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公开(公告)号：CN108183155B
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN201711274926.X
申请日：2017-12-06
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 半导体发光器件包括发光结构，所述发光结构包括顺序层叠的第一半导体层、有源层和第二半导体层。连接电极位于发光结构之上。连接电极包括电连接到第一半导体层和第二半导体层中的至少一个的连接金属层。凸块下金属图案在连接电极上。连接端子位于凸块下金属图案上。连接金属层包括第一金属元素。第一金属元素的导热率高于金(Au)的导热率。连接端子包括第二金属元素。第一金属元素与第二金属元素的第一反应率低于金(Au)与第二金属元素的第二反应率。
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公开(公告)号：CN108305925A
公开(公告)日：2018-07-20
申请号：CN201810030167.0
申请日：2018-01-12
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本申请提供了一种包括浮置导电图案的半导体发光装置。所述半导体发光装置包括：第一半导体层，其包括凹陷区和突出区；布置在突出区上的有源层和第二半导体层；布置在第二半导体层上的接触结构；下绝缘图案，其覆盖第一半导体层和接触结构，并且具有第一开口和第二开口；第一导电图案，其布置在下绝缘图案上，并且延伸至第一开口中；第二导电图案，其布置在下绝缘图案上，并且延伸至第二开口中；以及浮置导电图案，其布置在下绝缘图案上。第一导电图案和第二导电图案以及浮置导电图案在相同的平面上具有相同的厚度。
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公开(公告)号：CN108305925B
公开(公告)日：2023-01-03
申请号：CN201810030167.0
申请日：2018-01-12
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本申请提供了一种包括浮置导电图案的半导体发光装置。所述半导体发光装置包括：第一半导体层，其包括凹陷区和突出区；布置在突出区上的有源层和第二半导体层；布置在第二半导体层上的接触结构；下绝缘图案，其覆盖第一半导体层和接触结构，并且具有第一开口和第二开口；第一导电图案，其布置在下绝缘图案上，并且延伸至第一开口中；第二导电图案，其布置在下绝缘图案上，并且延伸至第二开口中；以及浮置导电图案，其布置在下绝缘图案上。第一导电图案和第二导电图案以及浮置导电图案在相同的平面上具有相同的厚度。
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公开(公告)号：CN108183155A
公开(公告)日：2018-06-19
申请号：CN201711274926.X
申请日：2017-12-06
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L33/62 , H01L24/04 , H01L24/13 , H01L33/46 , H01L2224/0401 , H01L2224/10126 , H01L2224/13006 , H01L2224/13082 , H01L2224/13111 , H01L2924/0132 , H01L2924/0133 , H01L2924/014 , H01L2924/12041 , H01L33/38 , H01L33/40
Abstract: 半导体发光器件包括发光结构，所述发光结构包括顺序层叠的第一半导体层、有源层和第二半导体层。连接电极位于发光结构之上。连接电极包括电连接到第一半导体层和第二半导体层中的至少一个的连接金属层。凸块下金属图案在连接电极上。连接端子位于凸块下金属图案上。连接金属层包括第一金属元素。第一金属元素的导热率高于金(Au)的导热率。连接端子包括第二金属元素。第一金属元素与第二金属元素的第一反应率低于金(Au)与第二金属元素的第二反应率。
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