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公开(公告)号：CN109641323A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201880003396.1
申请日：2018-03-13
Applicant: 富士电机株式会社
Abstract: 提供热循环疲劳特性和润湿性优异的软钎焊材料。含有5.0质量％以上且8.0质量％以下的Sb和3.0质量％以上且5.0质量％以下的Ag、余量由Sn和不可避免的杂质组成的软钎焊材料、以及在半导体元件与基板电极之间或在半导体元件与引线框之间具备软钎焊材料熔融而得到的接合层的半导体装置。
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公开(公告)号：CN105679686B
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201510762725.9
申请日：2015-11-10
Applicant: 富士电机株式会社
Abstract: 一种半导体装置的制造方法，包括：准备工序，将包含至少一个被接合构件和焊锡材料的层叠体投入减压炉内；一次减压工序，对减压炉内进行真空排气；热射线式加热工序，将减压炉内设为低压的氢气氛，对与减压炉之间隔着能开闭的分隔壁地设置于减压炉外的金属线进行加热，或对与输送台、冷却板以及热板之间隔着能开闭的分隔壁地设置于减压炉内的金属线进行加热，产生原子态氢；隔离工序，在将金属线保持在低压气氛下的状态下，利用所述分隔壁自减压炉内气氛隔离开所述金属线；加热工序，将减压炉内设为正压的氢气氛并加热至接合温度使焊锡材料熔融；及气泡去除工序，在保持为接合温度的状态下将减压炉内再次设为真空气氛而去除焊锡熔体中的气泡。
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公开(公告)号：CN105679686A
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201510762725.9
申请日：2015-11-10
Applicant: 富士电机株式会社
CPC classification number: H01L24/32 , B23K1/0008 , B23K2101/40 , H01L24/75 , H01L24/83 , H01L2224/32145 , H01L2224/8319
Abstract: 一种半导体装置的制造方法，包括：准备工序，将包含至少一个被接合构件和焊锡材料的层叠体投入减压炉内；一次减压工序，对减压炉内进行真空排气；热射线式加热工序，将减压炉内设为低压的氢气氛，对与减压炉之间隔着能开闭的分隔壁地设置于减压炉外的金属线进行加热，或对与输送台、冷却板以及热板之间隔着能开闭的分隔壁地设置于减压炉内的金属线进行加热，产生原子态氢；隔离工序，在将金属线保持在低压气氛下的状态下，利用所述分隔壁自减压炉内气氛隔离开所述金属线；加热工序，将减压炉内设为正压的氢气氛并加热至接合温度使焊锡材料熔融；及气泡去除工序，在保持为接合温度的状态下将减压炉内再次设为真空气氛而去除焊锡熔体中的气泡。
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公开(公告)号：CN112338387A
公开(公告)日：2021-02-09
申请号：CN202011222092.X
申请日：2016-08-09
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: B23K35/26 , B23K35/02 , C22C13/02 , H01L23/488 , H01L23/053
Abstract: 本发明涉及半导体装置用软钎焊材料。本发明提供耐热温度高、热传导特性在高温区域中不变的无铅软钎焊材料。一种软钎焊材料，其含有超过5.0质量％且为10.0质量％以下的Sb和2.0～4.0质量％的Ag，余量由Sn和不可避免的杂质构成；以及一种半导体装置，其在半导体元件与基板电极之间或半导体元件与引线框之间具备含有所述软钎焊材料的接合层。
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公开(公告)号：CN104517860A
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201410394901.3
申请日：2014-08-12
Applicant: 富士电机株式会社
Abstract: 本发明提供一种接合组装装置，通过短时间的焊接处理来将由至少一个被接合构件与至少一个焊接材料构成的层叠体进行接合，从而获得具有层中气泡较少的焊料接合层的接合体。该接合组装装置在减压路内具备如下构件：金属线；传送台，对至少一个被接合构件和至少一个焊接材料的层叠体进行支承，并能在水平方向和垂直方向上移动；冷却板，隔着所述传送台对所述层叠体进行冷却；热板)，隔着所述传送台对所述层叠体进行加热；活性种气体导入管；惰性气体导入管；以及排气口，该接合组装装置还具备通过通电来对所述金属线进行加热的加热单元、即炉外的未图示的交流或直流功率供电源。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103996631A
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：CN201410048867.4
申请日：2014-02-12
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L24/83 , H01L23/3735 , H01L23/488 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/75 , H01L25/18 , H01L25/50 , H01L2224/27334 , H01L2224/29015 , H01L2224/291 , H01L2224/29111 , H01L2224/32054 , H01L2224/32225 , H01L2224/75101 , H01L2224/75251 , H01L2224/75501 , H01L2224/7565 , H01L2224/83065 , H01L2224/8309 , H01L2224/83192 , H01L2224/8321 , H01L2224/83447 , H01L2224/83815 , H01L2924/1203 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/15747 , H01L2924/014 , H01L2924/01051 , H01L2924/00012 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种使用Sn-高Sb焊锡材料对绝缘电路基板与半导体芯片等进行焊接，并能获得空隙较少的良好的接合状态的焊接方法。对于表面的氧化膜较厚、浸润性较差的Sn-高Sb类焊锡材料，使用形成为可减少表面积的U字形状的焊锡板，来进行绝缘电路基板与半导体芯片等之间的焊锡接合，从而能够形成氧化膜较少，难以产生空隙的良好的焊锡接合面。并且，在形成为U字形状的焊锡板上层叠半导体芯片，在焊锡熔融前的状态下，在半导体芯片及绝缘电路基板的焊锡接合面的中央部设置有间隙，从而增大了与氢气之间的接触面积，因此能够提高还原反应对焊锡接合面的清洁效果。
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公开(公告)号：CN103962673A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201310629817.0
申请日：2013-11-29
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: B23K3/02
CPC classification number: B23K3/02 , B23K3/08 , B23K2101/42
Abstract: 本发明提供一种半导体器件的制造方法和用于该方法的烙铁，用于使印制电路板中的焊盘与端子之间可靠焊接且不会使焊料球或焊剂残渣飞散到周边。使用一种烙铁，该烙铁构成为具有轴向贯通且两端开口的筒，上述筒的前端部内表面由与焊料的接触角大于90°的材料形成，上述筒具有钎焊丝和辅助气体能够通过的筒内径，并且具有用于防止上述辅助气体所致的上述筒内部的压力上升的泄压部。由此，即使筒的前端部处于被熔融焊料闭塞，也能够防止辅助气体所致的烙铁内的压力上升，因此能够防止焊料球或焊剂残渣飞散到周边。
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公开(公告)号：CN112338387B
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202011222092.X
申请日：2016-08-09
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: B23K35/26 , B23K35/02 , C22C13/02 , H01L23/488 , H01L23/053
Abstract: 本发明涉及半导体装置用软钎焊材料。本发明提供耐热温度高、热传导特性在高温区域中不变的无铅软钎焊材料。一种软钎焊材料，其含有超过5.0质量％且为10.0质量％以下的Sb和2.0～4.0质量％的Ag，余量由Sn和不可避免的杂质构成；以及一种半导体装置，其在半导体元件与基板电极之间或半导体元件与引线框之间具备含有所述软钎焊材料的接合层。
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公开(公告)号：CN109641323B
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：CN201880003396.1
申请日：2018-03-13
Applicant: 富士电机株式会社
Abstract: 提供热循环疲劳特性和润湿性优异的软钎焊材料。含有5.0质量％以上且8.0质量％以下的Sb和3.0质量％以上且5.0质量％以下的Ag、余量由Sn和不可避免的杂质组成的软钎焊材料、以及在半导体元件与基板电极之间或在半导体元件与引线框之间具备软钎焊材料熔融而得到的接合层的半导体装置。
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公开(公告)号：CN112334267A
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN202080003690.X
申请日：2020-01-27
Applicant: 富士电机株式会社
Abstract: 提供可靠性高的钎焊接合部。一种钎焊接合部，其包含：钎焊接合层，其是以Sn为主成分、且还包含Ag和/或Sb和/或Cu的软钎料熔融而得到的；和，被接合体，其在与前述钎焊接合层接触的表面上具备镀Ni‑P‑Cu层，前述镀Ni‑P‑Cu层以Ni为主成分，且包含0.5质量％以上且8质量％以下的Cu、和3质量％以上且10质量％以下的P，前述镀Ni‑P‑Cu层在与前述钎焊接合层的界面具有微晶层，前述微晶层具备：包含NiCuP三元合金的微晶的相、包含(Ni，Cu)3P的微晶的相、和包含Ni3P的微晶的相。
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