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公开(公告)号:CN103518256B
公开(公告)日:2016-12-28
申请号:CN201280020489.8
申请日:2012-08-20
申请人: 米卡多科技株式会社
CPC分类号: H05K3/305 , B30B5/02 , B30B11/027 , B30B15/34 , B32B37/1009 , B32B37/1284 , B32B2457/12 , B32B2457/14 , H01L24/32 , H01L24/75 , H01L24/83 , H01L2224/2929 , H01L2224/293 , H01L2224/32225 , H01L2224/75102 , H01L2224/75315 , H01L2224/75316 , H01L2224/75317 , H01L2224/83001 , H01L2224/8309 , H01L2224/83191 , H01L2224/83203 , H01L2224/83209 , H01L2924/07802 , Y02P70/613 , Y10T29/53174 , Y10T29/53191 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要: 不仅能在真空中防止空气混入粘接层,而且能实现微小的按压力调节,从而在适度的加压下尽量抑制粘接剂溢出,并形成良好厚度的粘接层,以将元件利用真空加热接合在基板上。在真空加热接合装置中,利用驱动单元使上框构件的下端部与下板构件的周边部气密地滑动密封,而在内部形成真空间壁,并使加热剥离膜与元件的上表面接触来在大气压加热下使其软化,对真空腔内进行真空抽吸,进而使下板构件和中间构件朝靠近的方向相对移动,藉此使加压剥离膜的外周部处于气密地保持在下板构件的基板载置台上表面与内侧框体的下表面之间的状态,并对真空腔中的加压剥离膜上方空间施加大气压或比大气压高的压力,来使加压剥离膜与基板及元件的外表面紧密接触,以将元件与基板接合。
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公开(公告)号:CN103299407B
公开(公告)日:2016-09-14
申请号:CN201180064777.9
申请日:2011-12-12
申请人: 诺信公司
发明人: 阿莱克·J·巴比亚尔兹 , 托马斯·L·拉特里格 , 霍拉蒂奥·基尼奥内斯
IPC分类号: H01L21/56
CPC分类号: H01L21/563 , H01L23/295 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L2224/131 , H01L2224/13147 , H01L2224/16227 , H01L2224/29012 , H01L2224/29026 , H01L2224/2929 , H01L2224/29388 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/83048 , H01L2224/8309 , H01L2224/83102 , H01L2224/92125 , H01L2924/01029 , H01L2924/15311 , H01L2224/16225 , H01L2924/00 , H01L2924/3512 , H01L2924/0665 , H01L2924/00012 , H01L2924/014
摘要: 用于在真空辅助下施加底部填充剂(30)的方法。该方法可以包括:在接近附接到基板(10)的电子装置(14)的至少一个外边缘(18、20、22、24)处,将底部填充剂(30)分配到基板(10)上。通过在所述底部填充剂(30)中的至少一个间隙(27、42、61、62),来排空电子装置(14)与基板(10)之间的空间(28)。该方法进一步包括:加热底部填充剂(30),以使底部填充剂(30)流入到空间(28)中。因为在流动开始之前在空间(28)的敞开部中提供真空状态,所以降低了底部填充空洞的发生率。
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公开(公告)号:CN104934336A
公开(公告)日:2015-09-23
申请号:CN201510206904.4
申请日:2015-04-28
申请人: 华东光电集成器件研究所
IPC分类号: H01L21/58
CPC分类号: H01L24/83 , H01L2224/8309
摘要: 本发明公开一种芯片共晶焊接方法,首先去除焊片与待焊接件的表面污物,接着裁剪焊片,之后将待焊接件、焊片与芯片放入金属容器内,再将金属容器放入可控气氛共晶炉按照工艺要求设定可控气氛共晶炉的温度曲线,对待焊接件与芯片共晶焊接;在可控气氛共晶炉升温之前排出炉内空气,升温过程中充入流量为2L/min的氮气,保证焊片熔化,降温过程中使炉内真空度≤1Pa,真空度保持时间30~60s,使得芯片与待焊接件中的气体,以及焊片熔化产生的气体,在芯片自重和高真空环境的条件下,能够被顺利抽出,最终芯片利用其自重在待焊接件上产生压力,实现与待焊接件的焊接,无需另外设置加压装置,从而保证了在焊接时芯片的表面质量,简化了焊接操作过程。
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公开(公告)号:CN102163563B
公开(公告)日:2013-03-27
申请号:CN201010624989.5
申请日:2010-11-23
申请人: 陶氏环球技术公司
CPC分类号: H01L21/563 , C08G59/027 , C09D163/00 , C09J163/00 , H01L23/293 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L2224/0401 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/1132 , H01L2224/11462 , H01L2224/11849 , H01L2224/13082 , H01L2224/131 , H01L2224/13111 , H01L2224/13139 , H01L2224/13147 , H01L2224/13294 , H01L2224/133 , H01L2224/16227 , H01L2224/2929 , H01L2224/29387 , H01L2224/29499 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/81191 , H01L2224/81193 , H01L2224/81439 , H01L2224/81444 , H01L2224/81447 , H01L2224/81815 , H01L2224/8309 , H01L2224/83102 , H01L2224/83862 , H01L2224/92125 , H01L2924/01019 , H01L2924/01021 , H01L2924/01046 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01322 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/351 , H01L2224/16225 , H01L2924/00 , H01L2924/0665 , H01L2924/014 , H01L2924/01082 , H01L2924/01083 , H01L2924/01047 , H01L2924/01029 , H01L2924/01049 , H01L2924/00014 , H01L2924/05442 , H01L2924/05432
摘要: 公开了一种低粘度的、低至不含氯化物的包括二乙烯基苯二氧化物作为成分的环氧树脂制剂;其中该制剂可以用来生产毛细填充组合物。
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公开(公告)号:CN106457384A
公开(公告)日:2017-02-22
申请号:CN201580028449.1
申请日:2015-05-15
申请人: 同和电子科技有限公司
CPC分类号: H01L24/29 , B22F1/00 , B22F1/0044 , B22F1/02 , B22F9/00 , B22F2301/255 , B22F2302/45 , B22F2304/054 , B22F2998/10 , B23K1/0016 , B23K20/00 , B23K35/025 , B23K35/3006 , B23K35/3613 , B23K35/3618 , H01B1/00 , H01B1/22 , H01B13/00 , H01L24/83 , H01L2224/29139 , H01L2224/8309 , H01L2224/8384 , H01L2924/01047
摘要: 一种接合材料,由包含被己酸等碳数在8以下的有机化合物覆盖的平均一次粒径为1~50nm的银微粒、被油酸等有机化合物覆盖的平均一次粒径为0.5~4μm的银粒子、由伯醇类溶剂和萜烯类醇溶剂构成的溶剂、由磷酸酯类分散剂(或磷酸酯类分散剂和丙烯酸树脂类分散剂)构成的分散剂的银糊料构成,其中,银微粒的含量为5~30质量%,银粒子的含量为60~90质量%,银微粒和所述银粒子的总含量在90质量%以上,且添加有具有醚键的一元羧酸类烧结助剂。
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公开(公告)号:CN102709203B
公开(公告)日:2016-09-28
申请号:CN201110216967.X
申请日:2011-07-28
申请人: 山田尖端科技株式会社
发明人: 小林一彦
IPC分类号: H01L21/603
CPC分类号: H01L24/75 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L24/95 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/75102 , H01L2224/75252 , H01L2224/753 , H01L2224/75313 , H01L2224/75315 , H01L2224/75317 , H01L2224/7532 , H01L2224/755 , H01L2224/75502 , H01L2224/75704 , H01L2224/75755 , H01L2224/75756 , H01L2224/75804 , H01L2224/7598 , H01L2224/75984 , H01L2224/81048 , H01L2224/8109 , H01L2224/81093 , H01L2224/83048 , H01L2224/8309 , H01L2224/83093 , H01L2224/83855 , H01L2224/9211 , H01L2224/95093 , H01L2224/97 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01019 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01074 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/07802 , H01L2924/09701 , H01L2924/15787 , H01L2924/00
摘要: 本发明提供接合装置及接合方法。该接合装置通过高效地使基板升温来降低对半导体装置进行倒装式连接时产生错位、连接不良。上模块使夹紧面接近被支承于基板保持板的基板,利用辐射热对基板和半导体装置进行预加热,在该基板支承于基板保持板的状态下,将夹紧面按压于半导体装置而使绝缘性粘接剂硬化,并使半导体装置的凸块接合于基板端子部。
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公开(公告)号:CN103153527B
公开(公告)日:2015-12-09
申请号:CN201180048365.6
申请日:2011-08-03
申请人: 千住金属工业株式会社
IPC分类号: B23K35/14 , B22F3/26 , B23K1/00 , B23K35/26 , B23K35/30 , B23K35/40 , C22C9/02 , C22C13/00 , H01L21/52 , H05K3/34 , B23K101/40
CPC分类号: B23K35/262 , B22F2998/00 , B23K35/025 , B23K35/302 , B23K2101/40 , C22C1/08 , C22C9/02 , C22C13/00 , H01L23/3735 , H01L24/07 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L2224/04042 , H01L2224/29 , H01L2224/29101 , H01L2224/2919 , H01L2224/29198 , H01L2224/2929 , H01L2224/29299 , H01L2224/32014 , H01L2224/32225 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48472 , H01L2224/73265 , H01L2224/83065 , H01L2224/8309 , H01L2224/83444 , H01L2224/83455 , H01L2224/83801 , H01L2224/8384 , H01L2924/00013 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01014 , H01L2924/01021 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/01322 , H01L2924/01327 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/10253 , H01L2924/15747 , H01L2924/203 , H05K3/3463 , H05K2201/0116 , Y10T428/12479 , H01L2924/00014 , C22C1/0483 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/29099 , H01L2224/29199 , H01L2924/0002
摘要: 本发明提供一种半导体装置,其将接合材料用于半导体装置的内部接合用,从而在基板安装时内部接合部不熔融,所述接合材料是由Sn或Sn系焊料合金填充到具有网眼结构的多孔金属体的空孔部分且覆盖其表面而得到的。
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公开(公告)号:CN104520976A
公开(公告)日:2015-04-15
申请号:CN201380041827.0
申请日:2013-03-11
申请人: 松下知识产权经营株式会社
CPC分类号: H01L24/97 , B23K20/00 , H01L21/52 , H01L21/6836 , H01L24/05 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/30 , H01L24/32 , H01L24/75 , H01L24/83 , H01L2221/68327 , H01L2221/68381 , H01L2224/04026 , H01L2224/05155 , H01L2224/05166 , H01L2224/05664 , H01L2224/05669 , H01L2224/2745 , H01L2224/2746 , H01L2224/29011 , H01L2224/29012 , H01L2224/29013 , H01L2224/2908 , H01L2224/29082 , H01L2224/29111 , H01L2224/29144 , H01L2224/29147 , H01L2224/3003 , H01L2224/32225 , H01L2224/32227 , H01L2224/32501 , H01L2224/32505 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/75252 , H01L2224/75301 , H01L2224/75744 , H01L2224/75745 , H01L2224/75753 , H01L2224/75901 , H01L2224/7598 , H01L2224/8301 , H01L2224/83013 , H01L2224/83065 , H01L2224/83075 , H01L2224/8309 , H01L2224/83123 , H01L2224/83127 , H01L2224/83193 , H01L2224/83203 , H01L2224/83207 , H01L2224/83805 , H01L2224/83825 , H01L2224/8383 , H01L2224/83906 , H01L2224/83907 , H01L2224/92247 , H01L2224/97 , H01L2924/01322 , H01L2924/10161 , H01L2924/10162 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/12043 , H01L2924/1461 , H01L2224/83 , H01L2924/0105 , H01L2924/00014 , H01L2924/01032 , H01L2924/01083 , H01L2924/01029 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
摘要: 一种在基板上安装多个芯片的安装方法,包括在基板上临时地接合所述多个芯片中每个的临时接合过程,以及在基板上牢固地接合临时接合在基板上的所述多个芯片中每个的主要接合过程。在临时接合过程中,包括第一步骤和第二步骤的第一基本过程按照要安装于基板的芯片被重复多次。在第一步骤中,基板(1)中的第一金属层和芯片中的第二金属层被定位。在第二步骤中,第二金属层和第一金属层通过固相扩散接合而临时地接合。在主要接合过程中,包括第三步骤和第四步骤的第二基本过程按照要安装于基板的芯片被重复多次。在第三步骤中,识别临时接合于基板的芯片的位置。在第四步骤中,通过液相扩散接合使第二金属层和第一金属层经受主要接合。
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公开(公告)号:CN103996631A
公开(公告)日:2014-08-20
申请号:CN201410048867.4
申请日:2014-02-12
申请人: 富士电机株式会社
IPC分类号: H01L21/60
CPC分类号: H01L24/83 , H01L23/3735 , H01L23/488 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/75 , H01L25/18 , H01L25/50 , H01L2224/27334 , H01L2224/29015 , H01L2224/291 , H01L2224/29111 , H01L2224/32054 , H01L2224/32225 , H01L2224/75101 , H01L2224/75251 , H01L2224/75501 , H01L2224/7565 , H01L2224/83065 , H01L2224/8309 , H01L2224/83192 , H01L2224/8321 , H01L2224/83447 , H01L2224/83815 , H01L2924/1203 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/15747 , H01L2924/014 , H01L2924/01051 , H01L2924/00012 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要: 本发明提供一种使用Sn-高Sb焊锡材料对绝缘电路基板与半导体芯片等进行焊接,并能获得空隙较少的良好的接合状态的焊接方法。对于表面的氧化膜较厚、浸润性较差的Sn-高Sb类焊锡材料,使用形成为可减少表面积的U字形状的焊锡板,来进行绝缘电路基板与半导体芯片等之间的焊锡接合,从而能够形成氧化膜较少,难以产生空隙的良好的焊锡接合面。并且,在形成为U字形状的焊锡板上层叠半导体芯片,在焊锡熔融前的状态下,在半导体芯片及绝缘电路基板的焊锡接合面的中央部设置有间隙,从而增大了与氢气之间的接触面积,因此能够提高还原反应对焊锡接合面的清洁效果。
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公开(公告)号:CN102163563A
公开(公告)日:2011-08-24
申请号:CN201010624989.5
申请日:2010-11-23
申请人: 陶氏环球技术公司
CPC分类号: H01L21/563 , C08G59/027 , C09D163/00 , C09J163/00 , H01L23/293 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L2224/0401 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/1132 , H01L2224/11462 , H01L2224/11849 , H01L2224/13082 , H01L2224/131 , H01L2224/13111 , H01L2224/13139 , H01L2224/13147 , H01L2224/13294 , H01L2224/133 , H01L2224/16227 , H01L2224/2929 , H01L2224/29387 , H01L2224/29499 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/81191 , H01L2224/81193 , H01L2224/81439 , H01L2224/81444 , H01L2224/81447 , H01L2224/81815 , H01L2224/8309 , H01L2224/83102 , H01L2224/83862 , H01L2224/92125 , H01L2924/01019 , H01L2924/01021 , H01L2924/01046 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01322 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/351 , H01L2224/16225 , H01L2924/00 , H01L2924/0665 , H01L2924/014 , H01L2924/01082 , H01L2924/01083 , H01L2924/01047 , H01L2924/01029 , H01L2924/01049 , H01L2924/00014 , H01L2924/05442 , H01L2924/05432
摘要: 公开了一种低粘度的、低至不含氯化物的包括二乙烯基苯二氧化物作为成分的环氧树脂制剂;其中该制剂可以用来生产毛细填充组合物。
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