半导体驱动电路及半导体装置

    公开(公告)号:CN103457587A

    公开(公告)日:2013-12-18

    申请号:CN201210561009.0

    申请日:2012-12-21

    IPC分类号: H03K17/567

    摘要: 本发明涉及半导体驱动电路及半导体装置。本发明的目的在于提供一种使用单一的电源对半导体开关元件施加正、负的偏压信号来进行半导体开关元件的开关的低功耗的半导体驱动电路。本发明的半导体驱动电路(100)对半导体开关元件(7)进行驱动,其特征在于具备:内部电源电路(3),根据从外部电源(4)供给的第一电压生成第二电压;以及驱动部(1),根据从外部输入的输入信号,在半导体开关元件(7)的栅极–发射极之间施加第一电压或第二电压,进行半导体开关元件(7)的导通/截止,内部电源电路(3)根据输入信号进行工作。

    半导体装置
    8.
    发明授权

    公开(公告)号:CN109039130B

    公开(公告)日:2020-06-23

    申请号:CN201810602264.2

    申请日:2018-06-12

    IPC分类号: H02M7/5387

    摘要: 提供可实现从高电位侧向低电位侧的信号传送且尺寸小的半导体装置。高电位侧开关元件(25)设置在高电位侧端子(TP)与具有中间电位(VS)的主输出端子(TO)之间。信号传送电路(70)包含第1部位(71)、第2部位(72)、信号开关元件(73)和二极管(74)。对第1部位(71)施加中间电位(VS)。对第2部位(72)施加低电位侧电位与高电位侧电位之间的参考电位。信号开关元件(73)具有与第1部位(71)连接的一端和另一端,根据变换信号进行通断。二极管(74)设于第2部位(72)与信号开关元件(73)的另一端之间,方向被设定为在中间电位(VS)为低电位侧电位的情况下由于第1部位(71)与第2部位(72)之间的电压而流过正向电流。

    半导体装置
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN109039130A

    公开(公告)日:2018-12-18

    申请号:CN201810602264.2

    申请日:2018-06-12

    IPC分类号: H02M7/5387

    摘要: 提供可实现从高电位侧向低电位侧的信号传送且尺寸小的半导体装置。高电位侧开关元件(25)设置在高电位侧端子(TP)与具有中间电位(VS)的主输出端子(TO)之间。信号传送电路(70)包含第1部位(71)、第2部位(72)、信号开关元件(73)和二极管(74)。对第1部位(71)施加中间电位(VS)。对第2部位(72)施加低电位侧电位与高电位侧电位之间的参考电位。信号开关元件(73)具有与第1部位(71)连接的一端和另一端,根据变换信号进行通断。二极管(74)设于第2部位(72)与信号开关元件(73)的另一端之间,方向被设定为在中间电位(VS)为低电位侧电位的情况下由于第1部位(71)与第2部位(72)之间的电压而流过正向电流。