一种芯片共晶焊接方法
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN104934336A

    公开(公告)日:2015-09-23

    申请号:CN201510206904.4

    申请日:2015-04-28

    IPC分类号: H01L21/58

    CPC分类号: H01L24/83 H01L2224/8309

    摘要: 本发明公开一种芯片共晶焊接方法,首先去除焊片与待焊接件的表面污物,接着裁剪焊片,之后将待焊接件、焊片与芯片放入金属容器内,再将金属容器放入可控气氛共晶炉按照工艺要求设定可控气氛共晶炉的温度曲线,对待焊接件与芯片共晶焊接;在可控气氛共晶炉升温之前排出炉内空气,升温过程中充入流量为2L/min的氮气,保证焊片熔化,降温过程中使炉内真空度≤1Pa,真空度保持时间30~60s,使得芯片与待焊接件中的气体,以及焊片熔化产生的气体,在芯片自重和高真空环境的条件下,能够被顺利抽出,最终芯片利用其自重在待焊接件上产生压力,实现与待焊接件的焊接,无需另外设置加压装置,从而保证了在焊接时芯片的表面质量,简化了焊接操作过程。