半导体装置
    1.
    发明公开
    半导体装置 审中-实审

    公开(公告)号:CN117747580A

    公开(公告)日:2024-03-22

    申请号:CN202311191603.X

    申请日:2023-09-15

    Abstract: 在散热面具有柔软绝缘部件的半导体装置中,对在封装部件产生进入柔软绝缘部件之下的树脂毛刺进行抑制。功率模块(10)具有:导电性的芯片键合部(1);半导体元件(2),其接合于芯片键合部(1)的上表面;封装部件(4),其对芯片键合部(1)及半导体元件(2)进行封装;以及柔软绝缘部件(5),其接合于芯片键合部(1)的下表面。柔软绝缘部件(5)配置于封装部件(4)的下表面的凹陷部(4a),并且具有从封装部件(4)的下表面凸出的凸部(5a)。

    寿命推定电路及使用了该寿命推定电路的半导体装置

    公开(公告)号:CN106531704A

    公开(公告)日:2017-03-22

    申请号:CN201610827463.4

    申请日:2016-09-14

    Abstract: 寿命推定电路(3)具有:温度检测器(4),其对功率元件部(1)的温度进行检测;拐点检测部功率元件部(1)的温度变化的拐点进行检测;运算部(8),其求出本次检测出的拐点处的功率元件部(1)的温度与前次检测出的拐点处的功率元件部(1)的温度之差的绝对值;计数电路(9),其对温度差的绝对值达到阈值温度(Tth)的次数进行计数;以及信号发生部(10),其在计数电路(9)的计数值(C)达到阈值次数(Cth)的情况下,输出表示功率元件部(1)的寿命已至的警告信号(AL)。(5),其基于温度检测器(4)的输出信号(Vt),对

    半导体装置
    3.
    发明授权

    公开(公告)号:CN110890881B

    公开(公告)日:2023-09-19

    申请号:CN201910837996.4

    申请日:2019-09-05

    Abstract: 提供可对施加于半导体元件两端的电压的时间变化率(dv/dt)进行调整,进行导通时的控制性和导通损耗的调整的半导体装置。本发明涉及的半导体装置具备:第一开关区域,其具有第一栅极电极,沟道电流与通过输入至第一栅极电极的控制信号而供给的电荷量对应地受到控制;第二开关区域,其具有第二栅极电极,沟道电流与通过输入至第二栅极电极的控制信号而供给的电荷量对应地受到控制,与第一开关区域并联连接;以及控制部,其向第一、第二栅极电极输出用于使第一、第二开关区域导通的控制信号,控制部在输出第一、第二控制信号而经过了第一规定期间后使第二控制信号的输出停止,在使第二控制信号的输出停止而经过了第二规定期间后输出所述第二控制信号。

    半导体装置以及半导体模块

    公开(公告)号:CN104578719A

    公开(公告)日:2015-04-29

    申请号:CN201410504762.5

    申请日:2014-09-26

    Abstract: 得到一种半导体装置以及半导体模块,其在施加高电压的环境下也能够抑制电力消耗,并根据电源电压相对于基准电位的电位状态而控制输出。电阻分压电路(1)具有串联连接在电源电位(HVB)和基准电位(Com)之间的电阻(R1、R2),并输出电阻(R1、R2)的连接点处的电位(VMON)。瞬态响应检测电路(2)具有一端与电源电位(HVB)连接的电阻(R3)、以及连接在电阻(R3)的另一端和基准电位(Com)之间的电容器(C1),并输出电阻(R3)和电容器(C1)的连接点处的电位(Vdvdt)。AND电路(3)对电阻分压电路(1)的输出信号和瞬态响应检测电路(2)的输出信号进行AND运算。输出电路(4)根据AND电路(3)的输出信号而控制通断。

    半导体装置
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110890881A

    公开(公告)日:2020-03-17

    申请号:CN201910837996.4

    申请日:2019-09-05

    Abstract: 提供可对施加于半导体元件两端的电压的时间变化率(dv/dt)进行调整,进行导通时的控制性和导通损耗的调整的半导体装置。本发明涉及的半导体装置具备:第一开关区域,其具有第一栅极电极,沟道电流与通过输入至第一栅极电极的控制信号而供给的电荷量对应地受到控制;第二开关区域,其具有第二栅极电极,沟道电流与通过输入至第二栅极电极的控制信号而供给的电荷量对应地受到控制,与第一开关区域并联连接;以及控制部,其向第一、第二栅极电极输出用于使第一、第二开关区域导通的控制信号,控制部在输出第一、第二控制信号而经过了第一规定期间后使第二控制信号的输出停止,在使第二控制信号的输出停止而经过了第二规定期间后输出所述第二控制信号。

    具有浮动电极的半导体装置

    公开(公告)号:CN101165915A

    公开(公告)日:2008-04-23

    申请号:CN200710139927.3

    申请日:2007-08-03

    CPC classification number: H01L29/735 H01L29/0692 H01L29/0821

    Abstract: 本发明提供一种抑制了寄生动作的半导体装置。该半导体装置具有n-区域(2a)、与n-区域(2a)分离地形成的n-区域(2c)、形成在n-区域(2a)和n-区域(2c)之间的n-区域(2b)、配置于n-区域(2c)和n-区域(2b)之间并具有比p-区域(1)低的电阻的p扩散区域(4b)。具有以与n-区域(2a)的方式形成的发射极(7)。具有以与n-区域(2c)接触的方式形成的发射极(9)。具有形成在被n-区域(2a)和n-区域(2b)夹持的区域的基极(8)。n-区域(2b)和p扩散区域(4b)通过导线(11)电连接。n-区域(2b)与n-区域(2c)的距离Y大于n-区域(2b)的宽度X。

    键合焊盘、集成电路元件以及集成电路装置

    公开(公告)号:CN118412334A

    公开(公告)日:2024-07-30

    申请号:CN202410087454.0

    申请日:2024-01-22

    Abstract: 键合焊盘(11)具有:表面电极层(1),具有第1面(10A);电阻层(2),具有在与第1面正交的第1方向(Z)上与第1面隔开间隔地配置且朝向第1面的相反侧的第2面(10B);应力缓冲层(3),在第1方向上配置于表面电极层与电阻层之间;以及连接部(4),在第1方向上将表面电极层与应力缓冲层之间连接,且与表面电极层及应力缓冲层分别相接。应力缓冲层在与第1方向正交的方向上在键合焊盘整体延伸。连接部包含在第1方向上与表面电极层及应力缓冲层分别相接的绝缘体(41)、在与第1方向正交的方向上与绝缘体相接且将表面电极层与应力缓冲层之间电连接的多个插塞(42)。应力缓冲层的第1方向的厚度厚于表面电极层的第1方向的厚度。

    半导体装置以及半导体模块

    公开(公告)号:CN104578719B

    公开(公告)日:2018-01-05

    申请号:CN201410504762.5

    申请日:2014-09-26

    Abstract: 得到一种半导体装置以及半导体模块,其在施加高电压的环境下也能够抑制电力消耗,并根据电源电压相对于基准电位的电位状态而控制输出。电阻分压电路(1)具有串联连接在电源电位(HVB)和基准电位(Com)之间的电阻(R1、R2),并输出电阻(R1、R2)的连接点处的电位(VMON)。瞬态响应检测电路(2)具有一端与电源电位(HVB)连接的电阻(R3)、以及连接在电阻(R3)的另一端和基准电位(Com)之间的电容器(C1),并输出电阻(R3)和电容器(C1)的连接点处的电位(Vdvdt)。AND电路(3)对电阻分压电路(1)的输出信号和瞬态响应检测电路(2)的输出信号进行AND运算。输出电路(4)根据AND电路(3)的输出信号而控制通断。

    功率器件控制电路以及功率器件电路

    公开(公告)号:CN103268135A

    公开(公告)日:2013-08-28

    申请号:CN201210466744.3

    申请日:2012-11-19

    Abstract: 本发明涉及功率器件控制电路和功率器件电路。功率器件控制电路(200)向功率器件(100)的栅极端子(100a)输入栅极驱动信号,具备:控制信号输入电路(2),接收用于控制功率器件(100)的功率器件控制信号(1a);驱动系统控制电路(4),连接于控制信号输入电路(2);驱动电路(5),具有多个驱动系统(5a、5b、5c),并且从驱动系统控制电路(4)接收驱动电路控制信号(1c)来驱动功率器件(100);以及定时器电路(3),在输入规定的信号、即功率器件控制信号(1a)之后的一定时间后,根据驱动电路控制信号(1c)切换多个驱动系统(5a、5b、5c),由此使驱动系统控制电路(4)的驱动能力变化。

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