公开(公告)号：CN108766873B

公开(公告)日：2023-04-07

申请号：CN201810604777.7

申请日：2011-01-25

Applicant: EV 集团 E·索尔纳有限责任公司

Inventor： T.普拉赫 ,  K.欣格尔 ,  M.温普林格 ,  C.弗勒特根

IPC: H01L21/18 ,  H01L21/20 ,  H01L21/762 ,  H01L23/488

Abstract: 本发明涉及用于永久接合晶片的方法。具体地，本发明涉及将第一基板(1)的第一接触表面(3)接合至第二基板(2)的第二接触表面(4)的方法，该方法具有以下步骤：‑在所述第一接触表面(3)的表面层(6)中形成贮液槽(5)，其中孔分布随厚度增加而减小趋于零，‑用第一起始物或第一组起始物至少部分填充该贮液槽(5)，‑使第一接触表面(3)与第二接触表面(4)接触以形成预接合连接。

公开(公告)号：CN105374667A

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201510911760.2

申请日：2011-01-25

Applicant: EV集团E·索尔纳有限责任公司

Inventor： T.普拉赫 ,  K.欣格尔 ,  M.温普林格 ,  C.弗勒特根

IPC: H01L21/18 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L21/187 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/76251

Abstract: 本发明涉及用于永久接合晶片的方法。具体地，本发明揭示一种将第一基板(1)的第一接触表面(3)接合至第二基板(2)的第二接触表面(4)的方法，该方法包含以下步骤，尤其包含以下顺序：-在第一接触表面(3)的表面层(6)中形成贮液槽(5)，-利用第一起始物或第一组起始物至少部分填充该贮液槽(5)，-使第一接触表面(3)与第二接触表面(4)接触以形成预接合连接，-在第一与第二接触表面(3、4)之间形成永久接合，通过使第一起始物与第二基板的反应层(7)中含有的第二起始物反应来至少部分强化该永久接合。

公开(公告)号：CN104488065A

公开(公告)日：2015-04-01

申请号：CN201280074902.9

申请日：2012-07-24

Applicant: EV集团E·索尔纳有限责任公司

Inventor： T.普拉赫 ,  K.欣格尔 ,  M.温普林格 ,  C.弗勒特根

IPC: H01L21/18 ,  H01L21/20

CPC classification number: B32B38/10 ,  B32B37/0046 ,  H01J37/32036 ,  H01J37/32082 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32339 ,  H01J37/32532 ,  H01J37/32798 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/187 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/67092

Abstract: 本发明涉及一种依以下步骤、尤其以下顺序使第一衬底的第一接触面与第二衬底的第二接触面结合的方法，其中该第二衬底具有最少一个反应层：将该衬底容纳于第一电极与第二电极之间或线圈内，通过对第一接触面施加借助于电极的电容耦合所产生的等离子体而在第一接触面上的储存器形成层中形成储存器，其中在等离子体产生或借助于线圈的电感耦合产生等离子体期间向该第一电极施加与该第二电极的第二频率不同的第一频率，其中在等离子体产生期间在第一发生器产生与第二发生器的第二频率不同的第一频率。此外，本发明涉及一种相应装置。

公开(公告)号：CN103477420A

公开(公告)日：2013-12-25

申请号：CN201180069932.6

申请日：2011-04-08

Applicant: EV集团E·索尔纳有限责任公司

Inventor： T.普拉赫 ,  K.欣格尔 ,  M.温普林格 ,  C.弗勒特根

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/762

CPC classification number: H01L24/83 ,  H01L21/0223 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/187 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/76251 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L2224/27444 ,  H01L2224/278 ,  H01L2224/29188 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/8309 ,  H01L2224/83896 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/10252 ,  H01L2924/1032 ,  H01L2924/10328 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/10331 ,  H01L2924/10332 ,  H01L2924/10333 ,  H01L2924/10334 ,  H01L2924/10335 ,  H01L2924/10336 ,  H01L2924/10346 ,  H01L2924/1082 ,  H01L2924/10821 ,  H01L2924/10823 ,  H01L2924/20106

Abstract: 本发明涉及第一衬底(1)的第一接触面(3)与第二衬底(2)的第二接触面(4)的粘合方法，所述方法具有下列步骤，尤其是下列过程：-在第一接触面(3)上的表面层(6)中形成储库(5)，其中表面层(6)至少主要由天然氧化物材料组成，-用第一原料物或第一组原料物至少部分填充储库(5)，-使第一接触面(3)与第二接触面(4)接触以形成预粘合连接，-在第一和第二接触面(3,4)之间形成永久粘合，其通过第一原料物与第二衬底的反应层(7)中所含的第二原料物的反应至少部分增强。

公开(公告)号：CN103460342A

公开(公告)日：2013-12-18

申请号：CN201180069894.4

申请日：2011-04-08

Applicant: EV集团E·索尔纳有限责任公司

Inventor： T.普拉赫 ,  K.欣格尔 ,  M.温普林格 ,  C.弗勒特根

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/762

CPC classification number: H01L21/20 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/76251

Abstract: 本发明涉及第一衬底(1)的第一接触面(3)与第二衬底(2)的第二接触面(4)的粘合方法，其具有下列步骤，尤其是下列序列：在第一衬底(1)和/或第二衬底(2)上的至少一个储库形成层(6,6’)中形成至少一个储库(5,5’)，其中所述储库(5,5’)至少主要由非晶材料构成，用第一原料物或第一组原料物至少部分填充储库(5,5’)，在储库(5)和/或储库(5’)上形成或施加含有第二原料物或第二组原料物的反应层(17)，使第一接触面(3)与第二接触面(4)接触以形成预-粘合-连接，在第一和第二接触面(3,4)之间形成永久粘合，其通过第一原料物或第一组原料物与第二原料物或第二组原料物的反应至少部分增强。

公开(公告)号：CN103329247A

公开(公告)日：2013-09-25

申请号：CN201180065964.9

申请日：2011-01-25

Applicant: EV集团E·索尔纳有限责任公司

Inventor： T.普拉赫 ,  K.欣格尔 ,  M.温普林格 ,  C.弗勒特根

IPC: H01L21/18 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L24/83 ,  H01L21/187 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/70 ,  H01L21/76251 ,  H01L24/80 ,  H01L2224/80907 ,  H01L2224/83009 ,  H01L2224/83894 ,  H01L2224/83907 ,  H01L2924/01001 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01008 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/20102 ,  H01L2924/20103 ,  H01L2924/20104 ,  H01L2924/20105 ,  H01L2924/20106

Abstract: 本发明揭示一种将第一基板(1)的第一接触表面(3)接合至第二基板(2)的第二接触表面(4)的方法，该方法包含以下步骤，尤其包含以下顺序：-在第一接触表面(3)的表面层(6)中形成贮液槽(5)，-利用第一起始物或第一组起始物至少部分填充该贮液槽(5)，-使第一接触表面(3)与第二接触表面(4)接触以形成预接合连接，-在第一与第二接触表面(3、4)之间形成永久接合，通过使第一起始物与第二基板的反应层(7)中含有的第二起始物反应来至少部分强化该永久接合。

公开(公告)号：CN108470679B

公开(公告)日：2022-03-29

申请号：CN201810608288.9

申请日：2011-01-25

Applicant: EV 集团 E·索尔纳有限责任公司

Inventor： T.普拉赫 ,  K.欣格尔 ,  M.温普林格 ,  C.弗勒特根

IPC: H01L21/18 ,  H01L21/20 ,  H01L21/70 ,  H01L21/762 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明涉及用于永久接合晶片的方法。具体地，本发明涉及将第一基板(1)的第一接触表面(3)接合至第二基板(2)的第二接触表面(4)的方法，该方法具有以下步骤：‑在第一接触表面(3)的表面层(6)中形成贮液槽(5)，‑用第一起始物或第一组起始物至少部分填充该贮液槽(5)，‑使第一接触表面(3)与第二接触表面(4)接触以形成预接合连接，和‑在所述第一和第二接触表面(3,4)之间形成永久接合，通过使第一起始物与第二基板(2)的反应层(7)中含有的第二起始物反应来至少部分强化所述永久接合，其中该贮液槽(5)是由等离子体活化作用而形成的，其中等离子体处理中存在的离子的还原种类位于该贮液槽(5)中。

公开(公告)号：CN108766873A

公开(公告)日：2018-11-06

申请号：CN201810604777.7

申请日：2011-01-25

Applicant: EV 集团 E·索尔纳有限责任公司

Inventor： T.普拉赫 ,  K.欣格尔 ,  M.温普林格 ,  C.弗勒特根

IPC: H01L21/18 ,  H01L21/20 ,  H01L21/762 ,  H01L23/488

CPC classification number: H01L24/83 ,  H01L21/187 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/70 ,  H01L21/76251 ,  H01L24/80 ,  H01L2224/80907 ,  H01L2224/83009 ,  H01L2224/83894 ,  H01L2224/83907 ,  H01L2924/01001 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01008 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/20102 ,  H01L2924/20103 ,  H01L2924/20104 ,  H01L2924/20105 ,  H01L2924/20106

Abstract: 本发明涉及用于永久接合晶片的方法。具体地，本发明涉及将第一基板(1)的第一接触表面(3)接合至第二基板(2)的第二接触表面(4)的方法，该方法具有以下步骤：‑在所述第一接触表面(3)的表面层(6)中形成贮液槽(5)，其中孔分布随厚度增加而减小趋于零，‑用第一起始物或第一组起始物至少部分填充该贮液槽(5)，‑使第一接触表面(3)与第二接触表面(4)接触以形成预接合连接。

公开(公告)号：CN107195541A

公开(公告)日：2017-09-22

申请号：CN201710599033.6

申请日：2012-07-24

Applicant: EV 集团 E·索尔纳有限责任公司

Inventor： T.普拉赫 ,  K.欣格尔 ,  M.温普林格 ,  C.弗勒特根

IPC: H01L21/18 ,  H01L21/20 ,  H01L21/67 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明涉及一种永久结合晶圆的方法及装置，其中该第二衬底具有最少一个反应层：将该衬底容纳于第一电极与第二电极之间或线圈内，通过对第一接触面施加借助于电极的电容耦合所产生的等离子体而在第一接触面上的储存器形成层中形成储存器，其中在等离子体产生或借助于线圈的电感耦合产生等离子体期间向该第一电极施加与该第二电极的第二频率不同的第一频率，其中在等离子体产生期间在第一发生器产生与第二发生器的第二频率不同的第一频率。此外，本发明涉及一种相应装置。

公开(公告)号：CN103548129A

公开(公告)日：2014-01-29

申请号：CN201180071145.5

申请日：2011-08-30

Applicant: EV集团E·索尔纳有限责任公司

Inventor： K.马丁希茨 ,  M.温普林格 ,  B.雷布汉 ,  K.欣格尔

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/488

CPC classification number: H01L21/76251 ,  B23K20/021 ,  B23K20/023 ,  B23K35/001 ,  B23K35/0255 ,  B23K35/262 ,  B23K35/302 ,  B23K2101/40 ,  H01L21/185 ,  H01L24/05 ,  H01L24/08 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L24/94 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/038 ,  H01L2224/0384 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05557 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/0801 ,  H01L2224/08501 ,  H01L2224/2745 ,  H01L2224/27452 ,  H01L2224/275 ,  H01L2224/27505 ,  H01L2224/278 ,  H01L2224/2784 ,  H01L2224/29019 ,  H01L2224/2908 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29124 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/29166 ,  H01L2224/29181 ,  H01L2224/29184 ,  H01L2224/29211 ,  H01L2224/29311 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/3201 ,  H01L2224/325 ,  H01L2224/32501 ,  H01L2224/7565 ,  H01L2224/83013 ,  H01L2224/83022 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83345 ,  H01L2224/83365 ,  H01L2224/83385 ,  H01L2224/838 ,  H01L2224/8383 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2224/83

Abstract: 本发明涉及用于使第一固体衬底（1）与含有第一材料的第二固体衬底（2）粘合的方法，该方法通过下面的步骤，尤其是下面的顺序进行：-在第二固体衬底（2）上形成或施加含有第二材料的功能层（5），-使第一固体衬底（1）与第二固体衬底（2）在功能层（5）上接触，-将固体衬底（1、2）一起压制用于在第一和第二固体衬底（1、2）之间形成永久粘合，该粘合通过第一材料与第二材料的固体扩散和/或相变至少部分地得到增强，其中在功能层（5）上产生体积增加。在粘合过程中，没有或仅仅稍微超出了第一材料对第二材料的溶解度极限，从而尽可能避免金属间相的沉积并与此相反地形成混合晶体。第一材料可以是铜，而第二材料可以是锡。