公开(公告)号：CN106461439B

公开(公告)日：2019-08-16

申请号：CN201580031470.7

申请日：2015-06-15

申请人： 日立汽车系统株式会社

发明人： 渡边翼 ,  河野务 ,  星加浩昭 ,  余语孝之 ,  三木崇裕

IPC分类号： G01F1/684 ,  H01L23/12 ,  H01L23/28 ,  H05K1/02 ,  H05K3/28

CPC分类号： G01F1/38 ,  G01F1/6845 ,  G01F1/692 ,  H01L21/565 ,  H01L23/057 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/562 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48106 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/10158 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/16195 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19107 ,  H05K1/181 ,  H05K1/183 ,  H05K3/28 ,  H05K3/284 ,  H05K2201/10151 ,  H05K2201/10977 ,  H05K2203/1316 ,  H05K2203/1327 ,  Y02P70/611 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/05599

摘要： 电路基板在以露出搭载于电路基板上的半导体零件的状态与壳体一体地镶嵌模制成形的模块中，降低由于用于对模制树脂进行截流的金属模具向电路基板的加压而产生的电路基板的歪斜。电路基板在以露出搭载于电路基板上的半导体零件的状态与壳体一体地镶嵌模制成形的模块中，通过在电路基板上的金属模具按压部的投影区域设置具有比电路基板小的弹性率的材料而降低电路基板的歪斜。

公开(公告)号：CN109638001A

公开(公告)日：2019-04-16

申请号：CN201811155241.8

申请日：2018-09-30

申请人： 三菱电机株式会社

发明人： 中村宏之

IPC分类号： H01L25/07 ,  H01L23/31 ,  H01L23/495 ,  H01L23/525

CPC分类号： H01L23/49575 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/49503 ,  H01L23/49531 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/62 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/48095 ,  H01L2224/48101 ,  H01L2224/48106 ,  H01L2224/4813 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/1203 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/181 ,  H02H3/08 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L25/072 ,  H01L23/49517 ,  H01L23/5256

摘要： 本发明在避免装置的大型化的同时，抑制由于过电流而导致的损伤的影响波及到外部的元件。半导体装置具备：第1半导体元件(102)、第2半导体元件(103)以及第2半导体元件之上的金属图案(105、105A)。金属图案具备：第1连接部位(120A)，其与第1半导体元件连接；以及第2连接部位(120B)，其与第1半导体元件的第1端子部(108)连接，且与第1连接部位分离。第1、第2连接部位之间的第1通电路径的电阻比第2连接部位与第1端子部之间的第2通电路径的电阻大。

公开(公告)号：CN107689367A

公开(公告)日：2018-02-13

申请号：CN201710605946.4

申请日：2017-07-24

申请人： 三星电子株式会社

发明人： 张根豪 ,  沈钟辅 ,  赵汊济

IPC分类号： H01L25/18 ,  H01L23/498 ,  H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L25/0657 ,  H01L24/03 ,  H01L24/09 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0912 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/0652 ,  H01L2225/06524 ,  H01L2225/06544 ,  H01L2225/06555 ,  H01L23/49838 ,  H01L24/16 ,  H01L24/48 ,  H01L24/81 ,  H01L24/85 ,  H01L25/18 ,  H01L2224/16148 ,  H01L2224/48106 ,  H01L2224/48229 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/85

摘要： 本申请公开了一种半导体封装件，包括：衬底，其包括外部连接端子和空腔；设置在空腔内的第一半导体芯片，第一半导体芯片包括第一焊盘和不同于第一焊盘的第二焊盘，第一焊盘和第二焊盘设置在第一半导体芯片的第一表面上；金属线，其设置在衬底和第一半导体芯片上，并且将第一半导体芯片的第一焊盘与衬底的外部连接端子电连接；设置在第一半导体芯片上的第二半导体芯片，第二半导体芯片包括设置在第二半导体芯片的面向第一半导体芯片的第二表面上的第三焊盘；以及连接端子，其将第一半导体芯片的第二焊盘与第二半导体芯片的第三焊盘电连接，连接端子不与金属线电连接。

公开(公告)号：CN107611111A

公开(公告)日：2018-01-19

申请号：CN201710565919.9

申请日：2017-07-12

申请人： 三菱电机株式会社

发明人： 村上晴彦 ,  米山玲 ,  大月高实 ,  山下秋彦

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L23/367

CPC分类号： H01L23/3675 ,  H01L23/04 ,  H01L23/053 ,  H01L23/36 ,  H01L23/3735 ,  H01L24/32 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48106 ,  H01L2224/48175 ,  H01L2224/48245 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/05032 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/05432 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/1203 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1425 ,  H01L2924/1426 ,  H01L2924/3512 ,  H02M7/537

摘要： 本发明的目的在于，提供能够确保高半导体芯片散热性的半导体模块和电力转换装置。具备：绝缘基板，其具有绝缘层、形成于该绝缘层的上表面的第1金属图案、形成于该绝缘层的下表面的第2金属图案；半导体芯片，其通过第1金属接合材料固定于该第1金属图案，由SiC形成；以及散热板，其通过第2金属接合材料固定于该第2金属图案，该半导体芯片的厚度是大于或等于0.25mm且小于或等于0.35mm，该绝缘层的厚度相对于该半导体芯片的厚度是大于或等于2.66倍且小于或等于5倍。

公开(公告)号：CN107492543A

公开(公告)日：2017-12-19

申请号：CN201710251805.7

申请日：2017-04-18

申请人： 美格纳半导体有限公司

发明人： 朴命镐 ,  金范洙 ,  金善焕

IPC分类号： H01L25/07 ,  H01L21/98 ,  H01L23/482

CPC分类号： H01L23/3114 ,  H01L21/561 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823487 ,  H01L22/14 ,  H01L23/482 ,  H01L24/06 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/45 ,  H01L27/0255 ,  H01L27/088 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/45 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7816 ,  H01L29/7827 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/0508 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05083 ,  H01L2224/05084 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05584 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/06051 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/16237 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48095 ,  H01L2224/48106 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/07025 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/141 ,  H01L2924/17747 ,  H01L2924/2064 ,  H01L2924/20641 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/11 ,  H01L25/072 ,  H01L25/50

摘要： 一种包括功率半导体的晶片级芯片规模封装件及其制造方法。晶片级芯片规模封装件包括：功率半导体，包括形成在半导体基底上的第一半导体器件和形成在所述半导体基底上的第二半导体器件；公共漏极，连接到第一半导体器件和第二半导体器件；第一源极金属凸块，形成在第一半导体器件的表面上；第二源极金属凸块，形成在第二半导体器件的表面上，其中，第一源极金属凸块、公共漏极和第二源极金属凸块按第一源极金属凸块、公共漏极和第二源极金属凸块的顺序形成电流通路。

公开(公告)号：CN107452692A

公开(公告)日：2017-12-08

申请号：CN201610999256.7

申请日：2016-11-14

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 曾华伟 ,  苏安治 ,  陈宪伟 ,  黄立贤 ,  杨天中

IPC分类号： H01L23/31 ,  H01L23/498 ,  H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L25/07

CPC分类号： H01L25/0657 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/481 ,  H01L24/17 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/48 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/02311 ,  H01L2224/0239 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13113 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48106 ,  H01L2224/48228 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2225/06572 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/06 ,  H01L2924/07025 ,  H01L2924/15172 ,  H01L2924/15311 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/5221 ,  H01L23/528 ,  H01L25/071

摘要： 本发明涉及一种提供多种层叠封装器件，有利于改良层叠封装的接合效能。一种层叠封装器件包括第一封装结构及第二封装结构。第一封装结构包括：第一晶粒；以及位于第一晶粒侧边的多个有源集成扇出型通孔以及多个虚设集成扇出型通孔。第二封装结构包括：接合至有源集成扇出型通孔的多个有源凸块；以及接合至虚设集成扇出型通孔的多个虚设凸块。位于第一晶粒的第一侧的有源集成扇出型通孔及虚设集成扇出型通孔的总数目实质上相同于位于第一晶粒的第二侧的有源集成扇出型通孔及虚设集成扇出型通孔的总数目。

公开(公告)号：CN107170725A

公开(公告)日：2017-09-15

申请号：CN201710132905.8

申请日：2017-03-08

申请人： 丰田自动车工程及制造北美公司

发明人： 福冈佑二 ,  E·M·戴德 ,  S·N·乔什 ,  周锋

IPC分类号： H01L23/46 ,  H01L23/38

CPC分类号： H01L23/467 ,  H01L23/3672 ,  H01L23/3677 ,  H01L23/3738 ,  H01L23/473 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L29/1602 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/7802 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48106 ,  H01L2224/48225 ,  H01L2924/10254 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/10323 ,  H01L2924/10325 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/1426 ,  H01L23/46 ,  H01L23/38

摘要： 电力电子组件和制造电力电子组件的方法。所述电力电子组件具有半导体器件叠层，半导体器件叠层具有宽带隙半导体器件、第一电极和第二电极，第一电极与宽带隙半导体器件电联接，第二电极与宽带隙半导体器件电联接。衬底层联接到半导体器件叠层，使得第一电极定位在衬底层和宽带隙半导体器件之间。衬底层包括衬底入口端口和衬底出口端口。集成流体通道系统在衬底入口端口和衬底出口端口之间延伸，并且包括衬底流体入口通道、衬底流体出口通道和一个或多个半导体流体通道，衬底流体入口通道从衬底入口端口延伸到衬底层中，衬底流体出口通道从衬底出口端口延伸到衬底层中，一个或多个半导体流体通道延伸到宽带隙半导体器件中，并且与衬底流体入口通道和衬底流体出口通道流体连通。

公开(公告)号：CN107112305A

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201580062065.1

申请日：2015-11-20

申请人： 密克罗奇普技术公司

发明人： R·纪唐龙 ,  P·蒲涅亚波 ,  E·根加南塔诺

IPC分类号： H01L23/495 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L23/49541 ,  H01L21/288 ,  H01L21/4825 ,  H01L21/4839 ,  H01L21/4842 ,  H01L21/4889 ,  H01L21/56 ,  H01L21/561 ,  H01L21/78 ,  H01L22/14 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/49548 ,  H01L23/544 ,  H01L24/48 ,  H01L24/83 ,  H01L24/85 ,  H01L24/92 ,  H01L24/97 ,  H01L2223/54453 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48106 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/181 ,  H05K3/3442 ,  H05K3/3494 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099

摘要： 根据本发明的实施例，一种用于集成电路IC装置的引线框架可包括：中心支撑结构，其用于安装IC芯片；多个引脚，其从所述中心支撑结构延伸；及棒条，其连接所述多个引脚、远离所述中心支撑结构。所述多个引脚中的每一引脚可包含微坑。

公开(公告)号：CN107070407A

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201610941789.X

申请日：2016-10-25

申请人： 精工爱普生株式会社

发明人： 矶畑健作 ,  菊池尊行

IPC分类号： H03B5/32 ,  H03H9/02

CPC分类号： H03L1/04 ,  H01L23/34 ,  H01L23/345 ,  H01L24/09 ,  H01L24/48 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/48106 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/85423 ,  H01L2224/85444 ,  H01L2224/85447 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/351 ,  H03B5/32 ,  H03B2200/0008 ,  H03B2200/001 ,  H03B2200/0012 ,  H03B2200/0018 ,  H03L1/02 ,  H03L1/028 ,  H01L2224/45099 ,  H03H9/02047 ,  H03H9/02834

摘要： 本发明提供集成电路装置、电子器件、电子设备及基站。能够提高引线键合的生产性。集成电路装置具有：基板；接合部，其设置于所述基板上，并与振子接合；以及多个键合焊盘，它们设置于所述基板上，在所述接合部设有覆盖所述基板的表面的一部分的绝缘性保护膜，在相邻的所述键合焊盘之间未设有所述绝缘性保护膜。

公开(公告)号：CN106847777A

公开(公告)日：2017-06-13

申请号：CN201710037515.2

申请日：2017-01-18

申请人： 东南大学

发明人： 刘斯扬 ,  宋海洋 ,  李胜 ,  戴志刚 ,  魏家行 ,  孙伟锋 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC分类号： H01L23/49

CPC分类号： H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L2224/48096 ,  H01L2224/48106 ,  H01L2224/48157 ,  H01L2224/48456 ,  H01L2224/49175

摘要： 一种具有高热可靠性的功率模块，包括：散热底板，在散热底板上设有覆铜陶瓷基板，所述覆铜陶瓷基板包括陶瓷基板，在陶瓷基板的下表面上设有下表面覆铜，在覆铜陶瓷基板上至少设有2个端子，所述端子连接于位于所述端子下方并设在陶瓷基板的上表面覆铜上，在需要实现连接的两个端子中的一个端子下方的覆铜上连接有功率芯片，所述功率芯片通过焊线组件与所述需要实现连接的两个端子中的另一个端子连接，其特征在于，所述焊线组件由相互平行的焊线构成，每条焊线都具有多个焊点且不同焊线的端部焊点以及处在同一相对位置的中部焊点在功率芯片上呈交错排列；焊线组件使用高电导率金属材料铝Al，铜Cu，银Ag或金Au。