-
公开(公告)号：CN112088425B
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN201980001958.3
申请日：2019-08-01
Applicant: 田中电子工业株式会社
IPC: H01L21/60 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/522
Abstract: 本发明提供能够抑制基于球压缩部间的离子迁移的短路等的金覆盖银接合线。金覆盖银接合线1具有包含银作为主要成分的芯材2、和设置于芯材2的表面且包含金作为主要成分的覆盖层3。金覆盖银接合线1相对于引线的整体量，以2质量％～7质量％的范围包含金，并且以1质量ppm～80质量ppm的范围包含选自硫、硒及碲中的至少1种硫族元素。
-
公开(公告)号：CN114502754B
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202080064592.7
申请日：2020-03-09
Applicant: 田中电子工业株式会社
Abstract: 本发明即使将抑制了材料成本的接合线与电极进行接合也抑制电阻率的上升，并且即使在严酷的环境下也长时间确保接合线与电极的接合可靠性。引线接合结构1具有含有铝的电极2、接合线3和与电极2接合的球压缩部6。接合线3具有以银作为主要成分的芯材4和以金作为主要成分的覆盖层5，含有选自硫、碲、硒、砷及锑中的至少1种第15及16族元素，相对于引线整体，金浓度为2.0质量％～7.0质量％，第15及16族元素浓度合计为4质量ppm～80质量ppm，在电极2与球压缩部6的接合界面附近处具有金浓度相对于铝与银与金的合计成为5.0原子％以上的金富集接合区域。
-
公开(公告)号：CN111344847A
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN201880072440.4
申请日：2018-04-19
Applicant: 田中电子工业株式会社
IPC: H01L21/60
Abstract: 本发明的目的在于提供一种贵金属被覆银接合线，其在以接合线将半导体芯片的电极与引线框架等的电极连接的半导体装置中，即使在汽车等严苛的高温高湿条件下亦可抑制接合界面的腐蚀，而避免发生导电不良。本发明的球焊用的贵金属被覆银线，是在由纯银或银合金所构成的芯材上具备贵金属被覆层的贵金属被覆银线，其特征为：线材包含至少1种硫族元素，贵金属被覆层具备钯中间层及金表皮层，钯相对于线材整体的含量为0.01质量％以上5.0质量％以下，金相对于线材整体的含量为1.0质量％以上6.0质量％以下，且硫族元素相对于线材整体的含量为0.1质量ppm以上100质量ppm以下。
-
公开(公告)号：CN119604970A
公开(公告)日：2025-03-11
申请号：CN202380052349.7
申请日：2023-06-26
Applicant: 田中电子工业株式会社
IPC: H01L21/60 , C22C5/06 , C22F1/00 , C22F1/14 , H10H20/857
Abstract: 本发明提供一种LED用银合金接合线及其制造方法，该LED用银合金接合线实现对蓝色光的高反射率，并且即使在超低环状的接合中，也使得球颈部的耐热强度得到了提高。实施方式的发光二极管(LED)用接合线由含有98质量％以上的银的银合金构成，高温/常温强度比为0.6以上且0.99以下，高温伸长率为1.5％以上。
-
公开(公告)号：CN113646450B
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN202080012102.9
申请日：2020-02-06
Applicant: 田中电子工业株式会社
Abstract: 本发明提供钯覆盖铜接合线、其接合结构、半导体装置及半导体装置的制造方法，所述钯覆盖铜接合线在第一接合时不产生缩孔，接合可靠性高，即使是在高温、高湿的环境中也能够长时间稳定地维持优异的接合可靠性。一种引线接合结构，其中，接合线是具有铜芯材和Pd层、且含有硫族元素的Pd覆盖铜接合线，相对于铜与Pd与硫族元素的合计，Pd的浓度为1.0质量％～4.0质量％，硫族元素浓度合计为50质量ppm以下，S浓度为5质量ppm～2质量ppm、或Se浓度为5质量ppm～20质量ppm或Te浓度为15质量ppm～50质量ppm以下，在半导体芯片的含有Al的电极与球接合部的接合面附近，具有Pd浓度相对于Al与铜与Pd的合计成为2.0质量％以上的Pd富集接合区域。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106486450B
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201610730700.5
申请日：2016-08-26
Applicant: 田中电子工业株式会社
IPC: H01L23/49
CPC classification number: B23K35/0227 , B21C1/02 , B23K35/302 , B32B15/018 , C22C5/02 , C22C5/04 , C22C9/00 , C22C9/06 , C22F1/08 , C22F1/14 , C23C14/165 , C23C14/35 , C23C26/00 , C25D3/50 , H01L2224/05624 , H01L2224/45 , H01L2224/45015 , H01L2224/45147 , H01L2224/45565 , H01L2224/45664 , H01L2924/00011 , H01L2924/10253 , H01L2924/01201 , H01L2924/00012 , H01L2924/01016 , H01L2924/01005 , H01L2924/01015 , H01L2924/01006 , H01L2924/20751 , H01L2924/20752 , H01L2924/01004 , H01L2924/013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01029 , H01L2924/01028 , H01L2924/01078 , H01L2924/01203 , H01L2924/01206
Abstract: 本发明提供了一种球焊用钯(Pd)被覆铜线，其用以解决“CuAl的金属间化合物在初期形成于量产的接合线的FAB所形成的熔融焊球与铝垫的接合界面”这样的课题，并且可使钯(Pd)微粒子均匀分散于熔融焊球的表面，而适用于量产化。本发明的球焊用钯(Pd)被覆铜线，其为线径在10～25μm的球焊用钯(Pd)被覆铜线，于纯铜(Cu)或铜(Cu)纯度为98质量％以上的铜合金所构成的芯材上形成有钯(Pd)延伸层，其中该钯(Pd)延伸层为含有硫(S)、磷(P)、硼(B)或碳(C)的钯(Pd)层。
-
公开(公告)号：CN103409654A
公开(公告)日：2013-11-27
申请号：CN201310325540.2
申请日：2013-07-30
Applicant: 田中电子工业株式会社
CPC classification number: H01L2224/11 , H01L2224/1134 , H01L2224/13 , H01L2224/13139 , H01L2924/013 , H01L2924/01079 , H01L2924/01046 , H01L2924/00012
Abstract: 一种用于半导体器件的银-金-钯凸点制作线，所述银-金-钯凸点制作线能够通过缩短熔融球的尾长度而稳定尾长度上的波动。在垂直拉伸-切割的银-金-钯合金凸点制作线中，银-金-钯合金包含1至9质量％的金(Au)和0.5至5质量％的钯(Pd)，余量是具有99.995质量％以上的纯度的银(Ag)(不包括所含有的上述元素)，并且在熔融球形成之前所述凸点制作线的维氏硬度是80至100Hv。
-
公开(公告)号：CN113169077B
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN201880099771.7
申请日：2018-11-30
Applicant: 田中电子工业株式会社
IPC: H01L21/60
Abstract: 本发明提供一种钯覆盖铜接合线，其在第一接合时不产生缩孔，接合可靠性高，即使是在高温、高湿的环境中也能够长时间维持优异的接合可靠性。一种钯覆盖铜接合线，其中，相对于铜与钯与硫族元素的合计，钯的浓度为1.0质量％～4.0质量％，硫族元素浓度合计为50质量ppm以下，硫浓度为5质量ppm～12质量ppm、或硒浓度为5质量ppm～20质量ppm或碲浓度为15质量ppm～50质量ppm，在形成于引线前端的无空气球的距离前端部表面为5.0nm～100.0nm的范围内，具有钯的浓度相对于铜与钯的合计成为平均6.5原子％～30.0原子％的钯富集区域。
-
公开(公告)号：CN104103616B
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：CN201410108153.8
申请日：2014-03-21
Applicant: 田中电子工业株式会社
CPC classification number: H01L24/45 , H01L24/05 , H01L24/43 , H01L24/48 , H01L2223/6611 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/05664 , H01L2224/05669 , H01L2224/43 , H01L2224/43848 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2224/45565 , H01L2224/45639 , H01L2224/48511 , H01L2224/48624 , H01L2224/48644 , H01L2224/48664 , H01L2224/48669 , H01L2924/00011 , Y10T428/2958 , H01L2924/01046 , H01L2924/01078 , H01L2924/01204 , H01L2924/01045 , H01L2924/01077 , H01L2924/01044 , H01L2924/01029 , H01L2924/01028 , H01L2924/01026 , H01L2924/01012 , H01L2924/0103 , H01L2924/01013 , H01L2924/01049 , H01L2924/01014 , H01L2924/01032 , H01L2924/01004 , H01L2924/01083 , H01L2924/01034 , H01L2924/01058 , H01L2924/01039 , H01L2924/01057 , H01L2924/0102 , H01L2924/01063 , H01L2924/01203 , H01L2924/00 , H01L2924/013 , H01L2924/00014 , H01L2924/01025 , H01L2924/00013 , H01L2924/01079 , H01L2924/0105 , H01L2924/01022 , H01L2924/01052 , H01L2224/45644 , H01L2924/00015 , H01L2224/45664 , H01L2224/45669 , H01L2924/01048
Abstract: 本发明的目的在于提供一种Ag-Pd-Pt三元合金或Ag-Pd-Pt三元系合金的高速信号线用接合线，即使在该接合线的表面形成不稳定的硫化银层时，仍无坚固的硫化银(Ag2S)膜，并可传送稳定的数千兆赫频带等的超高频信号。该高速信号线用接合线是由0.8～2.5质量%的钯(Pd)、0.1～0.7质量%的铂(Pt)、及剩余部分为纯度99.99质量%以上的银(Ag)所构成的三元合金、或于该三元合金中添加微量元素所构成的三元系合金，该接合线的剖面是由表皮膜与芯材构成，该银合金的表皮膜中存在具有高浓度银(Ag)的表面偏析层。
-
公开(公告)号：CN104157625B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201410108092.5
申请日：2014-03-21
Applicant: 田中电子工业株式会社
Abstract: 本发明的目的是提供一种银-钯-金(Ag-Pd-Au)基合金的高速信号线用接合线，其即使在接合线表面形成不稳定的硫化银层时，仍无坚固的硫化银(Ag2S)膜，并可传输稳定的数千兆赫(giga Hertz，GHz)带等的超高频信号。本发明的解决方法是提供一种高速信号线用接合线，其是由钯(Pd)2.5～4.0质量%、金(Au)1.5～2.5质量%及剩余部分为纯度99.99质量%以上的银(Ag)所构成的三元合金，该接合线剖面是由表皮膜与芯材所构成，该表皮膜是由在连续铸造后所缩径的连续铸造面与表面偏析层所构成，该表面偏析层是由较芯材含量渐增的银(Ag)且含量渐减的金(Au)的合金区域所构成。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
30
records
(took 0.024 seconds)
