公开(公告)号：CN104701197B

公开(公告)日：2019-07-16

申请号：CN201410539418.X

申请日：2014-09-16

申请人： 半导体元件工业有限责任公司

发明人： R·D·莫叶丝 ,  萨德哈玛·C·沙斯特瑞

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/485

CPC分类号： H01L24/94 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/78 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/02126 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/11019 ,  H01L2224/1191 ,  H01L2224/13013 ,  H01L2224/13014 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13562 ,  H01L2224/13611 ,  H01L2224/81805 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/20107 ,  H01L2924/20108 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2224/11

摘要： 本发明涉及半导体器件的制造方法及其结构。在一个实施例中，导体凸块形成在半导体器件的凸块下导体上，从凸块下导体的表面延伸第一距离，包括在导体凸块外表面上形成保护层，其中多个半导体管芯随后通过用刻蚀剂刻蚀贯通半导体衬底切单，以及其中保护层保护导体凸块不受刻蚀剂刻蚀。

公开(公告)号：CN105448862B

公开(公告)日：2018-08-10

申请号：CN201410514075.1

申请日：2014-09-29

申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

发明人： 丁敬秀 ,  何作鹏

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/52 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L23/544 ,  H01L21/68 ,  H01L24/03 ,  H01L24/09 ,  H01L24/89 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/03618 ,  H01L2224/05111 ,  H01L2224/05113 ,  H01L2224/05116 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/08145 ,  H01L2224/8013 ,  H01L2224/80203 ,  H01L2224/80801 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06593 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/0133 ,  H01L2924/20104 ,  H01L2924/20105 ,  H01L2924/20106 ,  H01L2924/20107 ,  H01L2924/20108 ,  H01L2924/20109

摘要： 一种半导体结构及其制作方法，其中半导体结构的制作方法包括：提供第一晶圆以及第二晶圆，第一晶圆内形成有第一金属层，第二晶圆内形成有第二金属层；在第一晶圆表面形成第一材料层；在第二晶圆表面形成第二材料层；对所述第一晶圆与第二晶圆进行对准处理以及键合处理，使第一材料层与第二材料层对准且表面相接触；在进行键合处理后，对所述第一材料层以及第二材料层进行加热处理，使第一材料层以及第二材料层相互熔融，提高第一金属层与第二金属层之间的对准精度。本发明利用第一材料层以及第二材料层相互熔融产生的表面张力，使第一材料层和第二材料层相互拉近，从而提高第一金属层和第二金属层之间的对准精度，减小键合偏移。

公开(公告)号：CN108183155A

公开(公告)日：2018-06-19

申请号：CN201711274926.X

申请日：2017-12-06

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 金台勋 ,  金载润 ,  成永圭 ,  龙戡翰 ,  李东烈 ,  李守烈

IPC分类号： H01L33/38 ,  H01L33/40

CPC分类号： H01L33/62 ,  H01L24/04 ,  H01L24/13 ,  H01L33/46 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/10126 ,  H01L2224/13006 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/0133 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12041 ,  H01L33/38 ,  H01L33/40

摘要： 半导体发光器件包括发光结构，所述发光结构包括顺序层叠的第一半导体层、有源层和第二半导体层。连接电极位于发光结构之上。连接电极包括电连接到第一半导体层和第二半导体层中的至少一个的连接金属层。凸块下金属图案在连接电极上。连接端子位于凸块下金属图案上。连接金属层包括第一金属元素。第一金属元素的导热率高于金(Au)的导热率。连接端子包括第二金属元素。第一金属元素与第二金属元素的第一反应率低于金(Au)与第二金属元素的第二反应率。

公开(公告)号：CN105316711B

公开(公告)日：2018-01-05

申请号：CN201510458355.X

申请日：2015-07-30

申请人： APCT株式会社

发明人： 高政佑 ,  吳政勋 ,  朴奎镔 ,  朴贤国 ,  丁兴琇

IPC分类号： C25D3/32

CPC分类号： H01L24/11 ,  C25D3/32 ,  C25D3/38 ,  C25D3/46 ,  C25D3/60 ,  C25D5/02 ,  C25D5/10 ,  C25D5/12 ,  C25D7/123 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/94 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/03

摘要： 本发明涉及包含全氟烷基表面活性剂的焊料凸点用锡合金电镀液。本发明的锡合金电镀液是用于形成倒装芯片封装的焊料凸点的锡类电镀液，所述锡类电镀液包含甲磺酸锡、甲磺酸银、甲磺酸、氟化表面活性剂、芳香族聚氧亚烷基醚和水。本发明还公开了使用所述电镀液形成焊料凸点的方法。该方法包括：(1)用铜或铜/镍电镀液电镀硅晶片，所述硅晶片具有露出电极焊盘的保护层和凸点下金属(UBM)层，从而在所述凸点下金属层上形成铜或铜/镍柱；和(2)用所述锡类电镀液电镀所述柱，从而形成焊料凸点。

公开(公告)号：CN102470472B

公开(公告)日：2017-08-25

申请号：CN201080032990.7

申请日：2010-07-21

申请人： 贺利氏材料工艺有限责任两合公司

发明人： F.布里尔 ,  W.施密特 ,  J.特罗德勒 ,  K-H.沙勒

IPC分类号： B23K1/00 ,  B23K35/02 ,  H01L21/60

CPC分类号： B23K1/0016 ,  B23K35/0244 ,  B23K35/025 ,  B23K35/262 ,  B23K35/302 ,  B23K35/362 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/29311 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29499 ,  H01L2224/8381 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2224/83948 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/20751 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01026 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明涉及用于电子部件与基板的材料锁合连接的方法，此方法包括a)提供具有要连接的第一表面的电子部件和具有要连接的第二表面的基板，b)将焊膏施加到至少一个所述要连接的表面上，c)布置该电子部件和基板以使要连接的第一电子部件表面和要连接的第二基板表面通过焊膏接触，和d)焊接来自c)的布置以产生电子部件与基板之间的材料锁合连接，其特征在于，该焊膏含有（i）10‑30重量%铜粒子，（ii）60‑80重量%至少一种选自锡和锡‑铜合金的材料的粒子，和（iii）3‑30重量%助焊剂，其中该铜粒子和至少一种选自锡和锡‑铜合金的材料的粒子的平均粒径不大于15微米，且其中所施加的焊膏层的厚度为至少20微米。

公开(公告)号：CN104756250B

公开(公告)日：2017-06-13

申请号：CN201280076651.8

申请日：2012-11-20

申请人： 丰田自动车株式会社

发明人： 浅井林太郎 ,  谷田笃志

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/52 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L23/10 ,  H01L21/52 ,  H01L23/051 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/4334 ,  H01L23/48 ,  H01L23/49513 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49582 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/48 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29355 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/335 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/8382 ,  H01L2224/83825 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/00012

摘要： 本说明书涉及以树脂模塑半导体元件且该半导体元件与在模塑表面露出的引线框架接合的半导体装置。本说明书提供一种即使疲劳劣化发展而在接合材料产生裂缝，也能够减少裂缝对半导体元件造成的影响的技术。半导体装置(2)具备晶体管(3)、引线框架(8a、8b)、在一个面通过第一接合材料(5)与晶体管(3)接合并且在另一个面通过第二接合材料(6)与引线框架(8b)接合的金属隔离物(4)、以及树脂模塑体(13)。树脂模塑体(13)对晶体管(3)和金属隔离物(4)进行密封。引线框架(8a、8b)的一面与树脂模塑体(13)密接。第二接合材料(6)被选定为其强度比第一接合材料(5)的强度低的材料。

公开(公告)号：CN106711117A

公开(公告)日：2017-05-24

申请号：CN201710054902.7

申请日：2017-01-24

申请人： 山东科大鼎新电子科技有限公司

发明人： 李天祥 ,  孔杰

IPC分类号： H01L23/49 ,  H01L21/48 ,  C22C5/06 ,  C22C1/10

CPC分类号： H01L24/45 ,  C22C1/10 ,  C22C5/06 ,  C22C32/0084 ,  H01L24/43 ,  H01L2224/432 ,  H01L2224/4321 ,  H01L2224/435 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01006

摘要： 本发明提供了一种石墨烯键合银丝及其制备方法，种石墨烯键合银丝，由以下组分组成：石墨烯0.5%‑5 %，Ag 95%‑99.5 %，制备方法，包括以下步骤：S1、通过化学合成法制得银/氧化石墨烯复合粉；S2、将银/氧化石墨烯复合粉进行还原处理；S3、采用粉末冶金技术，将所述银/石墨烯复合粉进行成型、烧结处理，制得银/石墨烯复合材料；S4、真空熔炼；S5、竖式熔炼；S6、拉丝；S7、退火；S8、绕线，在银合金中添加石墨烯，显著增加了银合金的导电性，可以取代金线用于大功率的LED，环保、低成本、可控性好的生产工艺手段实现高性能石墨烯银合金丝的制备，不仅具有重要的科研价值，而且具有广泛的应用前景。

公开(公告)号：CN102468197B

公开(公告)日：2017-04-26

申请号：CN201110058357.1

申请日：2011-02-21

申请人： 新科金朋有限公司 ,  星科金朋(上海)有限公司

发明人： R·D·彭德塞

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L21/50 ,  H01L23/485 ,  H01L23/488 ,  H01L25/00

CPC分类号： H01L24/81 ,  H01L21/563 ,  H01L21/565 ,  H01L23/3121 ,  H01L24/16 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/90 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/13019 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/1601 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/27013 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/81141 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81345 ,  H01L2224/81385 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/838 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01061 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/0133 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H05K3/325 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00012

摘要： 本发明涉及半导体器件以及形成倒装芯片互连结构的方法。一种半导体器件具有半导体管芯，该半导体管芯具有形成在半导体管芯的有源表面上的多个凸块或互连结构。凸块可以具有可熔部分和非可熔部分，例如导电柱和形成在导电柱上的凸块。具有互连部位的多个导电迹线形成在衬底上。凸块宽于互连部位。掩蔽层形成在衬底的远离互连部位的区域上。凸块在压力或回流温度下被结合到互连部位，使得凸块覆盖互连部位的顶面和侧面。密封剂沉积在管芯与衬底之间的凸块周围。掩蔽层可以形成坝状物以阻挡密封剂延伸到半导体管芯之外。凸起体可以形成在互连部位或凸块上。

公开(公告)号：CN106486450A

公开(公告)日：2017-03-08

申请号：CN201610730700.5

申请日：2016-08-26

申请人： 田中电子工业株式会社

发明人： 天野裕之 ,  枪田聪明 ,  崎田熊祐 ,  安德优希 ,  陈炜

IPC分类号： H01L23/49

CPC分类号： B23K35/0227 ,  B21C1/02 ,  B23K35/302 ,  B32B15/018 ,  C22C5/02 ,  C22C5/04 ,  C22C9/00 ,  C22C9/06 ,  C22F1/08 ,  C22F1/14 ,  C23C14/165 ,  C23C14/35 ,  C23C26/00 ,  C25D3/50 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/45 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45565 ,  H01L2224/45664 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/01201 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01016 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/20751 ,  H01L2924/20752 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01203 ,  H01L2924/01206 ,  H01L24/45 ,  H01L2224/45572 ,  H01L2224/45644 ,  H01L2924/0132

摘要： 本发明提供了一种球焊用钯(Pd)被覆铜线，其用以解决“CuAl的金属间化合物在初期形成于量产的接合线的FAB所形成的熔融焊球与铝垫的接合界面”这样的课题，并且可使钯(Pd)微粒子均匀分散于熔融焊球的表面，而适用于量产化。本发明的球焊用钯(Pd)被覆铜线，其为线径在10～25μm的球焊用钯(Pd)被覆铜线，于纯铜(Cu)或铜(Cu)纯度为98质量％以上的铜合金所构成的芯材上形成有钯(Pd)延伸层，其中该钯(Pd)延伸层为含有硫(S)、磷(P)、硼(B)或碳(C)的钯(Pd)层。

公开(公告)号：CN106340513A

公开(公告)日：2017-01-18

申请号：CN201510400779.0

申请日：2015-07-09

申请人： 台达电子工业股份有限公司

发明人： 王涛 ,  赵振清 ,  李锃 ,  鲁凯

IPC分类号： H01L25/16 ,  H01L25/07

CPC分类号： H01L25/162 ,  H01L23/053 ,  H01L23/24 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49833 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/5385 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48106 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85801 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/0133 ,  H01L2924/05032 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/0532 ,  H01L2924/05432 ,  H01L2924/12035 ,  H01L2924/1205 ,  H01L2924/1207 ,  H01L2924/13023 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/1426 ,  H01L2924/15724 ,  H01L2924/15738 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/15763 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/05599

摘要： 本发明提供了一种集成控制电路的功率模块，包括：功率基板；功率器件，该功率器件安装于功率基板上；至少一个控制基板，所述至少一个控制基板承载控制电路，与功率基板电性连接，且以一倾斜角设置于功率基板安装有功率器件的一面；其中，该倾斜角大于或等于45度且小于或等于135度。本发明提供的功率模块，除其中的控制基板与功率基板之间的连接占用模块的水平面积外，仅其中的功率基板占用了模块的水平面积，从而有效地减小了功率模块的水平占用面积，提高了功率模块的功率密度。