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公开(公告)号:CN114334626A
公开(公告)日:2022-04-12
申请号:CN202210003795.6
申请日:2016-02-16
申请人: EV 集团 E·索尔纳有限责任公司
IPC分类号: H01L21/18 , H01L21/20 , H01L21/324 , H01L21/66 , H01L21/67
摘要: 本发明涉及一种用于将第一衬底(2)与第二衬底(2')在所述衬底(2,2')的接触面(2o,2o')处接合的方法,其具有如下步骤、尤其是如下流程:‑用保持力FH1将所述第一衬底(2)保持在第一样品支架(1)的第一样品支架表面(1o)上,以及用保持力FH2将所述第二衬底(2')保持在第二样品支架(1')的第二样品支架表面(1o')上,‑将所述接触面(2o,2o')在接合发起部位(20)处接触并且至少将所述第二样品支架表面(1o,1o')加热到加热温度TH,‑沿着从所述接合发起部位(20)伸展至所述衬底(2,2')的侧边缘(2s,2s')的接合波,将所述第一衬底(2)与所述第二衬底(2')接合,其特征在于,在接合期间减小在所述第二样品支架表面(1o')上的所述加热温度TH。
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公开(公告)号:CN114334623A
公开(公告)日:2022-04-12
申请号:CN202210003742.4
申请日:2016-02-16
申请人: EV 集团 E·索尔纳有限责任公司
IPC分类号: H01L21/18 , H01L21/20 , H01L21/324 , H01L21/66 , H01L21/67
摘要: 本发明涉及一种用于将第一衬底(2)与第二衬底(2')在所述衬底(2,2')的接触面(2o,2o')处接合的方法,其具有如下步骤、尤其是如下流程:‑用保持力FH1将所述第一衬底(2)保持在第一样品支架(1)的第一样品支架表面(1o)上,以及用保持力FH2将所述第二衬底(2')保持在第二样品支架(1')的第二样品支架表面(1o')上,‑将所述接触面(2o,2o')在接合发起部位(20)处接触并且至少将所述第二样品支架表面(1o,1o')加热到加热温度TH,‑沿着从所述接合发起部位(20)伸展至所述衬底(2,2')的侧边缘(2s,2s')的接合波,将所述第一衬底(2)与所述第二衬底(2')接合,其特征在于,在接合期间减小在所述第二样品支架表面(1o')上的所述加热温度TH。
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公开(公告)号:CN109390221B
公开(公告)日:2023-09-22
申请号:CN201811177139.8
申请日:2013-05-29
申请人: EV 集团 E·索尔纳有限责任公司
IPC分类号: H01L21/18
摘要: 本发明涉及一种用以接合衬底的装置及方法,其中在第一接纳设备(1)的第一接纳表面(2o)上安置该第一衬底(3)且在第二接纳设备(4)的第二接纳表面(2o')上接纳该第二衬底(8);在接合起始位点(20)上接触该接触表面(3k、8k);沿着自该接合起始位点(20)行进至该衬底(3、8)的侧边缘(3s、8s)的接合波将该第一衬底(3)接合至该第二衬底(8),其中该第一衬底(3)和/或该第二衬底(8)经变形以在该接合之前和/或在该接合期间使该接触表面(3k、8k)在该接合起始位点(20)外对准。
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公开(公告)号:CN109616408B
公开(公告)日:2023-07-25
申请号:CN201811176948.7
申请日:2013-05-29
申请人: EV 集团 E·索尔纳有限责任公司
摘要: 本发明涉及一种用以接合衬底的装置及方法,其中在第一接纳设备(1)的第一接纳表面(2o)上安置该第一衬底(3)且在第二接纳设备(4)的第二接纳表面(2o')上接纳该第二衬底(8);在接合起始位点(20)上接触该接触表面(3k、8k);沿着自该接合起始位点(20)行进至该衬底(3、8)的侧边缘(3s、8s)的接合波将该第一衬底(3)接合至该第二衬底(8),其中该第一衬底(3)和/或该第二衬底(8)经变形以在该接合之前和/或在该接合期间使该接触表面(3k、8k)在该接合起始位点(20)外对准。
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公开(公告)号:CN109449081B
公开(公告)日:2023-07-14
申请号:CN201811176939.8
申请日:2013-05-29
申请人: EV 集团 E·索尔纳有限责任公司
IPC分类号: H01L21/18
摘要: 本发明涉及一种用以接合衬底的装置及方法,其中在第一接纳设备(1)的第一接纳表面(2o)上安置该第一衬底(3)且在第二接纳设备(4)的第二接纳表面(2o')上接纳该第二衬底(8);在接合起始位点(20)上接触该接触表面(3k、8k);沿着自该接合起始位点(20)行进至该衬底(3、8)的侧边缘(3s、8s)的接合波将该第一衬底(3)接合至该第二衬底(8),其中该第一衬底(3)和/或该第二衬底(8)经变形以在该接合之前和/或在该接合期间使该接触表面(3k、8k)在该接合起始位点(20)外对准。
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公开(公告)号:CN108766873B
公开(公告)日:2023-04-07
申请号:CN201810604777.7
申请日:2011-01-25
申请人: EV 集团 E·索尔纳有限责任公司
IPC分类号: H01L21/18 , H01L21/20 , H01L21/762 , H01L23/488
摘要: 本发明涉及用于永久接合晶片的方法。具体地,本发明涉及将第一基板(1)的第一接触表面(3)接合至第二基板(2)的第二接触表面(4)的方法,该方法具有以下步骤:‑在所述第一接触表面(3)的表面层(6)中形成贮液槽(5),其中孔分布随厚度增加而减小趋于零,‑用第一起始物或第一组起始物至少部分填充该贮液槽(5),‑使第一接触表面(3)与第二接触表面(4)接触以形成预接合连接。
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公开(公告)号:CN107078013A
公开(公告)日:2017-08-18
申请号:CN201480078566.4
申请日:2014-05-09
申请人: EV 集团 E·索尔纳有限责任公司
IPC分类号: H01J37/32 , H01L21/687
CPC分类号: H01J37/32568 , H01J37/32091 , H01J37/32532 , H01J37/32715 , H01J37/32733 , H01L21/3065 , H01L21/67069 , H01L21/68785
摘要: 本发明涉及一种装置,其用于将至少一个衬底(7)施加以等离子体,该装置具有第一电极(1)和可与该第一电极相对布置的第二电极(12),该电极构造成在该电极(1、12)之间产生该离子体,其特征在于,该电极(1、12)中的至少一个由至少两个电极单元(2、3)形成。此外,本发明涉及相应方法。
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公开(公告)号:CN105374667A
公开(公告)日:2016-03-02
申请号:CN201510911760.2
申请日:2011-01-25
申请人: EV集团E·索尔纳有限责任公司
CPC分类号: H01L21/187 , H01L21/2007 , H01L21/76251
摘要: 本发明涉及用于永久接合晶片的方法。具体地,本发明揭示一种将第一基板(1)的第一接触表面(3)接合至第二基板(2)的第二接触表面(4)的方法,该方法包含以下步骤,尤其包含以下顺序:-在第一接触表面(3)的表面层(6)中形成贮液槽(5),-利用第一起始物或第一组起始物至少部分填充该贮液槽(5),-使第一接触表面(3)与第二接触表面(4)接触以形成预接合连接,-在第一与第二接触表面(3、4)之间形成永久接合,通过使第一起始物与第二基板的反应层(7)中含有的第二起始物反应来至少部分强化该永久接合。
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公开(公告)号:CN108701592B
公开(公告)日:2024-04-05
申请号:CN201680083320.5
申请日:2016-03-22
申请人: EV 集团 E·索尔纳有限责任公司
摘要: 本发明涉及一种用于使第一衬底(4o)与第二衬底(4u)在衬底(4o,4u)的面向彼此的接触面(4k)处接合的方法,所述方法带有如下步骤、尤其如下流程:将第一衬底(4o)容纳在第一容纳设备(1,1',1'',1''',1IV,1V,1VI)的第一容纳面(1s,1s',1s'',1s''')处,并且将第二衬底(4u)容纳在第二容纳设备(1,1',1'',1''',1IV,1V,1VI)的第二容纳面(1s,1s',1s'',1s''')处,在接触面(4k)的接触之前使接触面(4k)弯曲,其特征在于,第一衬底(4o)的接触面(4k)的弯曲变化和/或第二衬底(4u)的接触面(4k)的弯曲变化在接合期间受控制。此外,本发明涉及一种对应的装置。
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公开(公告)号:CN109390220B
公开(公告)日:2023-05-23
申请号:CN201811177137.9
申请日:2013-05-29
申请人: EV 集团 E·索尔纳有限责任公司
IPC分类号: H01L21/18
摘要: 本发明涉及一种用以接合衬底的装置及方法,其中在第一接纳设备(1)的第一接纳表面(2o)上安置该第一衬底(3)且在第二接纳设备(4)的第二接纳表面(2o')上接纳该第二衬底(8);在接合起始位点(20)上接触该接触表面(3k、8k);沿着自该接合起始位点(20)行进至该衬底(3、8)的侧边缘(3s、8s)的接合波将该第一衬底(3)接合至该第二衬底(8),其中该第一衬底(3)和/或该第二衬底(8)经变形以在该接合之前和/或在该接合期间使该接触表面(3k、8k)在该接合起始位点(20)外对准。
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