公开(公告)号：CN108155168A

公开(公告)日：2018-06-12

申请号：CN201810140687.7

申请日：2014-12-05

申请人： 英飞凌科技奥地利有限公司

发明人： K·霍塞尼 ,  J·马勒 ,  R·奥特雷姆巴 ,  J·赫格劳尔 ,  J·施雷德尔 ,  X·施勒格尔 ,  K·希斯

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L29/20 ,  H01L29/78 ,  H01L21/331 ,  H01L21/329 ,  H01L21/335

CPC分类号： H01L24/02 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/41 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/6609 ,  H01L29/66325 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/78 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/37124 ,  H01L2224/37139 ,  H01L2224/37144 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/37155 ,  H01L2224/40095 ,  H01L2224/40227 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/4103 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48111 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/73221 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/1032 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15724 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099

摘要： 本发明涉及电子器件。该电子器件包括在单个壳体中的多个半导体芯片。这样的半导体芯片可以包括不同的半导体材料，例如它们可以包括GaN。使用键合夹片而不是键合线是将这样的半导体芯片连接到衬底的高效方式。

公开(公告)号：CN104112721A

公开(公告)日：2014-10-22

申请号：CN201410153242.4

申请日：2014-04-16

申请人： 英飞凌科技奥地利有限公司

发明人： R·奥特雷姆巴 ,  J·赫格劳尔 ,  J·施雷德尔 ,  X·施勒格尔 ,  K·希斯

IPC分类号： H01L23/367

CPC分类号： H01L23/34 ,  H01L21/50 ,  H01L23/495 ,  H01L23/49513 ,  H01L23/49524 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49568 ,  H01L24/33 ,  H01L24/34 ,  H01L24/36 ,  H01L24/40 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/4007 ,  H01L2224/40095 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/77272 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/37099

摘要： 一种半导体设备包括导电载体，所述导电载体具有安装表面。所述半导体设备进一步包括具有面向所述导电载体的第一表面和背向所述导电载体的第二表面的金属块。半导体功率芯片被布置在所述金属块的所述第二表面之上。

公开(公告)号：CN109473415B

公开(公告)日：2023-05-30

申请号：CN201811049780.3

申请日：2018-09-10

申请人： 英飞凌科技奥地利有限公司

发明人： R·奥特伦巴 ,  A·A·胡德 ,  T·S·李 ,  X·施勒格尔 ,  B·施默尔泽

IPC分类号： H01L23/495 ,  H01L23/367

摘要： 一种封装，包封功率半导体管芯并具有封装主体，封装主体具有封装顶侧、封装覆盖区侧和封装侧壁，封装侧壁从封装覆盖区侧延伸到封装顶侧，其中管芯具有第一和第二负载端子且被配置为阻挡施加在所述负载端子之间的阻断电压，其中封装包括：被配置为将封装电气和机械地耦合到支撑件的引线框架结构，其中封装覆盖区侧面向支撑件，引线框架结构包括至少一个第一外部端子；顶层，布置在封装顶侧并与管芯的第二负载端子电连接，其中至少一个第一外部端子的电位与顶层的电位之间的爬电长度由封装主体表面轮廓限定，表面轮廓至少由封装顶侧和封装侧壁形成；至少一个结构特征，也形成表面轮廓并配置为增加爬电长度。

公开(公告)号：CN104701308B

公开(公告)日：2018-03-23

申请号：CN201410742258.9

申请日：2014-12-05

申请人： 英飞凌科技奥地利有限公司

发明人： K·霍塞尼 ,  J·马勒 ,  R·奥特雷姆巴 ,  J·赫格劳尔 ,  J·施雷德尔 ,  X·施勒格尔 ,  K·希斯

IPC分类号： H01L25/16 ,  H01L23/48

CPC分类号： H01L24/02 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/41 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/6609 ,  H01L29/66325 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/78 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/37124 ,  H01L2224/37139 ,  H01L2224/37144 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/37155 ,  H01L2224/40095 ,  H01L2224/40227 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/4103 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48111 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/73221 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/1032 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15724 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099

摘要： 本发明涉及电子器件。该电子器件包括在单个壳体中的多个半导体芯片。这样的半导体芯片可以包括不同的半导体材料，例如它们可以包括GaN。使用键合夹片而不是键合线是将这样的半导体芯片连接到衬底的高效方式。

公开(公告)号：CN104517868B

公开(公告)日：2017-07-28

申请号：CN201410522858.4

申请日：2014-09-30

申请人： 英飞凌科技奥地利有限公司

发明人： R·奥特雷姆巴 ,  J·赫格劳尔 ,  K·希斯 ,  X·施勒格尔 ,  J·施雷德尔

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/498 ,  H01L25/07

CPC分类号： H01L23/13 ,  H01L23/48 ,  H01L23/5383 ,  H01L23/5385 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/83 ,  H01L25/065 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00

摘要： 本申请公开了一种电子部件，其包括至少一个半导体器件和重新分布板，重新分布板包括至少两个非传导层和传导重新分布结构。半导体器件嵌入重新分布板中，并且电耦合到重新分布结构，并且该重新分布板的侧面具有台阶。重新分布结构的外接触垫被布置在该台阶上。

公开(公告)号：CN103972193B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201410045302.0

申请日：2014-02-07

申请人： 英飞凌科技奥地利有限公司

发明人： R·奥特雷姆巴 ,  J·赫格劳尔 ,  J·施雷德尔 ,  X·施勒格尔 ,  K·希斯

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L21/60 ,  H01L21/58 ,  H01L25/07

CPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/50 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/06 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/84 ,  H01L24/92 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/04034 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/27318 ,  H01L2224/29078 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/37011 ,  H01L2224/371 ,  H01L2224/37599 ,  H01L2224/40095 ,  H01L2224/40137 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/73255 ,  H01L2224/73263 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2224/8382 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2224/92246 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13064 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： 各种实施例提供一种功率晶体管装置。功率晶体管装置可以包括载体；第一功率晶体管，具有控制电极和第一功率电极和第二功率电极；以及第二功率晶体管，具有控制电极和第一功率电极和第二功率电极。第一功率晶体管和第二功率晶体管可以彼此紧邻地布置在载体上，使得第一功率晶体管的控制电极和第二功率晶体管的控制电极面向载体。

公开(公告)号：CN104701308A

公开(公告)日：2015-06-10

申请号：CN201410742258.9

申请日：2014-12-05

申请人： 英飞凌科技奥地利有限公司

发明人： K·霍塞尼 ,  J·马勒 ,  R·奥特雷姆巴 ,  J·赫格劳尔 ,  J·施雷德尔 ,  X·施勒格尔 ,  K·希斯

IPC分类号： H01L25/16 ,  H01L23/48

CPC分类号： H01L24/02 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/41 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/6609 ,  H01L29/66325 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/78 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/37124 ,  H01L2224/37139 ,  H01L2224/37144 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/37155 ,  H01L2224/40095 ,  H01L2224/40227 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/4103 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48111 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/73221 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/1032 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15724 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099

摘要： 本发明涉及电子器件。该电子器件包括在单个壳体中的多个半导体芯片。这样的半导体芯片可以包括不同的半导体材料，例如它们可以包括GaN。使用键合夹片而不是键合线是将这样的半导体芯片连接到衬底的高效方式。

公开(公告)号：CN108155168B

公开(公告)日：2021-05-07

申请号：CN201810140687.7

申请日：2014-12-05

申请人： 英飞凌科技奥地利有限公司

发明人： K·霍塞尼 ,  J·马勒 ,  R·奥特雷姆巴 ,  J·赫格劳尔 ,  J·施雷德尔 ,  X·施勒格尔 ,  K·希斯

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L29/20 ,  H01L29/78 ,  H01L21/331 ,  H01L21/329 ,  H01L21/335

摘要： 本发明涉及电子器件。该电子器件包括在单个壳体中的多个半导体芯片。这样的半导体芯片可以包括不同的半导体材料，例如它们可以包括GaN。使用键合夹片而不是键合线是将这样的半导体芯片连接到衬底的高效方式。

公开(公告)号：CN109473415A

公开(公告)日：2019-03-15

申请号：CN201811049780.3

申请日：2018-09-10

申请人： 英飞凌科技奥地利有限公司

发明人： R·奥特伦巴 ,  A·A·胡德 ,  T·S·李 ,  X·施勒格尔 ,  B·施默尔泽

IPC分类号： H01L23/495 ,  H01L23/367

摘要： 一种封装，包封功率半导体管芯并具有封装主体，封装主体具有封装顶侧、封装覆盖区侧和封装侧壁，封装侧壁从封装覆盖区侧延伸到封装顶侧，其中管芯具有第一和第二负载端子且被配置为阻挡施加在所述负载端子之间的阻断电压，其中封装包括：被配置为将封装电气和机械地耦合到支撑件的引线框架结构，其中封装覆盖区侧面向支撑件，引线框架结构包括至少一个第一外部端子；顶层，布置在封装顶侧并与管芯的第二负载端子电连接，其中至少一个第一外部端子的电位与顶层的电位之间的爬电长度由封装主体表面轮廓限定，表面轮廓至少由封装顶侧和封装侧壁形成；至少一个结构特征，也形成表面轮廓并配置为增加爬电长度。

公开(公告)号：CN103985703B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201410046687.2

申请日：2014-02-10

申请人： 英飞凌科技奥地利有限公司

发明人： R·奥特雷姆巴 ,  J·赫格劳尔 ,  J·施雷德尔 ,  X·施勒格尔 ,  K·希斯

IPC分类号： H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H01L23/31 ,  H01L23/367

CPC分类号： H01L27/088 ,  H01L23/49524 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49575 ,  H01L23/49844 ,  H01L24/34 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L25/071 ,  H01L25/072 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73221 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/84

摘要： 本发明的各种实施例提供一种功率晶体管布置，其可以包括：载体，至少包括主区域以及第一端子区域和第二端子区域，主区域、第一端子区域和第二端子区域相互电隔离；第一功率晶体管，具有控制电极、第一功率电极和第二功率电极，并且被布置于载体的主区域上，使得其第一功率电极面朝载体的主区域并且电耦合至载体的主区域；第二功率晶体管，具有控制电极、第一功率电极和第二功率电极，并且被布置于载体的端子区域上，使得其控制电极和其第一功率电极面朝端子区域，并且其控制电极电耦合至第一端子区域以及其第一功率电极电耦合至第二端子区域。