 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/04642 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2924/0549 ,  H01L2924/07025 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1027 ,  H01L2924/1032 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1432 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00

摘要： 模塑料中具有凹槽的集成扇出封装结构。一种封装件包括第一管芯和第二管芯。第一管芯包括第一衬底和第一衬底上方的第一金属焊盘。第二管芯包括第二衬底和第二衬底上方的第二金属焊盘。在模塑料中模制第一管芯和第二管芯。模塑料具有介于第一管芯和第二管芯之间的第一部分、以及可形成围绕第一部分的环的第二部分。第一部分和第二部分位于第一管芯的相对侧。第一部分具有第一顶面。第二部分具有高于第一顶面的第二顶面。

公开(公告)号：CN105931996A

公开(公告)日：2016-09-07

申请号：CN201610086287.3

申请日：2016-02-15

申请人： 英飞凌科技美国公司

发明人： 熊顺和 ,  G·马隆尼

IPC分类号： H01L23/00 ,  H01L23/043 ,  H01L23/08

CPC分类号： H01L23/043 ,  H01L23/049 ,  H01L23/08 ,  H01L23/373 ,  H01L23/4952 ,  H01L23/49555 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49844 ,  H01L23/49866 ,  H01L24/06 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1027 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/1032 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/10344 ,  H01L2924/16195 ,  H01L2924/181 ,  H05K1/181 ,  H05K2201/068 ,  Y02P70/611 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207 ,  H01L2924/00 ,  H01L23/562

摘要： 提供了具有多层基底的半导体封装。一种用于安装到印刷电路板(PCB)的半导体封装包括陶瓷外壳中的半导体裸片、在导电基底的顶表面处耦合到半导体裸片的导电基底，其中，导电基底包括具有第一热膨胀系数(CTE)的第一层和具有至少一个安装片和第二CTE的第二层。导电基底被配置为减少陶瓷外壳中的热应力，其中，第一CTE与陶瓷外壳的CTE相同或稍有不同，第二CTE大于第一CTE，并且PCB的CTE大于或等于第二CTE。导电基底被配置为将半导体裸片的功率电极电气耦合到PCB。

公开(公告)号：CN104488086A

公开(公告)日：2015-04-01

申请号：CN201480001915.2

申请日：2014-04-15

申请人： 住友电气工业株式会社

发明人： 熊野哲弥 ,  吉本晋

IPC分类号： H01L29/872 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/338 ,  H01L21/60 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L29/47 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC分类号： H01L29/475 ,  H01L21/28581 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/83 ,  H01L24/89 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812 ,  H01L29/872 ,  H01L2224/03002 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05075 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05083 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05169 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/06051 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/27002 ,  H01L2224/29017 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/32014 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48105 ,  H01L2224/48225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/80801 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2924/1032 ,  H01L2924/10323 ,  H01L2924/10325 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/10334 ,  H01L2924/10341 ,  H01L2924/10344 ,  H01L2924/10346 ,  H01L2924/10355 ,  H01L2924/10356 ,  H01L2924/10357 ,  H01L2924/10358 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/13064 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05124 ,  H01L23/488 ,  H01L24/28 ,  H01L29/401 ,  H01L29/41 ,  H01L29/66143 ,  H01L29/66462 ,  H01L2224/27 ,  H01L2224/28105

摘要： 一种含有焊料的半导体器件(1)包括半导体器件(1D)。该半导体器件(1D)包括衬底(10)，布置在该衬底(10)上的至少一层III族氮化物半导体层(20)，布置在该III族氮化物半导体层(20)上的肖特基电极(40)和布置在该肖特基电极(40)上的焊垫电极(50)。该焊垫电极(50)具有包括至少Pt层的多层结构。该含有焊料的半导体器件(1)还包括具有200至230℃的熔点且布置在半导体器件(1D)的焊垫电极(50)上的焊料(60)。因此，能够安装包括肖特基栅极、布置在肖特基栅极上的焊垫电极和布置在焊垫电极上的焊料的含有焊料的半导体器件，以提供不使半导体器件的性能劣化的安装的含有焊料的半导体器件。

公开(公告)号：CN103477420A

公开(公告)日：2013-12-25

申请号：CN201180069932.6

申请日：2011-04-08

申请人： EV集团E·索尔纳有限责任公司

发明人： T.普拉赫 ,  K.欣格尔 ,  M.温普林格 ,  C.弗勒特根

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/762

CPC分类号： H01L24/83 ,  H01L21/0223 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/187 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/76251 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L2224/27444 ,  H01L2224/278 ,  H01L2224/29188 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/8309 ,  H01L2224/83896 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/10252 ,  H01L2924/1032 ,  H01L2924/10328 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/10331 ,  H01L2924/10332 ,  H01L2924/10333 ,  H01L2924/10334 ,  H01L2924/10335 ,  H01L2924/10336 ,  H01L2924/10346 ,  H01L2924/1082 ,  H01L2924/10821 ,  H01L2924/10823 ,  H01L2924/20106

摘要： 本发明涉及第一衬底(1)的第一接触面(3)与第二衬底(2)的第二接触面(4)的粘合方法，所述方法具有下列步骤，尤其是下列过程：-在第一接触面(3)上的表面层(6)中形成储库(5)，其中表面层(6)至少主要由天然氧化物材料组成，-用第一原料物或第一组原料物至少部分填充储库(5)，-使第一接触面(3)与第二接触面(4)接触以形成预粘合连接，-在第一和第二接触面(3,4)之间形成永久粘合，其通过第一原料物与第二衬底的反应层(7)中所含的第二原料物的反应至少部分增强。

公开(公告)号：CN108352355A

公开(公告)日：2018-07-31

申请号：CN201680062703.4

申请日：2016-11-04

申请人： 德州仪器公司

发明人： 拉吉夫·D·乔希 ,  豪·阮 ,  阿宁迪亚·波达尔 ,  肯·范

IPC分类号： H01L21/70 ,  H01L23/495 ,  H05K1/00

CPC分类号： H01L23/49537 ,  H01L21/4825 ,  H01L21/4828 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/49544 ,  H01L23/49558 ,  H01L23/49575 ,  H01L23/49582 ,  H01L23/49586 ,  H01L23/49589 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/83 ,  H01L25/16 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10271 ,  H01L2924/1032 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014

摘要： 在所描述实例中，一种用于半导体系统的双引线框(100)包含：具有由第一间隙分离的第一金属区域的第一引线框(110)，所述第一金属区域包含具有减小的厚度和选定第一位置中的接合供应品的部分；以及具有由第二间隙分离的第二金属区域的第二引线框(120)，所述第二金属区域包含具有减小的厚度和与所述第一位置匹配的选定第二位置中的接合供应品(150)的部分。所述第二引线框(120)堆叠于所述第一引线框(110)的顶部上，且匹配的所述第二位置与所述第一位置的接合供应品被链接在一起。所得双引线框(100)能够进一步包含绝缘材料(140)，绝缘材料(140)填充所述第一间隙和所述第二间隙和具有减小的厚度的所述区域部分，并具有与顶部和底部金属表面共面的绝缘表面。

公开(公告)号：CN103329264B

公开(公告)日：2016-09-07

申请号：CN201180066155.X

申请日：2011-03-23

申请人： 德塞拉股份有限公司

发明人： 瓦格.奥甘赛安 ,  贝勒卡西姆.哈巴 ,  伊利亚斯.默罕默德 ,  克雷格.米切尔 ,  皮尤什.萨瓦利亚

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L25/065

CPC分类号： H01L25/00 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/3178 ,  H01L23/481 ,  H01L24/81 ,  H01L24/92 ,  H01L24/94 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29188 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/83005 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1032 ,  H01L2924/1037 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/1436 ,  H01L2924/1437 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00

摘要： 提供了微电子组件(100)，其中分别在第一微电子元件(110)和第二微电子元件(102)的正面暴露的第一导电垫(108)与第二导电垫(106)并置，每个微电子元件都包含有源半导体器件。导电元件(114)可在第一开口(111)、第二开口(113)和第三开口(180)内延伸，第一开口(111)从第一微电子元件(110)的背面(118)朝着其正面(103)延伸，第二开口(113)从第一开口(111)朝着第一微电子元件(110)的正面(103)延伸，第三开口(180)穿过第一垫(108)和第二垫(106)中至少一个而延伸，以与第一垫及第二垫接触。第一开口(111)和第二开口(113)的内表面(121、123)可相对于第一微电子元件(110)的正面(103)分别沿第一方向和第二方向延伸，以限定明显的角度。

公开(公告)号：CN103370783B

公开(公告)日：2016-02-03

申请号：CN201180067645.1

申请日：2011-12-14

申请人： 德塞拉股份有限公司

发明人： 瓦格·奥甘赛安 ,  贝勒卡西姆·哈巴 ,  伊利亚斯·默罕默德 ,  皮尤什·萨瓦利亚 ,  克雷格·米切尔

IPC分类号： H01L21/98 ,  H01L23/00 ,  H01L25/065 ,  H01L21/56 ,  H01L21/78 ,  H01L29/06 ,  B81C1/00 ,  H01L23/13

CPC分类号： H01L23/562 ,  B81C1/00269 ,  B81C1/00357 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/561 ,  H01L21/563 ,  H01L21/568 ,  H01L23/13 ,  H01L24/05 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L24/94 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L29/0657 ,  H01L2224/29186 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32057 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/83051 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83345 ,  H01L2224/83385 ,  H01L2224/83855 ,  H01L2224/83856 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06555 ,  H01L2225/06575 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/10158 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1027 ,  H01L2924/1032 ,  H01L2924/1037 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00

摘要： 使第一微电子元件与第二微电子元件结合的方法包括，使其内包含有源电路元件(108)的第一基板(100)与第二基板(112)挤压在一起，可流动介电材料(102)设置在各基板的相面对表面之间，第一基板(100)和第二基板(112)中每个都具有小于每摄氏度百万分之十的热膨胀系数，相面对表面中至少一个具有从此表面的边缘延伸的复数个通道(118A-118F)，使得相面对表面所限定的平面之间的介电材料(102)基本上无空穴且具有超过1微米的厚度，且至少一些介电材料(102)流入至少一些通道内。