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公开(公告)号：CN110391806B
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN201910314240.1
申请日：2019-04-18
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H03K17/567
Abstract: 本发明目的在于针对半导体元件的驱动装置，抑制大型化，并且如果半导体元件的异常消除则迅速重新开始向半导体元件输入驱动信号。半导体元件的驱动装置(1)具备：多个检测电路(21)，对半导体元件的不同种类的异常进行检测；逻辑电路(22)，在至少一个检测电路检测出异常的情况下生成错误信号(Verr)；警报信号生成电路(24、25)，接收错误信号，生成由针对每个检测出异常的检测电路而具有不同的脉宽的1个或多个脉冲构成的警报信号(VFo)；以及保护动作判断电路(23)，基于错误信号以及警报信号，对半导体元件的保护功能是否正在动作进行判断，在判断为保护功能正在动作的情况下，切断向半导体元件的驱动信号的输入。
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公开(公告)号：CN110890881B
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN201910837996.4
申请日：2019-09-05
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H03K17/16 , H03K17/567 , H03K17/687 , H01L25/18
Abstract: 提供可对施加于半导体元件两端的电压的时间变化率(dv/dt)进行调整，进行导通时的控制性和导通损耗的调整的半导体装置。本发明涉及的半导体装置具备：第一开关区域，其具有第一栅极电极，沟道电流与通过输入至第一栅极电极的控制信号而供给的电荷量对应地受到控制；第二开关区域，其具有第二栅极电极，沟道电流与通过输入至第二栅极电极的控制信号而供给的电荷量对应地受到控制，与第一开关区域并联连接；以及控制部，其向第一、第二栅极电极输出用于使第一、第二开关区域导通的控制信号，控制部在输出第一、第二控制信号而经过了第一规定期间后使第二控制信号的输出停止，在使第二控制信号的输出停止而经过了第二规定期间后输出所述第二控制信号。
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公开(公告)号：CN107452688A
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：CN201710258116.9
申请日：2017-04-19
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/04 , H01L23/367
Abstract: 半导体装置(100)具有基座板(1)、壳体(3)、功率半导体元件(5)和控制用半导体元件(6)。壳体(3)设置于基座板(1)之上。功率半导体元件(5)配置于壳体(3)内的基座板(1)之上。控制用半导体元件(6)配置于壳体(3)的内部。在壳体(3)的与基座板(1)相反侧形成有开口部(21)。还具有将壳体(3)的开口部(21)闭塞的盖(23)。在盖(23)处，在俯视时与控制用半导体元件(6)重叠的区域的至少一部分形成有孔部(25)。
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公开(公告)号：CN118136617A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202311590412.0
申请日：2023-11-27
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L25/07 , H01L23/538 , H01L23/498
Abstract: 目的在于提供能够降低短路时的模块间的振荡的技术。半导体装置具有：第二金属图案，其与第一半导体元件及第二半导体元件电连接；第三金属图案，其与第二半导体元件电连接；第五金属图案，其与第三半导体元件及第四半导体元件电连接；第六金属图案，其与第四半导体元件电连接；以及第一导电部，其在俯视观察时跨过第三金属图案及第六金属图案，将第二金属图案与第五金属图案电连接。
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公开(公告)号：CN107611111B
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN201710565919.9
申请日：2017-07-12
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/488 , H01L23/367
Abstract: 本发明的目的在于，提供能够确保高半导体芯片散热性的半导体模块和电力转换装置。具备：绝缘基板，其具有绝缘层、形成于该绝缘层的上表面的第1金属图案、形成于该绝缘层的下表面的第2金属图案；半导体芯片，其通过第1金属接合材料固定于该第1金属图案，由SiC形成；以及散热板，其通过第2金属接合材料固定于该第2金属图案，该半导体芯片的厚度是大于或等于0.25mm且小于或等于0.35mm，该绝缘层的厚度相对于该半导体芯片的厚度是大于或等于2.66倍且小于或等于5倍。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107452688B
公开(公告)日：2020-09-25
申请号：CN201710258116.9
申请日：2017-04-19
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/04 , H01L23/367
Abstract: 半导体装置(100)具有基座板(1)、壳体(3)、功率半导体元件(5)和控制用半导体元件(6)。壳体(3)设置于基座板(1)之上。功率半导体元件(5)配置于壳体(3)内的基座板(1)之上。控制用半导体元件(6)配置于壳体(3)的内部。在壳体(3)的与基座板(1)相反侧形成有开口部(21)。还具有将壳体(3)的开口部(21)闭塞的盖(23)。在盖(23)处，在俯视时与控制用半导体元件(6)重叠的区域的至少一部分形成有孔部(25)。
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公开(公告)号：CN110890881A
公开(公告)日：2020-03-17
申请号：CN201910837996.4
申请日：2019-09-05
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H03K17/16 , H03K17/567 , H03K17/687 , H01L25/18
Abstract: 提供可对施加于半导体元件两端的电压的时间变化率(dv/dt)进行调整，进行导通时的控制性和导通损耗的调整的半导体装置。本发明涉及的半导体装置具备：第一开关区域，其具有第一栅极电极，沟道电流与通过输入至第一栅极电极的控制信号而供给的电荷量对应地受到控制；第二开关区域，其具有第二栅极电极，沟道电流与通过输入至第二栅极电极的控制信号而供给的电荷量对应地受到控制，与第一开关区域并联连接；以及控制部，其向第一、第二栅极电极输出用于使第一、第二开关区域导通的控制信号，控制部在输出第一、第二控制信号而经过了第一规定期间后使第二控制信号的输出停止，在使第二控制信号的输出停止而经过了第二规定期间后输出所述第二控制信号。
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公开(公告)号：CN107611111A
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201710565919.9
申请日：2017-07-12
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/488 , H01L23/367
CPC classification number: H01L23/3675 , H01L23/04 , H01L23/053 , H01L23/36 , H01L23/3735 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48106 , H01L2224/48175 , H01L2224/48245 , H01L2224/73265 , H01L2924/05032 , H01L2924/05042 , H01L2924/05432 , H01L2924/10272 , H01L2924/1203 , H01L2924/13055 , H01L2924/1425 , H01L2924/1426 , H01L2924/3512 , H02M7/537
Abstract: 本发明的目的在于，提供能够确保高半导体芯片散热性的半导体模块和电力转换装置。具备：绝缘基板，其具有绝缘层、形成于该绝缘层的上表面的第1金属图案、形成于该绝缘层的下表面的第2金属图案；半导体芯片，其通过第1金属接合材料固定于该第1金属图案，由SiC形成；以及散热板，其通过第2金属接合材料固定于该第2金属图案，该半导体芯片的厚度是大于或等于0.25mm且小于或等于0.35mm，该绝缘层的厚度相对于该半导体芯片的厚度是大于或等于2.66倍且小于或等于5倍。
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公开(公告)号：CN112750811A
公开(公告)日：2021-05-04
申请号：CN202011147320.1
申请日：2020-10-23
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明的目的在于提供抑制阻尼振荡的半导体装置。实施方式1的半导体装置(101)具有：IGBT(3)；SBD(2)，其与IGBT(3)串联连接；PND(1)，其与IGBT(3)串联连接，与SBD(2)并联连接；以及输出电极，其连接于IGBT(3)与SBD(2)以及PND(1)之间，PND(1)的阳极电极通过导线(8)经由SBD(2)的阳极电极而与输出电极连接。
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公开(公告)号：CN109039130B
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN201810602264.2
申请日：2018-06-12
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H02M7/5387
Abstract: 提供可实现从高电位侧向低电位侧的信号传送且尺寸小的半导体装置。高电位侧开关元件(25)设置在高电位侧端子(TP)与具有中间电位(VS)的主输出端子(TO)之间。信号传送电路(70)包含第1部位(71)、第2部位(72)、信号开关元件(73)和二极管(74)。对第1部位(71)施加中间电位(VS)。对第2部位(72)施加低电位侧电位与高电位侧电位之间的参考电位。信号开关元件(73)具有与第1部位(71)连接的一端和另一端，根据变换信号进行通断。二极管(74)设于第2部位(72)与信号开关元件(73)的另一端之间，方向被设定为在中间电位(VS)为低电位侧电位的情况下由于第1部位(71)与第2部位(72)之间的电压而流过正向电流。
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